差动开关驱动电路以及电流舵型数字/模拟变换器

    公开(公告)号:CN103620960A

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201180071847.3

    申请日:2011-12-14

    Abstract: 差动开关驱动电路(10)驱动具备各自的一端与电流源(3)连接第1和第2开关元件(1、2)的差动开关电路(4),差动开关驱动电路(10)具备:电流源(5);电流控制电路(6),其具有晶体管对,该晶体管对具有差动输入端子对(A、B)和差动输出端子对(X、Y),并使公共连接部与电流源(5);和负载元件(7、8),其分别与差动输出端子对(X、Y)连接。差动开关驱动电路(10)根据差动输入端子对(A、B)的电压,将输出电压输出给差动输出端子对(X、Y),其中该输出电压具有各个值为大致恒定的2值的稳态状态和在2值间转变的过渡状态。此时,控制流过晶体管对的电流,以使得差动输出电压的稳态状态下流过负载元件(7、8)的电流值之和与过渡状态下流过负载元件(7、8)的电流值之和不同。

    多通道电流相加型DAC
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101501996A

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200780029451.6

    申请日:2007-03-13

    CPC classification number: H03M1/002 H03M1/742

    Abstract: 本发明提供一种电流相加型DAC。在多通道电流相加型DA转换器、例如2通道电流相加型DA转换器中,在其中各通道的电流源矩阵(2a、2b)内分别配置有可成为电流源(Ia、Ib)的电流镜源的基准电流源(Irefa、Irefb)。在工作时,通过控制信号6a、6b来选择处于没有切断电源的通道的电流源矩阵内的基准电流源(Irefa)或(Irefb)进行使用。因此,即使在某个通道被切断了电源的状态下,也能将其他通道的满刻度电流维持为恒定值而不发生变化。

    半导体集成电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1550948A

    公开(公告)日:2004-12-01

    申请号:CN200410043131.4

    申请日:2004-05-13

    CPC classification number: G11C5/147

    Abstract: 本发明的半导体集成电路是具备产生作为基准的电压的基准电压发生电路、使用该输出电压而动作的功能电路,并将使该输出电压稳定的基准电压稳定电容连接到上述基准电压发生电路的输出端子的半导体集成电路,提供一种能够缩短从待机状态到通常动作状态的恢复时间的半导体集成电路。在待机状态下,功能电路停止动作,但基准电压发生电路避免完全停止,防止基准电压稳定电容放电。由此,在降低模拟电路等功能电路的消耗电力的同时,能够实现从待机状态到通常动作状态的高速恢复。

    CMOS半导体集成电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1273437A

    公开(公告)日:2000-11-15

    申请号:CN00107261.7

    申请日:2000-04-30

    CPC classification number: H03K19/00361 H03K19/0016 H03K19/00315

    Abstract: 数字电路部分中的通过双栅极加工工艺而制成的CMOS反相器,备有其栅极由P型多晶硅形成的P沟道场效应晶体管。该P沟道场效应晶体管的源极接在电源上,且该P沟道场效应晶体管的反向栅极直接接在该源极上。当在低功耗模式下上述电源被切断后,P沟道场效应晶体管便处于不起晶体管之作用的状态。为防止该P沟道场效应晶体管的特性在该模式下变坏,而设置了在该模式下,能将该P沟道场效应晶体管的栅极电压固定为0的下拉开关。

    D/A转换器
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100517978C

    公开(公告)日:2009-07-22

    申请号:CN200410049065.1

    申请日:2004-06-11

    CPC classification number: H03M1/108 H03M1/742

    Abstract: 本发明提供一种的D/A转换器,在用于晶片电平老化试验中、用在半导体工艺中可以形成的电阻元件和开关构成输出负载电阻,并内置于D/A转换器中,用控制信号切换上述开关来控制上述电阻元件的使用、不使用。现有的D/A转换器的构成是:为了让使用条件具有通用性而从LSI外部连接输出负载用电阻器、电流值设定用电阻器,进而输入电流值设定用基准电压。当在晶片状态下实施老化试验(晶片电平老化试验)时,由于半导体晶片上的焊盘间隔狭窄等的制约,往往不能在晶片上确保电阻和连接配线的空间,导致D/A转换器的晶片电平老化试验的实施困难。而根据本发明的D/A转换器,不用从外部连接老化试验用的电阻元件等就可以进行晶片电平老化。

Patent Agency Ranking