公开(公告)号：CN103325829A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210315961.2

申请日：2012-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西胁达也 ,  大田刚志 ,  安原纪夫 ,  新井雅俊 ,  河野孝弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/82 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种可微细化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的基极层，被设置在所述第1半导体层上；第1导电型的第2半导体层，被设置在所述基极层上；多个栅电极，栅电极的上端比所述基极层的上表面位于上方，栅电极的下端比所述基极层的下表面位于下方，隔着栅极绝缘膜与所述第1半导体、所述第2半导体层及所述基极层接触；绝缘部件，被配置在所述栅电极上，所述绝缘部件的上表面比所述第2半导体层的上表面位于下方；以及导电膜，在所述栅电极之间，与所述栅电极相隔规定的距离，将所述第2半导体层的从上端至下端、以及所述第2半导体层及所述绝缘部件的上端覆盖。