公开(公告)号：CN101425801A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810182658.3

申请日：2006-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔 ,  志村秀吉

IPC: H03K19/00 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H03K19/0016

Abstract: 实现半导体集成电路性能的最佳化以及降低消耗功率的半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路。该半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路中，各个功能电路块(400a至400n)由形成在硅－绝缘体结构的硅衬底上的金属绝缘半导体晶体管构成，并具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位以及N沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位构成的电位组，多个电源布线对所述电位组所包含的各个电位提供电压，控制器(200)决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值，并指示电源控制IC(300)产生所决定的值的电压，电源控制IC(300)基于控制器(200)的指示，分别对所述多个电源布线产生电压。

公开(公告)号：CN101128929A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200680006243.X

申请日：2006-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔 ,  志村秀吉

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L29/786 ,  H03K17/687 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/0185 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0948 ,  H03K17/30

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H03K19/0016

Abstract: 实现半导体集成电路性能的最佳化以及降低消耗功率的半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路。该半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路中，各个功能电路块(400a至400n)由形成在SOI结构的硅衬底上的MIS晶体管构成，并具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道MIS晶体管的衬底电位以及N沟道MIS晶体管的衬底电位构成的电位组，多个电源布线对所述电位组所包含的各个电位提供电压，控制器(200)决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值，并指示电源控制IC(300)产生所决定的值的电压，电源控制IC(300)基于控制器(200)的指示，分别对所述多个电源布线产生电压。

公开(公告)号：CN101425801B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200810182658.3

申请日：2006-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔 ,  志村秀吉

IPC: H03K19/00 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H03K19/0016

Abstract: 实现半导体集成电路性能的最佳化以及降低消耗功率的半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路。该半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路中，各个功能电路块(400a至400n)由形成在硅-绝缘体结构的硅衬底上的金属绝缘半导体晶体管构成，并具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位以及N沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位构成的电位组，多个电源布线对所述电位组所包含的各个电位提供电压，控制器(200)决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值，并指示电源控制IC(300)产生所决定的值的电压，电源控制IC(300)基于控制器(200)的指示，分别对所述多个电源布线产生电压。

公开(公告)号：CN101128929B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200680006243.X

申请日：2006-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤稔 ,  志村秀吉

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L29/786 ,  H03K17/687 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/0185 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0948 ,  H03K17/30

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H03K19/0016

Abstract: 实现半导体集成电路性能的最佳化以及降低消耗功率的半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路。该半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路中，各个功能电路块(400a至400n)由形成在SOI结构的硅衬底上的MIS晶体管构成，并具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道MIS晶体管的衬底电位以及N沟道MIS晶体管的衬底电位构成的电位组，多个电源布线对所述电位组所包含的各个电位提供电压，控制器(200)决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值，并指示电源控制IC(300)产生所决定的值的电压，电源控制IC(300)基于控制器(200)的指示，分别对所述多个电源布线产生电压。