公开(公告)号：CN1248314C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN03101695.2

申请日：2003-01-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 祗园雅弘

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H03K3/012

Abstract: 一种电平移动电路，在将输入信号IN或反转输入信号XIN输入到栅极的用于信号输入的N型晶体管(1、2)中，通过用于衬底偏置的P型晶体管(5、6)将所述信号IN或XIN也提供给该衬底。在信号IN或XIN上升变化时，用于信号输入的N型晶体管(1、2)的各阈值电压因衬底偏置效果而下降。因此，即使信号IN或XIN是低电压电平，也能进行高速地动作。另外，如果输出信号OUT或反转输出信号XOUT变化为高电压电平，则所述用于衬底偏置的晶体管(5、6)变为非导通状态，所以在信号变化以外时，不将输入信号IN或反转输入信号XIN提供给用于信号输入的N型晶体管(1、2)的衬底。因此，在这些衬底中始终不会流过贯通电流。

公开(公告)号：CN1577858A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410063601.3

申请日：2004-07-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 祗园雅弘

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H03K3/356113

Abstract: 在电平位移电路中，例如，当输入信号IN从L电平变成H电平时，使N型信号输入晶体管导通，并且电流在N型晶体管中流动。因此，第一电流镜电路将在N型晶体管中流动的电流放大预定倍数，增加用于反相输出节点的电流驱动能力，并且将反相输出节点迅速变到L电平。当反相输出节点变成L电平时，输出节点变为H电平，通过该变化使P型晶体管(第一电流中断电路)不导通，并且中断从第一电流镜电路提供的电流。因此，即使当降低用于输入信号和反相输入信号的电源电压时，也能高速执行操作。

公开(公告)号：CN1398045A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02126870.3

申请日：2002-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西村英敏 ,  祗园雅弘 ,  生驹平治 ,  野尻尚纪

IPC: H03K19/00 ,  H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/012 ,  H03K3/356113

Abstract: 本发明旨在提供这样的电平移动电路，即使低压信号的电压电平降低时，该电路也可稳定输出经电平变换的信号。为此，在数字信号在N沟道晶体管15、16源极处输入的CMOS电平移动电路中，N沟道晶体管15、16的栅极处被输入偏置电压Vref，该偏置电压Vref，高于数字信号的高电平电压，但低于数字信号的高电平电压加上N沟道晶体管15、16的阈值电压后的值。

公开(公告)号：CN1264276C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200410063601.3

申请日：2004-07-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 祗园雅弘

IPC: H03K3/356

CPC classification number: H03K3/356113

Abstract: 在电平位移电路中，例如，当输入信号IN从L电平变成H电平时，使N型信号输入晶体管导通，并且电流在N型晶体管中流动。因此，第一电流镜电路将在N型晶体管中流动的电流放大预定倍数，增加用于反相输出节点的电流驱动能力，并且将反相输出节点迅速变到L电平。当反相输出节点变成L电平时，输出节点变为H电平，通过该变化使P型晶体管(第一电流中断电路)不导通，并且中断从第一电流镜电路提供的电流。因此，即使当降低用于输入信号和反相输入信号的电源电压时，也能高速执行操作。

公开(公告)号：CN1184743C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN02126870.3

申请日：2002-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西村英敏 ,  祗园雅弘 ,  生驹平治 ,  野尻尚纪

IPC: H03K19/0948 ,  H03K19/00 ,  H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/012 ,  H03K3/356113

Abstract: 本发明旨在提供这样的电平移动电路，即使低压信号的电压电平降低时，该电路也可稳定输出经电平变换的信号。为此，在数字信号在N沟道晶体管15、16源极处输入的CMOS电平移动电路中，N沟道晶体管15、16的栅极处被输入偏置电压Vref，该偏置电压Vref，高于数字信号的高电平电压，但低于数字信号的高电平电压加上N沟道晶体管15、16的阈值电压后的值。本发明提供一种设有第一N沟道晶体管、第二N沟道晶体管、第一P沟道晶体管以及第二P沟道晶体管的CMOS电平移动电路，其中第一N沟道晶体管的衬底电极与第二N沟道晶体管的衬底电极上所加的电压之一或它们二者低于接地电压。

公开(公告)号：CN1433076A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03101695.2

申请日：2003-01-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 祗园雅弘

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H03K3/012

Abstract: 一种电平移动电路，在将输入信号IN或反转输入信号XIN输入到栅极的用于信号输入的N型晶体管(1、2)中，通过用于衬底偏置的P型晶体管(5、6)将所述信号IN或XIN也提供给该衬底。在信号IN或XIN上升变化时，用于信号输入的N型晶体管(1、2)的各阈值电压因衬底偏置效果而下降。因此，即使信号IN或XIN是低电压电平，也能进行高速地动作。另外，如果输出信号OUT或反转输出信号XOUT变化为高电压电平，则所述用于衬底偏置的晶体管(5、6)变为非导通状态，所以在信号变化以外时，不将输入信号IN或反转输入信号XIN提供给用于信号输入的N型晶体管(1、2)的衬底。因此，在这些衬底中始终不会流过贯通电流。