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公开(公告)号：CN105702721B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610251263.9
申请日：2016-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管，由顶部栅电极、底部栅电极、源电极、漏电极、p型重掺杂pocket区、沟道区、第一n型重掺杂区、第二n型重掺杂区、第一高K栅介质材料、第二高K栅介质材料、二氧化硅氧化层组成。本发明利用非对称栅极结构将隧穿器件陡峭的亚阈值摆幅和无结器件的较大开态电流优点相结合，当该新器件工作在亚阈值区时主要是无结器件工作，这样可以拥有更好的亚阈值特性，比如陡峭的亚阈值摆幅，而在开态时主要是无结器件工作，这样可以拥有更大的驱动电流。综合两种状态的变化，新型器件可以有效地提高器件的基本电学特性。
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公开(公告)号：CN105679821B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610250456.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管,由栅极、源区、漏区、第一沟道区、第二沟道区、栅介质层、第一隔离层、第二隔离层以及埋氧层；其中，所述栅极与栅介质层位于沟道区之上位置，栅极两侧为隔离层。该新结构具有一个超薄的沟道这样可以增强栅极和沟道的耦合，从而增强栅极的控制能力进而增加器件的隧穿电流。该结构的另一个特征就是将沟道的本征区(低掺杂区)延伸到了漏极区。总之，该结构器件相对于传统的隧穿晶体管在亚阈值摆幅、开关电流比等电学特性以及稳定性方面都有较明显改善。
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公开(公告)号：CN106783900A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611094845.7
申请日：2016-12-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14607
Abstract: 本发明公开了一种SOI像素探测器结构，由一种SOI像素探测器结构，包括低阻硅层、埋氧层、栅氧化层、高阻n型衬底、埋p阱、埋n阱、p型探测阱、埋n阱引出电极、传输门电极、p型探测阱读出电极和背部电极组成；其中，低阻硅层(电路层)与高阻n型衬底由埋氧层隔开；埋n阱被更加深的埋p阱包围，整个高阻n型衬底耗尽形成电荷灵敏区。该结构埋n阱连接一个适当的电压可以屏蔽衬底电压对电路层的影响；较大的埋p阱形成一个大的电荷收集和储存区域，而较小的p型探测阱作为探测区，与读出电极相连，从而降低SOI像素探测器敏感节点电容。
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公开(公告)号：CN105826391A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610332888.8
申请日：2016-05-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/4232 , H01L29/42356
Abstract: 本发明公开了一种新型非对称双栅无结场效应晶体管，包括顶部栅极、底部栅极、源区、漏区、栅介质层、沟道重叠区、沟道非重叠区；其中，所述顶部栅极与底部栅极位于沟道上下位置，并且为非对称结构；顶部栅极与底部栅极存在重叠区域沟道重叠区；沟道重叠区位于沟道非重叠区之间，源区、漏区位于沟道非重叠区的两侧，顶部栅极与沟道之间、底部栅极与沟道之间分别设有栅介质层。本发明利用非对称栅极结构，在器件开启时可以拥有更小的沟道长度，而在关闭时拥有较长的沟道长度。这样的结构特点可以保证新型器件在关闭时拥有更好的关闭电流，以及更大的栅极控制能力。而在器件开启时，保证器件拥有更大的开启电流。
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公开(公告)号：CN110729353B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201910954352.3
申请日：2019-10-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/51 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开一种碳化硅功率器件AlON/Al2O3堆叠栅介质，所述电容结构包括：SiC衬底、堆叠栅介质层和正负金属电极；在所述SiC衬底层上设有SiC外延层；所述堆叠栅介质层包括Al2O3过渡层和AlON介质层；所述SiC外延层上设有所述Al2O3过渡层，所述Al2O3过渡层上设有所述AlON介质层；所述正负电极分别从所述AlON介质层的表面和所述SiC衬底的背面连接。本发明与应用厚度为50nm的SiO2介质层的常规器件比较，可以提高栅介质的临界击穿电场，提高了器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115117053A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210799050.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种平面栅功率MOSFET抗单粒子烧毁器件及制备方法，本发明在半导体功率器件的颈区金属电极下方设有集成二极管；在源(阳)极区域刻蚀一个深沟槽并形成金属电极；N+源区与P‑body区之间形成源极缓冲层。采用本发明的技术方案，可以大大提高了对重离子入射产生的电子‑空穴对的吸收效率，使寄生BJT难以导通；同时可降低器件内部电流密度，从而降低因电流热效应而产生的热量，能够在不牺牲基础电学特性的前提下显著提高器件的抗单粒子烧毁能力。
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公开(公告)号：CN115084281A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210724652.4
申请日：2022-06-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开一种具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法，包括：N+衬底层；N型不同浓度多缓冲层，位于N+衬底层上；P型区，包括：P+区和P‑缓冲层，P‑缓冲层位于P+区下方；N型场截止层，位于P‑缓冲层下方；N‑漂移区，包括位于N型场截止层之上的第二N‑漂移区和位于N型多缓冲层之上的第一N‑漂移区；沟槽，位于P+区上方，沟槽内部填充金属。采用本发明的技术方案，当重离子入射时，可以大大降低肖特基接触表面和N‑/N+同质结处的电场峰值、载流子碰撞电离产生率和瞬态电流，从而降低器件表面和内部的晶格温度，使器件的单粒子烧毁安全工作区得到显著提高。
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公开(公告)号：CN111146274B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010002975.3
申请日：2020-01-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种碳化硅沟槽IGBT结构，包括N‑漂移区、N‑型缓冲层、P型阱区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+沟槽集电极区、沟槽集电极、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层；本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极增加沟槽集电极，并且在沟槽集电极上方加入P+沟槽集电极，由于新器件P+沟槽集电极区上方没有N+缓冲层，增强了正向导通时的空穴注入效率，使得新器件开启电压降低；新器件关断时，沟槽集电极提供了低电阻通道，加快了电子的抽取，进一步降低了关断损耗。
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公开(公告)号：CN113191104A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110562706.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/33 , G06F30/337
Abstract: 本发明公开一种SiC MOSFET SPICE行为模型构建方法和装置，包括：步骤1、采用沟道电流模型Ids表征SiC MOSFET内核；步骤2、采用受控源对非线性栅漏电容Cgd的电流进行建模，将SiC MOSFET内核的非线性栅漏电容Cgd的电流作为非线性栅漏电容Cgd微分环节和随电压非线性变化的函数f(V)的乘积；步骤3、将SiC MOSFET内核的非线性漏源电容Cds表征为压控电流源GD、导通电阻RD和结电容CJ；采用GD和RD定义二极管的静态特性，采用CJ描述二极管的动态特性。采用本发明的技术方案，可对SiC MOSFET中非线性元器件的等效电路精确描述。
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公开(公告)号：CN112951915A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110108176.9
申请日：2021-01-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法，在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构；在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极；所述颈区的下方设有集成晶体管；在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层。采用本发明的技术方案，可以大大降低半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离、减少因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量；同时使器件内的电流密度大幅降低，从而降低因电流热效应而产生的热量，使器件的SEB安全工作电压得到了显著提高。
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