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公开(公告)号：CN1956308A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610137500.5
申请日：2006-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
CPC classification number: H02M3/157
Abstract: 能够根据系统时钟频率自由地设定时钟周期设定裕量，对于系统时钟频率的变化，能够在短时间内使电源电压会聚为正常动作的最小电源电压而不使内部电路误动作的电源电压控制装置。电源电压控制装置(100)包括对系统时钟以分频比1分频的分频电路(121)、对电压控制振荡电路(110)的输出以分频比2分频的分频电路(122)、对分频电路121和分频电路122的各自的输出信号进行相位比较/频率比较的相位比较器/频率比较器(130)以及控制器(145)内的存储器(142)，根据与系统时钟频率联动的动作模式信号，由控制电路(141)设定各个分频电路(121、122)的分频比。在系统时钟频率变化时，使用控制器(145)内的预置值进行可逆计数器(143)的初始设定和寄存器设定。
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公开(公告)号：CN1948974A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610136112.5
申请日：2006-10-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
IPC: G01R19/165 , G05F3/16
CPC classification number: H03K19/00384
Abstract: 具有任意设定的漏电流检测倍率不取决于电源电压、温度或制造偏差，且易于检测漏电流的漏电流检测电路的半导体集成电路装置以及电子装置。半导体集成电路装置(100)从两个NchMIS晶体管的中间取出稳定的电位Vg2，将以该电位作为栅极电位的NchMOS晶体管Tn5的漏极电流使用电流镜电路(112)放大至任意倍率的电流值，并使该电流值流过其栅极与漏极连接的NchMOS晶体管Tn2，将该NchMOS晶体管Tn2的漏极电位Vg1施加到漏电流检测NchMOS晶体管Tn1的栅极。
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公开(公告)号：CN1576868A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063396.0
申请日：2004-07-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
CPC classification number: G01R31/002 , G01R31/318577
Abstract: 一种能够以高精度和低成本进行半导体集成电路测试的静电耐压测试方法。在这一方法中，在将半导体集成电路100的接地管脚VSS和VSSI之一接地的状态下，将静电从静电放电装置102施加到半导体集成电路100的所有管脚，在此之后，在将电源装置106连接到半导体集成电路100的电源管脚VDD，并将另一方接地的状态下，将漏电电流测试装置116连接于所有信号管脚，并测试管脚漏电电流，而且在将半导体集成电路100的内部电路的接地管脚VSSI接地和将漏电电流测试装置104连接到电源管脚VDDI的状态下，将提供数字信号的图形生成器105连接到信号输入管脚(IN，I/O)，并测试电源漏电电流。
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公开(公告)号：CN1574643A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410034649.1
申请日：2004-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
IPC: H03M1/06
CPC classification number: H03M1/1019 , H03M1/66
Abstract: 在用来测量D/A转换器的DC偏置的比较器的前一级提供输入转换开关，并且在后一级提供极性改变电路。由补偿值产生电路产生第一补偿值，然后将其存储在寄存器中。通过切换输入转换开关和极性改变电路来产生第二补偿值，然后将其存储在寄存器中。通过用补偿值计算电路平均第一和第二补偿值来计算第三补偿值，然后，从主D/A转换器的模拟输出电压中减去通过偏置补偿D/A转换器根据该补偿值获得的模拟输出电压。因此，补偿了D/A转换器的DC偏置。
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公开(公告)号：CN102474263A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036311.3
申请日：2010-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/42
Abstract: 本发明提供一种具备AD变换器的温度检测电路及半导体集成电路。在具备AD变换器的温度检测电路中，在动作开始时暂时使逐次比较型AD变换器(1)动作，由所述AD变换器(1)对来自电压产生电路(BGR1)的具有温度依存性的模拟电压进行AD变换，来确定该数字信号的全部比特。然后，电力控制电路(2)只检测输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器的输出变化，切断输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器以外的比较器的电源供给。因此，即便在利用所述AD变换器来检测如具有温度依存性的模拟电压那样恒定且变化慢的信号的情况下，也能使AD变换器的分辨率不劣化、降低消耗电力且缩短信号处理时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1905192B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610108114.3
申请日：2006-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , G05F1/56 , G01R19/00
CPC classification number: G01R31/2621 , H03K17/302 , H03K17/6872 , H03K2217/0018
Abstract: 半导体集成电路装置能提升漏电流检测电路的检测灵敏度和提高响应。半导体集成电路装置具有衬底电压控制块，将衬底电压提供给内部电路以及控制内部电路的NchMOS晶体管阈值电压，以及漏电流检测电路，由将高电位端电源电压提供给漏极、具有连接到恒流源的源极以及将任何稳定电位施加到栅极，以这种方式，由衬底电压控制块控制衬底电压的漏电流检测NchMOS晶体管和比较漏电流检测NchMOS晶体管的源极电位和预定参考电位的比较器构成。
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公开(公告)号：CN1825602B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610008583.8
申请日：2006-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的在于提供一种半导体装置，包括一个具有以SOI结构绝缘分离的绝缘分离层4的NchMOS晶体管(1)和一个用绝缘膜形成的电容器，减小硅衬底(B)的厚度来减小衬底电容量。NchMOS晶体管(1)具有绝缘分离区域(5a、5b)以使其成为完全耗尽型或近似的部分耗尽型。与NchMOS晶体管(1)的栅极G连接的电极(6)和杂质扩散层(7)，通过电容器(2)相连接。源极(S)与电源端子(3a)连接，栅极(G)与内部信号线(S1)连接，漏极(D)与内部信号线(S2)连接。NchMOS晶体管(1)在导通/截止时，通过电容器耦合来控制衬底偏置电压。
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公开(公告)号：CN101425801A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810182658.3
申请日：2006-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/1203 , H03K19/0016
Abstract: 实现半导体集成电路性能的最佳化以及降低消耗功率的半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路。该半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路中，各个功能电路块(400a至400n)由形成在硅－绝缘体结构的硅衬底上的金属绝缘半导体晶体管构成，并具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位以及N沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位构成的电位组，多个电源布线对所述电位组所包含的各个电位提供电压，控制器(200)决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值，并指示电源控制IC(300)产生所决定的值的电压，电源控制IC(300)基于控制器(200)的指示，分别对所述多个电源布线产生电压。
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公开(公告)号：CN101128929A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200680006243.X
申请日：2006-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L29/786 , H03K17/687 , H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/0948 , H03K17/30
CPC classification number: H01L27/1203 , H03K19/0016
Abstract: 实现半导体集成电路性能的最佳化以及降低消耗功率的半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路。该半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路中，各个功能电路块(400a至400n)由形成在SOI结构的硅衬底上的MIS晶体管构成，并具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道MIS晶体管的衬底电位以及N沟道MIS晶体管的衬底电位构成的电位组，多个电源布线对所述电位组所包含的各个电位提供电压，控制器(200)决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值，并指示电源控制IC(300)产生所决定的值的电压，电源控制IC(300)基于控制器(200)的指示，分别对所述多个电源布线产生电压。
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公开(公告)号：CN1518231A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410005910.5
申请日：2004-01-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
CPC classification number: H03M1/1019 , H03M1/66
Abstract: 在测量D/A转换器30的DC偏移的比较器50前提供输入转接开关40，并且在比较器50后面提供选择性的极性反相器60。通过补偿值产生部分12产生第一补偿值并存储在寄存器18中。接着，切换转接开关40和极性反相器60并产生第二补偿值，将其存储在寄存器20中。然后通过利用平均补偿值计算电路22求取第一和第二补偿值的算术平均值来计算平均补偿值，并使用此平均补偿值来校正所述输入数据。
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