电流相加型DAC
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101292426A

    公开(公告)日:2008-10-22

    申请号:CN200680038633.5

    申请日:2006-03-13

    CPC classification number: H03M1/002 H03M1/662 H03M1/745 H03M1/747

    Abstract: 在多通道电流相加型DAC中,例如在2通道电流相加型DAC中,各通道(A、B)分别由两个小电流的电流源((I11、I12)、(I21、I22)…)构成与数字输入信号(DS)的位数对应的多个电流源(I1、I2…)。当在任一通道中将满标电流限制得较小时,各两个分支电流源通过开关(Sa1、Sa2)仅使其中任一个断开。因此,共用偏置电路的同时,各通道可各自不降低分辨率地调整满标电流。

    D/A转换器和具有它的半导体集成电路

    公开(公告)号:CN101180799A

    公开(公告)日:2008-05-14

    申请号:CN200580049836.X

    申请日:2005-10-31

    Inventor: 生驹平治

    CPC classification number: H03M1/687 H03M1/745 H03M1/747

    Abstract: 在电流驱动型D/A转换器中,1LSB的电流源(1)、2LSB的电流源(2)是每次加权为1/2的二进制码的电流源,4LSB的电流源(3)是用温度计代码设计的同一结构的多个电流源中的一个。L=L3、W=W3的多个MOS晶体管以共栅-共阴方式连接,并且它们的栅极端子公用,从而构成决定各电流源1~3的恒流值的第一电路(A1)、(A2)、(A4)。对于把各电流源1~3的输出阻抗设定得很高的第二电路B1、B2、B4,其与第一电路(A1)、(A2)、(A4)级联连接,并且在其内部,L=L4、W=W4的多个MOS晶体管以共栅-共阴方式连接,并且它们的栅极端子公用。因此,能以更小面积构成,且能使电流源的电流特性更统一,使D/A转换特性的线性提高。

    D/A转换器
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1574645A

    公开(公告)日:2005-02-02

    申请号:CN200410049065.1

    申请日:2004-06-11

    CPC classification number: H03M1/108 H03M1/742

    Abstract: 本发明提供一种的D/A转换器,在用于晶片电平老化试验中、用在半导体工艺中可以形成的电阻元件和开关构成输出负载电阻,并内置于D/A转换器中,用控制信号切换上述开关来控制上述电阻元件的使用、不使用。现有的D/A转换器的构成是:为了让使用条件具有通用性而从LSI外部连接输出负载用电阻器、电流值设定用电阻器,进而输入电流值设定用基准电压。当在晶片状态下实施老化试验(晶片电平老化试验)时,由于半导体晶片上的焊盘间隔狭窄等的制约,往往不能在晶片上确保电阻和连接配线的空间,导致D/A转换器的晶片电平老化试验的实施困难。而根据本发明的D/A转换器,不用从外部连接老化试验用的电阻元件等就可以进行晶片电平老化。

    快速恢复电路
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101578561A

    公开(公告)日:2009-11-11

    申请号:CN200880001383.7

    申请日:2008-06-04

    CPC classification number: H03K17/223 H03K17/30 H03K17/6871

    Abstract: 本发明提供一种快速恢复电路,在半导体电路从断电状态恢复到工作状态时使用,所述半导体电路在基准电压端子(RT)上连接有用于稳定基准电压的稳定化电容(2),在该快速恢复电路中,由电流镜电路(40)返回生成滞环比较器(1)的关断侧阈值电压ref1的第一电流通路(Ph1)的电流(Ia)而生成第二电流通路(Ph2)的电流(Ib),其中该第二电流通路生成上述基准电压(Vbias)。比较器(1)被输入上述基准电压(Vbias)作为输入电压(vin)。在上述比较器(1)中,当基准电压(Vbias)变得与上述关断侧阈值电压(ref1)相等时,立即停止电流源(I1)对稳定化电容(2)的充电。上述比较器(1)的阈值电压(ref1)被设定为要成为基准电压端子(RT)的基准电压(Vbias)的所希望电压值。

    电平移动电路
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1184743C

    公开(公告)日:2005-01-12

    申请号:CN02126870.3

    申请日:2002-07-16

    CPC classification number: H03K3/012 H03K3/356113

    Abstract: 本发明旨在提供这样的电平移动电路,即使低压信号的电压电平降低时,该电路也可稳定输出经电平变换的信号。为此,在数字信号在N沟道晶体管15、16源极处输入的CMOS电平移动电路中,N沟道晶体管15、16的栅极处被输入偏置电压Vref,该偏置电压Vref,高于数字信号的高电平电压,但低于数字信号的高电平电压加上N沟道晶体管15、16的阈值电压后的值。本发明提供一种设有第一N沟道晶体管、第二N沟道晶体管、第一P沟道晶体管以及第二P沟道晶体管的CMOS电平移动电路,其中第一N沟道晶体管的衬底电极与第二N沟道晶体管的衬底电极上所加的电压之一或它们二者低于接地电压。

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