公开(公告)号：CN1201250A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN98115026.8

申请日：1998-05-23

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 川原润 ,  斋藤忍 ,  林喜宏 ,  前岛幸彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L28/57 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明提供一种带电容的半导体器件的制造方法,该方法可防止形成绝缘膜覆盖电容的CVD或干法腐蚀工艺期间漏电流增加和耐介质击穿性降低。在该方法中,在第一绝缘膜上形成电容的下电极。第一绝缘膜一般形成在半导体衬底上或其上方。在下电极上与之重叠地形成电容的介质或铁电膜。在介质或铁电膜上与之重叠地形成电容的上电极。在不含等离子体的气氛中,在可防止氢因加热而活化的衬底温度下,通过热CVD工艺形成第二绝缘膜覆盖电容。第二绝缘膜的原材料具有在热CVD工艺期间分解原材料过程中不产生氢的性质。

公开(公告)号：CN1193811A

公开(公告)日：1998-09-23

申请号：CN98101004.0

申请日：1998-03-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小野寺贵弘 ,  林喜宏

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 制备半导体器件的方法,第一膜形成在第二膜上,在第一膜上形成第一光刻胶膜,使在第一光刻胶膜中有第一开口部分。此时,如果提供防反射膜,用提供在第二膜上的金属塞的反射,可以使第一开口部分制备得宽一些。通过第一开口部分暴露部分第一膜。随后,用能腐蚀第一光刻胶膜和第一膜的腐蚀气体,同时对二者进行干法腐蚀。在该过程中,监测第一膜与腐蚀气体的反应所产生的反应产物所发光的光谱强度。根据所说光谱强度的变化停止干法腐蚀。