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公开(公告)号：CN111033763B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201780093870.X
申请日：2017-09-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分。
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公开(公告)号：CN111033764A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780093879.0
申请日：2017-08-24
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。其特征在于，在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。上表面13a的X射线摇摆曲线的(0002)晶面反射的半值宽度为3000秒以下20秒以上。
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公开(公告)号：CN105190839B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201580000704.1
申请日：2015-01-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02 , C04B35/115 , C04B37/02
Abstract: 构成处理基板的透光性多晶氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，透光性多晶氧化铝的气孔率为0.01％以上、0.1％以下。处理基板的接合面侧的表面区域中所含的大小为0.5μm以上的气孔数量为表面区域中所含的大小为0.1μm以上、0.3μm以下的气孔数量的0.5倍以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105144851B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201580000543.6
申请日：2015-02-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/111 , H05K3/00
Abstract: 提供排列有导体用贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～100μm，贯通孔(2)的直径为20μm～100μm。绝缘基板(1)具备有主体部分(5)和露出于所述贯通孔(2)的露出区域(4)。绝缘基板(1)由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度在99.5％以上，氧化铝烧结体的纯度在99.9％以上，构成主体部分(5)的氧化铝烧结体粒子(5a)的平均粒径为3～6μm，构成露出区域(4)中的氧化铝烧结体的氧化铝粒子呈板状，板状的氧化铝粒子(4a)的平均长度为8～25μm。
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公开(公告)号：CN105190838B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201580000420.2
申请日：2015-01-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L29/16 , C04B35/115 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B37/001 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/52 , C04B2237/588 , C30B29/06 , C30B33/06 , H01L21/2007 , H01L29/0649 , Y10T428/24355
Abstract: 半导体用复合基板的操作基板(1)由多晶氧化铝形成，操作基板(1)的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为20～55μm，操作基板的中央部(20)的晶粒的平均粒径为10～50μm，操作基板的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为中央部(20)的晶粒的平均粒径的1.1倍以上、3.0倍以下。
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公开(公告)号：CN105144851A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201580000543.6
申请日：2015-02-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/111 , H05K3/00
CPC classification number: H05K1/115 , C04B35/111 , C04B35/119 , C04B35/634 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/6023 , C04B2235/606 , C04B2235/612 , C04B2235/6582 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , H01B3/12 , H01B17/56 , H05K1/03 , H05K1/0306 , H05K3/00 , H05K3/0014 , H05K3/0029 , H05K2201/09009 , Y10T428/24273
Abstract: 提供排列有导体用贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～100μm，贯通孔(2)的直径为20μm～100μm。绝缘基板(1)具备有主体部分(5)和露出于所述贯通孔(2)的露出区域(4)。绝缘基板(1)由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度在99.5％以上，氧化铝烧结体的纯度在99.9％以上，构成主体部分(5)的氧化铝烧结体粒子(5a)的平均粒径为3～6μm，构成露出区域(4)中的氧化铝烧结体的氧化铝粒子呈板状，板状的氧化铝粒子(4a)的平均长度为8～25μm。
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公开(公告)号：CN105074870A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480019693.7
申请日：2014-12-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , C01F7/02 , C01P2006/60 , C04B35/10 , C04B35/115 , C04B35/64 , C04B37/001 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C04B2237/343 , C04B2237/70 , C04B2237/704 , H01L21/02002 , H01L21/6835 , H01L23/15 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381
Abstract: 半导体用复合基板的操作基板2A由多晶透光性氧化铝构成，多晶透光性氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的前方全光线透过率的平均值为60％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的直线透过率的平均值为15％以下。
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