公开(公告)号：CN112658272A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011490604.0

申请日：2020-12-16

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张雪峰 ,  刘先国 ,  李宏艳 ,  孙玉萍 ,  李忠 ,  李红霞

IPC: B22F9/14 ,  B22F9/08

Abstract: 本发明涉及气雾化制粉技术领域，尤其涉及一种高冷却梯度等离子电弧‑气雾化复合制粉装置及方法，所述装置包括依次连接的真空熔炼系统、等离子电弧‑气雾化复合系统、高冷却梯度系统和粉末收集室；所述真空熔炼系统包括真空熔炼室，高频熔炼线圈、熔炼坩埚、第一真空系统、第一保护气氛气路和第一冷却系统；所述等离子电弧‑气雾化复合系统包括雾化室，高压非氧化气路、气雾化喷嘴、电极枪、真空系统、第二保护气氛气路、Ar气路和第二冷却系统。本发明高冷却梯度系统有利于粉末快速凝固，控制晶粒和粉末长大，实现小尺寸快速凝固，抑制缓慢凝固过程中颗粒表面凹凸不平、表面卫星颗粒和小毛刺等问题。

公开(公告)号：CN108746600A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810386613.1

申请日：2018-04-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘先国 ,  余洁意 ,  孙玉萍

IPC: B22F1/02 ,  B22F9/14 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: B22F1/0018 ,  B22F1/0044 ,  B22F1/02 ,  B22F9/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及材料制备技技术领域，尤其涉及一种Mn纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于，所述Mn纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Mn纳米点嵌入BN纳米球。所述BN纳米球的粒径为150～300nm，所述Mn纳米点的粒径为1～3nm。本发明首次制备出了Mn纳米点@BN纳米球复合物；本发明制备过程条件简单，易于控制，为Mn纳米点@BN纳米球复合物的实际应用提供了条件；本发明的Mn纳米点@BN纳米球复合物，由于Mn纳米点和BN纳米球构成了良好的电磁匹配，在2～18GHz频率范围内具有优秀的电磁吸收能力，使Mn纳米点@BN纳米球复合物成为2～18GHz范围内电磁吸收强有力的候选材料。

公开(公告)号：CN108746598A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810385179.5

申请日：2018-04-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘先国 ,  余洁意 ,  孙玉萍

IPC: B22F1/02 ,  B22F9/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B22F1/0018 ,  B22F1/0044 ,  B22F1/02 ,  B22F9/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域。本发明提供一种Fe纳米点@BN纳米球复合物及其制备方法，该复合物微观结构为Fe纳米点嵌入BN纳米球中。本发明还公开了一种Fe纳米点@BN纳米球复合物的制备方法，其采用等离子电弧放电法，将铁粉和硼粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料，采用钨作为阴极材料，引用氩气和氮气作为工作气体，在阳极周围放置液氮冷却壁，阴极钨电极与阳极铁‑硼粉末块体之间保持一定距离，阳极与阴极之间起电弧放电，在液氮冷却壁上即得Fe纳米点@BN纳米球复合物，用该纳米复合物制得的吸波涂层在2~18GHz范围内具有良好的电磁吸收性能。本发明制备过程简单、无后处理工序及成本低，易于实现工业化生产。