公开(公告)号：CN113497033A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202010666280.5

申请日：2020-07-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 系数裕子 ,  末代知子 ,  岩鍜治阳子 ,  罇贵子

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

Abstract: 实施方式提供一种能够降低恢复损耗的半导体装置及其控制方法。实施方式的半导体装置具备半导体部、设于所述半导体部的背面上的第一电极、设于所述半导体部的表面上的第二电极、以及设于所述半导体部与所述第二电极之间控制电极。所述控制电极配置在设于所述半导体部的沟槽的内部，通过第一绝缘膜与所述半导体部电绝缘。所述半导体部包括第一导电型的第一层、第二导电型的第二层、以及第二导电型的第三层。所述第一层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸。所述第二层设于所述第一层与所述第二电极之间，并与所述第二电极连接。所述第三层设于所述第一层与所述第二电极之间，并与所述第二层及所述第一绝缘膜相接。

公开(公告)号：CN1691498A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067261.6

申请日：2005-04-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野贤也 ,  梁濑直子 ,  板谷和彦 ,  安本恭章 ,  尾原亮一 ,  川久保隆 ,  罇贵子

IPC: H03H9/13 ,  H03H9/17 ,  H03H3/02

Abstract: 提供一种薄膜压电谐振器及其制造方法，电气机械耦合系数kt2和Q值同时增大，并且下部电极的膜厚控制容易。薄膜压电谐振器包括：基板(11)；下部电极(14)，面对该基板(11)一部分为空心状态并被机械地保持；压电体(15)，配置在下部电极(14)上，以使其在平面图形上，在自身占有的区域的内部包含所有下部电极(14)；上部电极(16)，在该压电体(15)上；中继电极(13)，在基板(11)和压电体(15)之间，在平面图形上，位于压电体(15)的占有区域的边界，并且在占有区域的内部与下部电极(14)连接；以及下部电极布线(17)，从占有区域的边界延长到外部，连接到中继电极(13)。

公开(公告)号：CN1638270A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410102874.4

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江渊康男 ,  罇贵子 ,  佐野贤也

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H01L41/08

CPC classification number: H03H9/172 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02125 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/173 ,  H03H9/587

Abstract: 一种薄膜体声谐振器，包括相互分开设置的第一到第四绝缘体图形。第三和第四绝缘体图形分别相对于第一和第二绝缘体图形与第二和第一绝缘体图形相反设置。底部导电层设置在第一和第三绝缘体图形上，并从第一和第二绝缘体图形之间的区域延伸到第三绝缘体图形。压电膜位于底部导电层上，设置在第一和第二绝缘体图形之间的区域上。顶部导电层面对底部导电层以将压电膜夹在中间，并从第一和第二绝缘体图形之间的区域延伸到第四绝缘体图形。