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公开(公告)号：CN115315816A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180019967.2
申请日：2021-09-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/072 , H01L31/0725
Abstract: 实施方式的太阳能电池包含p电极、n电极、位于所述p电极和所述n电极之间且主要含有氧化亚铜的p型吸光层、以及包含第一n型层和第二n型层的n型层，所述第一n型层位于所述p型吸光层和所述n电极之间，主要包含Gav1Znv2Snv3M1v4Ov5表示的化合物，所述M1为选自Hf、Zr、In、Ti、Al、B、Mg、Si和Ge中的一种或多种，所述v1、v2和v4为大于或等于0.00的数值，所述v3和v5为大于0的数值，所述v1和v2中至少一个为大于0的数值，以及当所述v1、v2、v3和v4的总和为1时，所述v5大于或等于1.00且小于或等于2.00，且所述第一n型层位于所述n电极侧；所述第二n型层是主要包含Gaw1M2w2M3w3M4w4Ow5表示的化合物的层，所述M2为Al和/或B，所述M3为选自In、Ti、Zn、Hf和Zr中的一种或多种，所述M4为选自Sn、Si和Ge中的一种或多种，所述w1和w5为大于0的数值，所述w2、w3和w4为大于或等于0.00的数值，以及当所述w1，w2,w3和w4的总和为2时，所述w5大于或等于3.00且小于或等于3.80，且所述第二n型层位于所述p型吸光层侧。
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公开(公告)号：CN114041209A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202080037618.9
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0725
Abstract: 实施方式提供具有改进的特性的光电转换层、太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池组件和光伏发电系统。实施方式的光电转换层基于Cu2O，且包含选自Ge、Ta和In中的至少一种的p型掺杂剂，所述光电转换层的带隙为2.10eV以上且2.30eV以下。
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公开(公告)号：CN113924659A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080041647.2
申请日：2020-03-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/0725
Abstract: 实施方式提供一种太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能光伏发电系统，其表现出改善的特性。实施方式的太阳能电池100包括透明的第一电极1、在第一电极1上的主要含有氧化亚铜的光电转换层2、在光电转换层2上的n型层3和在n型层3上的透明的第二电极4。混合区2a或/和混合层2b存在于光电转换层2的n型层3侧，并且混合区2a和混合层2b含有属于第一组、第二组和第三组的元素。第一组是选自由Zn和Sn组成的组中的一种或多种元素，第二组是选自由Y、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Zr、B、Al、Ga、Nb、Mo、Ti、F、Cl、Br和I组成的组中的一种或多种元素，并且第三组为选自由Ge和Si组成的组中的一种或多种元素。
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公开(公告)号：CN111279492A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880055107.2
申请日：2018-09-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/0352
Abstract: 实施方式提供变换效率优的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极、与p电极直接接触的p型光吸收层、n型层及n电极。在p型光吸收层与n电极之间配置n型层。从p型吸收层与p电极的界面起向n型层方向10nm到100nm的区域包括含有p型掺杂剂的p+型区域。
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公开(公告)号：CN115398649B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202180019308.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H10F77/12 , H10F71/00 , H10F10/161
Abstract: 根据实施方式所述的层叠薄膜的制造方法，包括在基底上形成p‑电极，在p‑电极上形成主要含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物的膜，以及在主要含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物的膜上进行氧化处理。氧化处理中的臭氧分压为5[Pa]以上且200[Pa]以下，氧化处理中的处理温度为273[K]以上且323[K]以下，氧化处理中的处理时间为1秒以上且60分钟以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113728445B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080015675.7
申请日：2020-08-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供制造多层薄膜的工艺、以及制造太阳能电池的方法、制造多结太阳能电池的方法、制造太阳能电池组件的方法。所述制造多层薄膜的工艺包括：在第一透明电极上形成包含Cu2O作为主要成分的光电转换层；和将具有形成在所述第一透明电极上的所述光电转换层的构件在氧浓度为5.0×10‑8[g/L]至5.0×10‑5[g/L]的第一气氛下放置1h至1600h。
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公开(公告)号：CN113853687B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202080037621.0
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/0368
Abstract: 实施方式提供了具有改进的转换效率的太阳能电池、层叠体、多结太阳能电池、太阳能电池组件和太阳能发电系统。根据实施方式的太阳能电池(100)包括透明的第一电极(1)，第一电极(1)上的第一半导体层(2)，第一半导体层(2)上的第二半导体层(3)，以及第二半导体层(3)上的透明的第二电极(4)；其中，凹槽(5)规则地存在于第一半导体层(2)的面向第二半导体层(3)侧的表面上。
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公开(公告)号：CN113924659B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202080041647.2
申请日：2020-03-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/0725
Abstract: 实施方式提供一种太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能光伏发电系统，其表现出改善的特性。实施方式的太阳能电池100包括透明的第一电极1、在第一电极1上的主要含有氧化亚铜的光电转换层2、在光电转换层2上的n型层3和在n型层3上的透明的第二电极4。混合区2a或/和混合层2b存在于光电转换层2的n型层3侧，并且混合区2a和混合层2b含有属于第一组、第二组和第三组的元素。第一组是选自由Zn和Sn组成的组中的一种或多种元素，第二组是选自由Y、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Zr、B、Al、Ga、Nb、Mo、Ti、F、Cl、Br和I组成的组中的一种或多种元素，并且第三组为选自由Ge和Si组成的组中的一种或多种元素。
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公开(公告)号：CN111656538B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201880087774.9
申请日：2018-01-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725
Abstract: 本发明提供廉价且转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有第一p电极(1a)与第二p电极(1b)层叠而成的p电极(1)、与第一p电极(1a)直接相接的p型光吸收层(2)、与p型光吸收层(2)直接相接的n型层(3)和n电极(4)。在p型光吸收层(2)与第二p电极(1b)之间配置第一p电极(1a)。在n型层(3)与第一p电极(1a)之间配置p型光吸收层(2)。在p型光吸收层(2)与n电极(4)之间配置n型层(3)。第一p电极(1a)由以Sn作为主要成分的金属的氧化物形成。
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公开(公告)号：CN116888744A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202180094675.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/0465
Abstract: 根据实施方式，太阳能电池包含第一导电层(11)、第一对置导电层(11o)、第一光电转换层(21)、第一化合物层(31)、第二导电层(12)、第二对置导电层(12o)、第二光电转换层(22)及第二化合物层(32)。第一对置导电层(11o)包含第一导电区域(11a)。从第一导电层(11)朝向第一导电区域(11a)的方向沿着第一方向。第一化合物层(31)包含设置在第一光电转换层(21)与第一导电区域(11a)之间的第一化合物区域(31a)。从第一导电层(11)朝向第二导电层(12)的第二方向与第一方向交叉。第二对置导电层(12o)包含与第一导电层(11)电连接的第二导电区域(12b)。从第二导电层(12)朝向第二导电区域(12b)的方向沿着第一方向。从第一导电区域(11a)朝向第二导电区域(12b)的方向沿着第二方向。第二化合物层(32)包含第二化合物区域(32b)及第三化合物区域(32c)。第二化合物区域(32b)设置在第二光电转换层(22)与第二导电区域(12b)之间。第三化合物区域(32c)的至少一部分位于第一导电层(11)与第二导电层(12)之间。
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