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公开(公告)号:CN102947945A
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:CN201080065818.1
申请日:2010-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种通过层叠折射率调整层、金属多孔膜和光电转换层而配置的太阳能电池。所述太阳能电池具有这样的结构,其中:金属多孔膜位于光辐射侧;金属多孔膜与光电转换层直接接触;金属多孔膜具有多个穿过其的开口部分。折射率调整层至少部分覆盖金属多孔膜的表面和开口部分的内表面;以及折射率调整层具有包括端点值的1.35到4.2的折射率。如果采用经过纳米处理的金属膜作为太阳能电池的电极,太阳能电池因电场增强效应而有效地进行光电转换。
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公开(公告)号:CN101978507B
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN200980109384.8
申请日:2009-01-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022433 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池,包括:第一电极层,形成于基底上;生成层,形成于所述第一电极层上;以及第二电极层,形成于所述生成层上,所述第一电极层和所述第二电极层的至少之一为光透明的金属电极层,所述金属电极层具有穿过所述金属电极层的多个开口。所述金属电极层包括金属部,所述金属电极层的任意两个金属部彼此连续、无切割部分,所述金属电极层的膜厚度在10nm至200nm的范围中,且所述开口的大小等于或小于用于生成电的光的波长的1/2。
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公开(公告)号:CN102194954A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201010520326.9
申请日:2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、使用其的发光装置以及制造该半导体发光器件的方法。根据实施例的半导体发光器件包括衬底、化合物半导体层、具备特定开口的金属电极层、光提取层以及反电极。光提取层具有20至120nm的厚度,且至少部分地覆盖金属电极层的金属部分;或者光提取层具有褶皱结构,并至少部分地覆盖金属电极层的金属部分。褶皱结构具有凸起,该凸起被设置为它们的顶点之间的间距为100至600nm,且这些顶点从金属电极层的表面起算的高度为200至700nm。
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