公开(公告)号：CN101308901A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810109276.8

申请日：2008-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  北川英二 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  G11C7/22

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明涉及磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器。磁致电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。

公开(公告)号：CN100350498C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN03155426.1

申请日：2003-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 甲斐正 ,  高桥茂树 ,  上田知正 ,  岸达也 ,  齐藤好昭

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  Y10T428/24917

Abstract: 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器，具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括：磁化方向被固定的第一基准层；以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层，该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的中央部的难磁化轴方向设置的突出部。

公开(公告)号：CN1489152A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03155426.1

申请日：2003-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 甲斐正 ,  高桥茂树 ,  上田知正 ,  岸达也 ,  齐藤好昭

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  Y10T428/24917

Abstract: 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器，具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括：磁化方向被固定的第一基准层；以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层，该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的中央部的难磁化轴方向设置的突出部。