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公开(公告)号：CN116632056A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210884681.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/41
Abstract: 一种半导体装置，包含第1～第4电极、半导体部件及绝缘部件。半导体部件包含第1导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域以及第2导电型的第6半导体区域。第3半导体区域包含第1部分区域和第2部分区域。第2部分区域在第1方向上处于第1半导体区域与第2半导体区域之间。第1部分区域在第1方向上处于第1半导体区域与第3电极之间。在与第1方向交叉的第2方向上，第3电极与第2半导体区域、第4半导体区域以及第5半导体区域重叠。第4电极在第1方向上处于第1部分区域与第3电极之间。从第4电极向第2部分区域的方向沿着第2方向。
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公开(公告)号：CN114628518A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110947803.8
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1导电部件及第1绝缘部件。半导体部件的第4半导体区域中的缺陷密度比半导体部件的第1半导体区域的第1位置中的第1缺陷密度高。
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公开(公告)号：CN113809178A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110197605.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括半导体部件、第1、第2电极、栅电极、栅极端子、第1导电部件、第1端子和第1绝缘部件。半导体部件包括第1导电类型的第1半导体区域、第1导电类型的第2半导体区域和第2导电类型的第3半导体区域。栅极端子与栅电极电连接。第1导电部件与第1电极、第2电极以及栅电极电绝缘。第1端子与第1导电部件电连接。第1绝缘部件包括第3半导体区域与栅电极之间的第1绝缘区域以及栅电极与第1导电部件之间的第2绝缘区域。在与输入到栅极端子的第1信号不同的定时进行切换的第2信号能够被输入到第1端子。
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公开(公告)号：CN113224161A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010952414.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域、第1部件以及第1绝缘部件。从第1部分区域向第1部件的方向沿着第1方向。从第3部分区域向第1部件的方向沿着第2方向。所述第1部件与第1部分区域电连接。第1部件与第2电极电连接或者能够与所述第2电极电连接。第1部件的电阻率高于所述第1部分区域的电阻率且低于第1绝缘部件的电阻率。
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公开(公告)号：CN113224152B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010939014.5
申请日：2020-09-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供半导体装置，其能够降低二极管动作中的恢复损耗。半导体装置具备第1电极与第2电极之间的半导体部和第1及第2控制电极。第1控制电极配置于第1电极与半导体部之间的第1沟槽内，第2控制电极配置于第2电极与半导体部之间的第2沟槽内。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层、第2导电类型的第4层、第1导电类型的第5层及第1导电类型的第6层。第2层设置于第1层与第1电极之间，第3层设置于第2层与第1电极之间。第4层设置于第1层与第2电极之间，第5层设置于第4层与第2电极之间，第6层设置于第1层与第2电极之间。第2电极经由包括第6层的第1导电类型区域与第1层连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113809178B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110197605.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括半导体部件、第1、第2电极、栅电极、栅极端子、第1导电部件、第1端子和第1绝缘部件。半导体部件包括第1导电类型的第1半导体区域、第1导电类型的第2半导体区域和第2导电类型的第3半导体区域。栅极端子与栅电极电连接。第1导电部件与第1电极、第2电极以及栅电极电绝缘。第1端子与第1导电部件电连接。第1绝缘部件包括第3半导体区域与栅电极之间的第1绝缘区域以及栅电极与第1导电部件之间的第2绝缘区域。在与输入到栅极端子的第1信号不同的定时进行切换的第2信号能够被输入到第1端子。
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公开(公告)号：CN117594543A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310134256.0
申请日：2023-02-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/535 , H01L25/07
Abstract: 提供半导体封装，其可获得稳定的特性。根据实施方式，半导体封装包含第一导电部件、第二导电部件、多个半导体装置、配线部件、第一连接部件和第二连接部件。配线部件包含第一配线层、第二配线层、第三配线层及绝缘区域。从第一配线层向第二配线层的方向以及从第一配线层向第三配线层的方向沿着第一方向。绝缘区域的至少一部分处于第一配线层与第三配线层之间以及第三配线层与第二配线层之间。第一连接部件设于配线部件的第一连接区域与半导体装置的第一控制电极之间。第二连接部件设于配线部件的第二连接区域与半导体装置的第二控制电极之间。
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公开(公告)号：CN110838522B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910022134.6
申请日：2019-01-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 下条亮平
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 半导体装置具备：第1导电型第1半导体层；第2导电型第2半导体层，选择性地设置在第1半导体层上；第1导电型第3半导体层，选择性地设置在第2半导体层上；第1绝缘膜，覆盖第1半导体层与第3半导体层之间的一部分第2半导体层；控制电极，隔着第1绝缘膜与一部分第2半导体层相对；第2导电型第4半导体层，设置在第1半导体层的下表面侧；第1导电型第5半导体层，在沿第1半导体层下表面的第1方向上与第4半导体层并列；第6半导体层，设置在第1半导体层与第5半导体层之间，与第4半导体层相连，连接部分，为在第1半导体层与第5半导体层之间不存在第6半导体层的部分。第6半导体层与第4半导体层相比第2导电型杂质的有效浓度低。
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公开(公告)号：CN116825832A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210804669.0
申请日：2022-07-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 实施方式提供半导体装置以及半导体电路，其包含具有IGBT和二极管的RC‑IGBT，能够减少导通损失。实施方式的半导体装置具备：晶体管区域，其包含第一沟槽、设于第一沟槽之中的第一栅极电极、第二沟槽、设于第二沟槽之中的第二栅极电极、第三沟槽和设于第三沟槽之中的第三栅极电极；二极管区域，其包含第五沟槽和设于第五沟槽之中的导电层；边界区域，其包含第四沟槽和设于第四沟槽之中的第四栅极电极，设于晶体管区域与二极管区域之间；第一电极焊盘，其与第一栅极电极电连接；第二电极焊盘，其与第二栅极电极电连接；以及第三电极焊盘，其与第三栅极电极以及第四栅极电极电连接。
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公开(公告)号：CN116682852A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210729322.4
申请日：2022-06-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 实施方式提供可降低导通损失及关断损失的半导体装置，具备：第一及第二电极；半导体部，设置在第一电极与第二电极间，具有第一至第四半导体层；第一至第三栅极电极，设置在半导体部与第一电极间，与第一至第三半导体层相对，相互电分离；第一至第三绝缘膜，分别设置在第一至第三栅极电极与半导体部间；第二半导体层设置在第一半导体层与第三半导体层间，第三半导体层设置在第二半导体层与第一电极间，第四半导体层设置在第一半导体层与第二电极间，设第一栅极电极与第三半导体层隔着第一绝缘膜相对的面积为S1、第二栅极电极与第三半导体层隔着第二绝缘膜相对的面积为S2、第三栅极电极与第三半导体层隔着第三绝缘膜相对的面积设为S3时，S1≤S2
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