公开(公告)号：CN112658272B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202011490604.0

申请日：2020-12-16

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张雪峰 ,  刘先国 ,  李宏艳 ,  孙玉萍 ,  李忠 ,  李红霞

IPC: B22F9/14 ,  B22F9/08

Abstract: 本发明涉及气雾化制粉技术领域，尤其涉及一种高冷却梯度等离子电弧‑气雾化复合制粉装置及方法，所述装置包括依次连接的真空熔炼系统、等离子电弧‑气雾化复合系统、高冷却梯度系统和粉末收集室；所述真空熔炼系统包括真空熔炼室，高频熔炼线圈、熔炼坩埚、第一真空系统、第一保护气氛气路和第一冷却系统；所述等离子电弧‑气雾化复合系统包括雾化室，高压非氧化气路、气雾化喷嘴、电极枪、真空系统、第二保护气氛气路、Ar气路和第二冷却系统。本发明高冷却梯度系统有利于粉末快速凝固，控制晶粒和粉末长大，实现小尺寸快速凝固，抑制缓慢凝固过程中颗粒表面凹凸不平、表面卫星颗粒和小毛刺等问题。

公开(公告)号：CN112658272A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011490604.0

申请日：2020-12-16

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张雪峰 ,  刘先国 ,  李宏艳 ,  孙玉萍 ,  李忠 ,  李红霞

IPC: B22F9/14 ,  B22F9/08

Abstract: 本发明涉及气雾化制粉技术领域，尤其涉及一种高冷却梯度等离子电弧‑气雾化复合制粉装置及方法，所述装置包括依次连接的真空熔炼系统、等离子电弧‑气雾化复合系统、高冷却梯度系统和粉末收集室；所述真空熔炼系统包括真空熔炼室，高频熔炼线圈、熔炼坩埚、第一真空系统、第一保护气氛气路和第一冷却系统；所述等离子电弧‑气雾化复合系统包括雾化室，高压非氧化气路、气雾化喷嘴、电极枪、真空系统、第二保护气氛气路、Ar气路和第二冷却系统。本发明高冷却梯度系统有利于粉末快速凝固，控制晶粒和粉末长大，实现小尺寸快速凝固，抑制缓慢凝固过程中颗粒表面凹凸不平、表面卫星颗粒和小毛刺等问题。