公开(公告)号：CN111066243B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201880003452.1

申请日：2018-09-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  滑川政彦 ,  鹈野雄大 ,  服部良祐 ,  浅井圭一郎

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

Abstract: 针对在由多晶陶瓷构成的支撑基板上直接接合压电性材料基板这种类型的弹性波元件，提高弹性波元件的Q值。弹性波元件10具备：压电性材料基板1A；中间层2，所述中间层2设置于压电性材料基板1A上，并且由选自由氧化硅、氮化铝以及硅铝氧氮陶瓷组成的组中的一种以上的材质构成；接合层3，所述接合层3设置于中间层2上，并且由选自由五氧化钽、五氧化铌、氧化钛、莫来石、氧化铝、高电阻硅以及氧化铪组成的组中的一种以上的材质构成；支撑基板5，所述支撑基板5由多晶陶瓷构成，并与接合层3直接接合；以及电极9，所述电极9设置于压电性材料基板1A上。

公开(公告)号：CN115516368A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180005302.6

申请日：2021-05-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 服部良祐 ,  多井知义 ,  浅井圭一郎 ,  近藤顺悟

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明提供一种复合基板，其剥离得到显著抑制，并且，制成电光元件的情况下，光的传播损失较小，能够进行高速及低电压驱动，此外，能够实现即便在严酷的高温环境下也能够维持优异的可靠性的非常薄型的电光元件。本发明的实施方式的电光元件用复合基板(100)按如下顺序具备：具有电光效应的电光结晶基板(10)、第一高介电常数层(21)、第二高介电常数层(22)、以及支撑基板(30)。第一高介电常数层(21)和第二高介电常数层(22)直接键合，在第一高介电常数层(21)与第二高介电常数层(22)的接合界面形成有非晶质层(40)。

公开(公告)号：CN105027436B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201480009131.4

申请日：2014-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 服部良祐 ,  堀裕二 ,  多井知义

IPC: H03H9/25 ,  H01L21/683 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B7/02 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B9/005 ,  B32B9/04 ,  B32B18/00 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/283 ,  B32B37/10 ,  B32B38/10 ,  B32B2264/105 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/206 ,  B32B2307/538 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/78 ,  H01L41/1873 ,  H03H3/08 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/25 ,  Y10T428/12597

Abstract: 一种复合基板10，其是将压电基板12与热膨胀系数比压电基板12低的支撑基板14粘合在一起所形成的复合基板。支撑基板14通过以刀片可剥离的强度将由相同材料制成的第1基板14a和第2基板14b以直接接合方式接合在一起来形成，并以第1基板14a中的第1基板14a与第2基板14b的接合面的相反一侧的表面，与压电基板12粘合在一起。

公开(公告)号：CN105074868A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009140.3

申请日：2014-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  堀裕二 ,  多井知义 ,  服部良祐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B7/02 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B9/005 ,  B32B9/04 ,  B32B18/00 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/283 ,  B32B37/10 ,  B32B38/10 ,  B32B2264/105 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/206 ,  B32B2307/538 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/78 ,  H01L41/1873 ,  H03H3/08 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/25 ,  Y10T428/12597

Abstract: 复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。