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公开(公告)号：CN1957449A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016541.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 中川彻
IPC: H01L21/306 , H01L29/786 , H01L21/3205 , C23F1/02 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H05K3/061 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23F1/02 , G03F7/0002 , H01L21/32139 , H01L51/0022 , H05K2203/013
Abstract: 本发明的制造方法包括将选自由用以下的[式1]表示的分子及用以下的[式2]表示的分子构成的组中的至少一种分子溶解了的溶液(12)配置于导电膜(13)上，由此在导电膜(13)的一部分形成所述至少一种分子的分子膜(16)的工序。[式1]CF3(CF2)n(CH2)mSH[n是处于3～7这一范围的自然数，m是处于8～18这一范围的自然数]。[式2]CF3(CF2)p(CH2)qSS(CH2)q′(CF2)p′CF3[p及p’分别是独立地处于3～7这一范围的自然数，q及q’分别是独立地处于8～18这一范围的自然数]。接着，使导电膜(13)与导电膜(13)的蚀刻液接触，由此除去未形成分子膜(16)的部分的导电膜(13)。于是，形成导电性图案(17)。
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公开(公告)号：CN1839045A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200580000759.9
申请日：2005-03-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/04586 , B41J2/01 , B41J2/04556
Abstract: 提供液滴配置装置及液滴配置方法。液滴配置装置具有：喷墨头(1)；基板(13)，接受从喷墨头(1)吐出的液滴(2)；从喷墨头(1)的喷嘴孔或其周边向基板(13)照射或反射光的装置；位置移动装置(10)，控制喷墨头(1)与基板(13)的相对位置；控制装置(9)，吐出来自喷墨头(1)的液体；将识别喷墨头(1)的位置的受光元件(6)配置在从喷墨头(1)观察时的基板(13)的后方；基板(13)至少具有使从喷嘴孔或其周边向基板(13)的照射光或反射光进入到受光元件(6)中的程度的透明度；受光元件(6)检测从喷嘴孔或其周边向基板(13)的照射光或反射光。由此，即使喷墨头与基板的距离较短也能够正确地调整喷墨头与基板的相对位置。
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公开(公告)号：CN1269288A
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：CN00105534.8
申请日：2000-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1606 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1645
Abstract: 一种墨水喷射头的制造方法,是将溶解了作为硅氧化物的前身的甲氧基硅烷或乙氧基硅烷化合物与含氟化碳链的乙氧基硅烷或甲氧基硅烷化合物的涂层液涂布在厚度20μm的SUS制基材表面。然后,在室温下干燥该基材1小时后,在200℃温度下烧成30分钟,形成在硅氧化物上含结合了氟烷基链的分子厚度为10nm－1000nm的防水性薄膜。然后从基材的里面一侧利用放电工形成喷嘴孔。
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公开(公告)号：CN1192458A
公开(公告)日：1998-09-09
申请号：CN97126413.9
申请日：1997-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/283 , B05D3/0486 , B82Y40/00
Abstract: 采用由至少一种硅烷系化合物和溶剂构成的溶液与基材通过硅烷系化合物形成硅氧烷键在基材上形成膜厚度为0.1纳米—1微米的分子膜。在表面上有活性氢的基材(2)的表面上涂覆含有例如氯硅烷系化合物的涂覆溶液,在基材表面的活性氢和上述硅烷系化合物的氯之间发生脱除氯化氢的反应,在基材表面上制备共价键硅烷系化合物的分子膜的方法,在保持低水蒸气浓度的气氛状态下的展开槽(11)内,送入上述基材,使用转印装置(6,7),在上述基材表面上涂覆含有硅烷系化合物和溶剂的涂覆溶液,在上述基材表面的活性氢和上述硅烷系化合物的氯之间进行脱除氯化氢的反应,之后在展开槽内或在外除去上述涂覆之后未反应的涂覆溶液。
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公开(公告)号：CN103168368A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180049688.7
申请日：2011-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/052
CPC classification number: H01L31/0693 , H01L31/0543 , H01L31/0687 , Y02E10/52 , Y02E10/544
Abstract: 一种利用太阳能电池产生电力的方法，具有下面的工序（a）和工序（b）。工序（a）准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的上述太阳能电池。在此，太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、隧道效应层、n型InGaP层、p型InGaP层、p型窗口层、n侧电极以及p侧电极，Z方向为上述p型GaAs层的法线方向，X方向为与Z方向正交的方向。n型GaAs层被分割为GaAs中央部、第一GaAs周边部以及第二GaAs周边部，n型InGaP层被分割为InGaP中央部、第一InGaP周边部以及第二InGaP周边部。层的厚度、宽度满足规定的不等式组（I）。工序（b）以满足以下不等式（II）的方式经由聚光透镜，使光照射于包含在p型窗口层的表面的区域（S），在n侧电极与p侧电极之间产生电位差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100499047C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200580014055.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 中川彻
IPC: H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L21/312
CPC classification number: H01L51/0036 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0055 , H01L51/052 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的场效应晶体管的制造方法包括：涂敷含有溶剂(13)和溶解于溶剂(13)的第一及第二有机分子(11)及(12)的涂液(20)的工序；和通过除去涂敷后的涂液(20)中的溶剂(13)，形成以第一有机分子(11)为主成分的第一层、和与第一层邻接且以第二有机分子(12)为主成分的第二层的工序。第一有机分子(11)是半导体材料或半导体材料的前体，第二有机分子(12)是绝缘体材料或绝缘体材料的前体。第一有机分子(11)和第二有机分子(12)相互没有相容性。
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公开(公告)号：CN100488777C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200580000759.9
申请日：2005-03-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/04586 , B41J2/01 , B41J2/04556
Abstract: 提供液滴配置装置及液滴配置方法。液滴配置装置具有：喷墨头(1)；基板(13)，接受从喷墨头(1)吐出的液滴(2)；从喷墨头(1)的喷嘴孔或其周边向基板(13)照射或反射光的装置；位置移动装置(10)，控制喷墨头(1)与基板(13)的相对位置；控制装置(9)，吐出来自喷墨头(1)的液体；将识别喷墨头(1)的位置的受光元件(6)配置在从喷墨头(1)观察时的基板(13)的后方；基板(13)至少具有使从喷嘴孔或其周边向基板(13)的照射光或反射光进入到受光元件(6)中的程度的透明度；受光元件(6)检测从喷嘴孔或其周边向基板(13)的照射光或反射光。由此，即使喷墨头与基板的距离较短也能够正确地调整喷墨头与基板的相对位置。
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公开(公告)号：CN101371335A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780003085.7
申请日：2007-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法。在用于制造半导体小片的本发明的方法中，首先，通过将牺牲层(11)和半导体层(12)以该顺序反复层叠在基板(10)上，在基板(10)上形成两层以上的半导体层(12)。接着，通过对牺牲层(11)和半导体层(12)的一部分进行蚀刻，将半导体层(12)分割成多个小片。接着，通过除去牺牲层(11)，将该小片从基板分离。
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公开(公告)号：CN101310373A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680042834.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/52 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/67144 , H01L24/75 , H01L24/95 , H01L25/0655 , H01L2224/2919 , H01L2224/83136 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/95085 , H01L2224/95102 , H01L2224/95146 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/49155 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的装配方法包括：(A)在基板(1)的一主面上所设置的第一区域(11)配置第一液体(2)的工序；(B)使含有第二液体(3)和至少一个部件(4)的部件含有液(5)，与配置于第一区域(11)的第一液体(2)接触的工序；(C)从一主面除去第一液体(2)以及第二液体(3)，从而把部件(4)配置于第一区域(11)的工序。第一液体(2)与第二液体(3)不发生实质性溶解。第一液体(2)相对部件(4)表面的润湿性，比第二液体(3)相对部件(4)表面的润湿性高。
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公开(公告)号：CN100424831C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200580016541.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 中川彻
IPC: H01L21/306 , H01L29/786 , H01L21/3205 , C23F1/02 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H05K3/061 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23F1/02 , G03F7/0002 , H01L21/32139 , H01L51/0022 , H05K2203/013
Abstract: 本发明的制造方法包括将选自由用以下的[式1]表示的分子及用以下的[式2]表示的分子构成的组中的至少一种分子溶解了的溶液(12)配置于导电膜(13)上，由此在导电膜(13)的一部分形成所述至少一种分子的分子膜(16)的工序。[式1]CF3(CF2)n(CH2)mSH[n是处于3～7这一范围的自然数，m是处于8～18这一范围的自然数]。[式2]CF3(CF2)p(CH2)qSS(CH2)q′(CF2)p′CF3[p及p’分别是独立地处于3～7这一范围的自然数，q及q’分别是独立地处于8～18这一范围的自然数]。接着，使导电膜(13)与导电膜(13)的蚀刻液接触，由此除去未形成分子膜(16)的部分的导电膜(13)。于是，形成导电性图案(17)。
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