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公开(公告)号：CN114162849A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111491942.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G5/00
Abstract: 本发明公开了一种硫化银纳米材料及气敏器件的制备方法，本发明以碘化银、氢碘酸、异丙醇胺、氢氧化钾为原料，制备出银离子溶液，然后以硫脲和PVP的溶液为硫源，两者混合后最终制备出一种具有三维空间结构的纳米硫化银材料。本发明在硫化银表面修饰聚乙烯吡咯烷酮，该材料对水汽、乙醇的吸附性能好，复合PVP后，硫化银水汽、乙醇探测灵敏度提高。本发明制备的探测器件，不同于通常气敏传感器，灵敏度在表面湿度达到一定值后会断崖式陡降，出现一个阶跃信号，这对器件信号获取和处理是有益的，利用这种性质，实现对水汽、乙醇浓度的准确、快速探测，而通常气敏传感器不出现阶跃信号。
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公开(公告)号：CN113322393B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110593651.6
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铜‑磷化亚铜低共熔混合物的制备方法，本发明采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后在高温中加热表面生长有磷化亚铜的铜箔，使之形成液态熔融物；之后冷却液态熔融物冷却获得铜‑磷化亚铜低共熔混合物复合材料。本发明具有不同于一般磷化亚铜‑铜复合材料的特性，比如强度大、电导。
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公开(公告)号：CN113322393A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110593651.6
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铜‑磷化亚铜低共熔混合物的制备方法，本发明采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后在高温中加热表面生长有磷化亚铜的铜箔，使之形成液态熔融物；之后冷却液态熔融物冷却获得铜‑磷化亚铜低共熔混合物复合材料。本发明具有不同于一般磷化亚铜‑铜复合材料的特性，比如强度大、电导。
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公开(公告)号：CN113136641A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110275151.8
申请日：2021-03-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼掺杂剂，苯甲醚作为非晶碳源，铜纤维为生长基底，通过气相法在基底上制备出氮、硼掺杂非晶碳纤维膜，纤维膜厚度从数纳米厚度到100纳米。表面生长有碳纤维膜的铜纤维，经过氯化铁溶解去除后，制备成氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜。本发明以氮、硼为掺杂剂，氮、硼原子的引入，易于非晶碳在铜纤维表面的异质成核；苯甲醚作为碳源，苯甲醚中的氧原子高温下对铜氧化刻蚀，在还原性气体氢的作用下，铜纤维表面粗糙度增加促进非晶碳的生长。制备的氮、硼掺杂非晶碳中空纤维，膜厚度可控、尺寸均匀、膜连续无气孔且表面粗糙度小。
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公开(公告)号：CN109950356B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910151450.3
申请日：2019-02-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种基于铯铅碘光电探测器及制备方法，从下到上依次为衬底层、第一电极层、钙钛矿铯铅碘光敏层、第二电极层、器件保护层；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层厚度10‑22纳米；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层从下到上依次为第一碘化铅层、第一钙钛矿铯铅碘CsPbI3光敏层、碘化铯、第二钙钛矿铯铅碘CsPbI3光敏层、第二碘化铅层；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层采用化学气相沉积法制备。本发明中采用化学气相沉积法交替沉积碘化铯和碘化铅，碘化铯和碘化铅从界面处发生化学反应生成钙钛矿铯铅碘薄膜层，形成三明治结构，这种结构有利于提高钙钛矿铯铅碘薄膜的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110828309A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910596829.5
申请日：2019-07-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种二维材料刻蚀氧化硅，本发明先将二维材料通过化学气相沉积法直接生长或先在生长基底表面化学气相沉积法生长然后通过转移法转移至氧化硅表面；然后将其浸入氢氧化钾水溶液中，取出，之后用水清洗干净，获得表面转移有二维图案形貌的氧化硅。本发明方法通过二维材料催化促进碱液对氧化硅的刻蚀，刻蚀过程中没有氢氟酸这类毒性强的试剂参与，刻蚀过程环保；同时利用该发明可以实现二维材料单晶形貌向氧化硅基底的转移，方法简单、方便和可操作性强。
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公开(公告)号：CN109950356A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910151450.3
申请日：2019-02-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种基于铯铅碘光电探测器及制备方法，从下到上依次为衬底层、第一电极层、钙钛矿铯铅碘光敏层、第二电极层、器件保护层；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层厚度10-22纳米；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层从下到上依次为第一碘化铅层、第一钙钛矿铯铅碘CsPbI3光敏层、碘化铯、第二钙钛矿铯铅碘CsPbI3光敏层、第二碘化铅层；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层采用化学气相沉积法制备。本发明中采用化学气相沉积法交替沉积碘化铯和碘化铅，碘化铯和碘化铅从界面处发生化学反应生成钙钛矿铯铅碘薄膜层，形成三明治结构，这种结构有利于提高钙钛矿铯铅碘薄膜的稳定性。
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公开(公告)号：CN109898070A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811550356.7
申请日：2018-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钨分子层薄膜的制备方法，本发明方法以WS2固态粉末为钼源和硫源，表面生长有氧化锌薄膜的硅片(Si)为基底，采用CVD法在基底表面生长WS2二维薄膜材料。本发明将氧化锌应用到CVD法中来制备WS2薄膜材料，氧化锌起到促进硫化钨成核和控制局部硫蒸汽浓度的作用，这种方法制备的MoS2薄膜制备重复性好。
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公开(公告)号：CN106835074B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201710043653.1
申请日：2017-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种氮化硼刻蚀的方法；本发明采用压印法以表面有图案的聚二甲基硅氧烷(PDMS)模板为印章，将氧化石墨烯溶液转印到氮化硼薄膜表面，然后在硫化钼蒸气中在一定温度下保温一定时间，在氮化硼表面刻蚀出图案，完成PDMS表面的图案向氮化硼表面的转移。本发明通过二硫化钼蒸气催化分解氮化硼，降低了氮化硼光刻条件，方法简单、方便和可操作性强。
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公开(公告)号：CN108588673A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201710600863.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30
Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼薄膜材料的制备方法。目前二硫化钼薄膜可通过化学气相沉积法生长，这种方法制备的二硫化钼薄膜往往存在重复性差、结晶质量低的问题，从而影响了二硫化钼薄膜性能研究和应用。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以固态硫化钼粉末为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钼薄膜。该方法制备二硫化钼薄膜具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点，对于化学气相沉积法制备二硫化钼以及二维过渡金属硫族化合物等二维材料的制备是有益的。
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