公开(公告)号：CN110729353B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201910954352.3

申请日：2019-10-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  隋金池 ,  曹菲 ,  包梦恬 ,  于成浩

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开一种碳化硅功率器件AlON/Al2O3堆叠栅介质，所述电容结构包括：SiC衬底、堆叠栅介质层和正负金属电极；在所述SiC衬底层上设有SiC外延层；所述堆叠栅介质层包括Al2O3过渡层和AlON介质层；所述SiC外延层上设有所述Al2O3过渡层，所述Al2O3过渡层上设有所述AlON介质层；所述正负电极分别从所述AlON介质层的表面和所述SiC衬底的背面连接。本发明与应用厚度为50nm的SiO2介质层的常规器件比较，可以提高栅介质的临界击穿电场，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN110854188A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911045135.9

申请日：2019-10-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  隋金池 ,  曹菲 ,  于成浩

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明涉及一种低温形成P型SiC欧姆接触结构及制造方法，现有技术中形成欧姆接触过程中高的退火温度导致粗糙的欧姆接触表面并降低了栅极氧化物层的电容，本发明具体包括选取SiC外延衬底；利用磁控溅射工艺在所述衬底表面依次淀积Ni金属层、Si层和Al金属层；快速退火处理以形成所述P型SiC欧姆接触的结构的制作。本发明提供的P型SiC欧姆接触形成温度较低，提高了器件的可靠性，为器件工艺提供有利条件。

公开(公告)号：CN110729353A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910954352.3

申请日：2019-10-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  隋金池 ,  曹菲 ,  包梦恬 ,  于成浩

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开一种碳化硅功率器件AlON/Al2O3堆叠栅介质，所述电容结构包括：SiC衬底、堆叠栅介质层和正负金属电极；在所述SiC衬底层上设有SiC外延层；所述堆叠栅介质层包括Al2O3过渡层和AlON介质层；所述SiC外延层上设有所述Al2O3过渡层，所述Al2O3过渡层上设有所述AlON介质层；所述正负电极分别从所述AlON介质层的表面和所述SiC衬底的背面连接。本发明与应用厚度为50nm的SiO2介质层的常规器件比较，可以提高栅介质的临界击穿电场，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN110854189A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911057075.2

申请日：2019-10-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  隋金池 ,  曹菲 ,  包梦恬

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明涉及一种P型碳化硅欧姆接触结构及制造方法，包括：选取SiC外延衬底；利用磁控溅射工艺在所述衬底表面依次淀积Cu金属层、Ti金属层和Al金属层；快速退火处理以形成所述P型碳化硅欧姆接触的结构的制作。本发明提供的P型碳化硅欧姆接触结构中应用Cu金属材料，可以与烧结铜的功率元件压接封装技术结合，欧姆接触和封装均应用Cu金属，热膨胀系数一致，更具有应用性，从而有利于提高器件可靠性；并且可以节省工艺成本。