公开(公告)号：CN1438688A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02140029.6

申请日：2002-12-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  永久克己 ,  山下恭司 ,  海本博之 ,  小林睦 ,  大谷一弘

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/7801 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 获得一种具有能够高精度地测定电容值的CBCM用电路的半导体器件。构成CBCM用电路的MOS晶体管具有以下结构。亦即，在主体区16的表面内选择地形成源·漏区4、4’，分别形成从相互对置的源·漏区4、4’的前端部延伸的延伸区5、5’。在包含延伸区5、5’的源·漏区4、4’之间的上面形成栅绝缘膜7，在栅绝缘膜7上形成栅电极8。但是，在延伸区5(5’)的前端部和延伸区5的周边部，不形成相当于比沟道区的杂质浓度更高的已有结构的小袋区6(6’)的区域。