-
公开(公告)号：CN112705207A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011644035.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B01J23/80 , B01J23/34 , B01J23/66 , B01J23/06 , B01J37/08 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/36
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，针对金属单原子合成方法操作复杂、金属种类有限的问题，提供一种可调控金属单原子掺杂多孔碳的制备方法，先将硝酸锌、2‑甲基咪唑和金属盐溶于甲醇中，搅拌均匀获得金属‑沸石咪唑酯骨架化合物；于惰性气体气氛中煅烧，冷却至室温，获得金属掺杂的多孔碳复合材料；用酸性溶液洗涤，烘干得金属单原子掺杂多孔碳复合材料。成本低廉、制备简单，在合成过程中对金属掺杂的多孔碳材料的金属种类、浓度、比例进行原位调控。本发明还提供上述可调控金属单原子掺杂多孔碳在微波催化中的应用，该催化剂在微波辐射下具有更高的加热速率、高选择性、降低活化能和出色的可控性等优点。
-
公开(公告)号：CN108746600A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810386613.1
申请日：2018-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B22F1/0018 , B22F1/0044 , B22F1/02 , B22F9/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及材料制备技技术领域，尤其涉及一种Mn纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于，所述Mn纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Mn纳米点嵌入BN纳米球。所述BN纳米球的粒径为150～300nm，所述Mn纳米点的粒径为1～3nm。本发明首次制备出了Mn纳米点@BN纳米球复合物；本发明制备过程条件简单，易于控制，为Mn纳米点@BN纳米球复合物的实际应用提供了条件；本发明的Mn纳米点@BN纳米球复合物，由于Mn纳米点和BN纳米球构成了良好的电磁匹配，在2～18GHz频率范围内具有优秀的电磁吸收能力，使Mn纳米点@BN纳米球复合物成为2～18GHz范围内电磁吸收强有力的候选材料。
-
公开(公告)号：CN108746598A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810385179.5
申请日：2018-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B22F1/0018 , B22F1/0044 , B22F1/02 , B22F9/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域。本发明提供一种Fe纳米点@BN纳米球复合物及其制备方法，该复合物微观结构为Fe纳米点嵌入BN纳米球中。本发明还公开了一种Fe纳米点@BN纳米球复合物的制备方法，其采用等离子电弧放电法，将铁粉和硼粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料，采用钨作为阴极材料，引用氩气和氮气作为工作气体，在阳极周围放置液氮冷却壁，阴极钨电极与阳极铁‑硼粉末块体之间保持一定距离，阳极与阴极之间起电弧放电，在液氮冷却壁上即得Fe纳米点@BN纳米球复合物，用该纳米复合物制得的吸波涂层在2~18GHz范围内具有良好的电磁吸收性能。本发明制备过程简单、无后处理工序及成本低，易于实现工业化生产。
-
公开(公告)号：CN108714690A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810385237.4
申请日：2018-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及材料制备技技术领域，尤其涉及一种Ni纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于，所述Ni纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Ni纳米点嵌入BN纳米球。所述BN纳米球的粒径为150～300nm，所述Ni纳米点的粒径为1～3nm。本发明首次制备出了Ni纳米点@BN纳米球复合物；本发明制备过程条件简单，易于控制，为Ni纳米点@BN纳米球复合物的实际应用提供了条件；本发明的Ni纳米点@BN纳米球复合物，由于Ni纳米点和BN纳米球构成了良好的电磁匹配，在2～18GHz频率范围内具有优秀的电磁吸收能力，使Ni纳米点@BN纳米球复合物成为2～18GHz范围内电磁吸收强有力的候选材料。
-
公开(公告)号：CN108672713A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810385897.2
申请日：2018-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B22F9/14 , B22F1/0018 , B22F1/0048 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H05K9/0081
Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域。本发明公开了一种Ag纳米点@BN纳米球复合物，该复合物微观结构为Ag纳米点嵌入BN纳米球中；本发明还公开了一种Ag纳米点@BN纳米球复合物的制备方法，采用等离子电弧放电法，将银粉和硼粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料，采用钨作为阴极材料，引用氩气和氮气作为工作气体，在阳极周围放置液氮冷却壁，阴极钨电极与阳极银‑硼粉末块体之间保持一定距离，阳极与阴极之间起电弧放电，在液氮冷却壁上即得Ag纳米点@BN纳米球复合物，用该纳米复合物制得的吸波涂层在2~18GHz范围内具有良好的电磁吸收性能。本发明制备过程简单、无后处理工序及成本低，易于实现工业化生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111203249A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910882045.9
申请日：2019-09-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B01J27/22 , B01J35/02 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明涉及纳米材料制备技术及其应用领域，针对采用碳热还原和直接炭化法制备的碳包覆过渡金属碳化物成分复杂，含有未反应的碳和相应金属或金属氧化物的问题，提供一种石墨烯包覆过渡金属碳化物纳米胶囊的制备方法，将过渡金属块放在直流电弧氢等离子体设备上，通入氢气、惰性气体和含碳元素气体使腔体总气压达0.005 Pa~9.5×104帕；接通电源形成稳定电弧，蒸发过渡金属块；冷却后引入少量空气钝化处理。本方法一步制得石墨烯包覆过渡金属碳化物纳米胶囊，过程简单，可规模化制备；制备过程中通过调控气氛进行原位形貌调控，产物纯净。本发明还提供了石墨烯包覆过渡金属碳化物纳米胶囊在微波催化领域的应用，反应时间短。
-
公开(公告)号：CN108746650A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810385178.0
申请日：2018-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B22F9/14 , B22F1/0018 , B22F1/0044 , B22F1/0048 , B22F1/02 , B22F2001/0037 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及材料制备技技术领域，尤其涉及一种Mg纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于，所述Mg纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Mg纳米点嵌入BN纳米球。所述BN纳米球的粒径为150～300nm，所述Mg纳米点的粒径为1～3nm。本发明首次制备出了Mg纳米点@BN纳米球复合物；本发明制备过程条件简单，易于控制，为Mg纳米点@BN纳米球复合物的实际应用提供了条件；本发明的Mg纳米点@BN纳米球复合物，由于Mg纳米点和BN纳米球构成了良好的电磁匹配，在2～18GHz频率范围内具有优秀的电磁吸收能力，使Mg纳米点@BN纳米球复合物成为2～18GHz范围内电磁吸收强有力的候选材料。
-
公开(公告)号：CN108746601A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810386614.6
申请日：2018-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B22F1/0018 , B22F1/0044 , B22F1/02 , B22F9/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及材料制备技技术领域，尤其涉及一种Mo纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于，所述Mo纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Mo纳米点嵌入BN纳米球。所述BN纳米球的粒径为150～300nm，所述Mo纳米点的粒径为1～3nm。本发明首次制备出了Mo纳米点@BN纳米球复合物；本发明制备过程条件简单，易于控制，为Mo纳米点@BN纳米球复合物的实际应用提供了条件；本发明的Mo纳米点@BN纳米球复合物，由于Mo纳米点和BN纳米球构成了良好的电磁匹配，在2～18GHz频率范围内具有优秀的电磁吸收能力，使Mo纳米点@BN纳米球复合物成为2～18GHz范围内电磁吸收强有力的候选材料。
-
公开(公告)号：CN108746599A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810386583.4
申请日：2018-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B22F1/0018 , B22F1/0044 , B22F1/02 , B22F9/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及材料制备技术领域，公开了一种Ti纳米点@BN纳米球复合物及其应用。该Ti纳米点@BN纳米球复合物包括BN纳米球和Ti纳米点，所述Ti纳米点嵌入BN纳米球中，使用等离子体电弧法制备而成。本发明金属纳米材料在BN中分布均匀，有效发挥纳米材料的尺寸效应和界面效应。
-
公开(公告)号：CN108714691A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810386624.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域。本发明公开一种Cr纳米点@BN纳米球复合物，该复合物微观结构为Cr纳米点嵌入BN纳米球中；本发明还公开了一种Cr纳米点@BN纳米球复合物的制备方法，其采用等离子电弧放电法，将铬粉和硼粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料，采用钨作为阴极材料，引用氩气和氮气作为工作气体，在阳极周围放置液氮冷却壁，阴极钨电极与阳极铬-硼粉末块体之间保持一定距离，阳极与阴极之间起电弧放电，在液氮冷却壁上即得Cr纳米点@BN纳米球复合物，用该纳米复合物制得的吸波涂层在2~18GHz范围内具有良好的电磁吸收性能。本发明制备过程简单、无后处理工序及成本低，易于实现工业化生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.021 seconds)
