公开(公告)号：CN108735650B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN201810343654.2

申请日：2018-04-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  大和道子 ,  井上真一

IPC: H01L21/683

Abstract: 提供适合于通过扩展工序将粘接剂层良好割断的切割芯片接合薄膜。具备切割带(10)和粘接剂层(20)。切割带(10)具有基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构，粘接剂层(20)与粘合剂层(12)密合。相对于在对由DDAF的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域(R1)切取的试验片(50mm×10mm)在初始夹具间距离20mm、‑15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的、在对由DDAF的比前述外侧区域(R1)更靠近内侧的内侧区域(R2)内切取的试验片(50mm×10mm)在同条件下的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的比值为0.9～1.1。

公开(公告)号：CN116333623A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211642027.1

申请日：2022-12-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  大西谦司 ,  角野雅俊 ,  中浦宏 ,  木村雄大

IPC: C09J7/29 ,  H01L21/683 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J11/04

Abstract: 提供切割芯片接合薄膜等，前述切割芯片接合薄膜具备：具有基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，前述切割带在120℃下的弹性模量为0.10MPa以上，前述切割带在120℃下的热收缩率为6％以上。

公开(公告)号：CN115368836A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210404186.1

申请日：2022-04-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  福井章洋 ,  中浦宏 ,  吉田直子

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J7/40 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述丙烯酸系聚合物包含15摩尔％以上的、具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，温度‑15℃下的前述粘合剂层的剪切储能模量为10MPa以下，使用FOX式算出的前述丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度为‑47℃以上且5℃以下。

公开(公告)号：CN108949051B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201810482239.5

申请日：2018-05-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  福井章洋 ,  杉村敏正

IPC: C09J7/25 ,  C09J133/04 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割芯片接合薄膜，其中，芯片接合薄膜的拾取适宜性和芯片接合适宜性优异、并且在常温扩展时和其之后在芯片接合薄膜和粘合剂层之间不易发生浮起。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有基材和层叠于前述基材上的粘合剂层；和芯片接合薄膜，其层叠于前述切割带中的前述粘合剂层上，前述芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’为3～5GPa。

公开(公告)号：CN108178990B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201711277104.7

申请日：2017-12-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  福井章洋

IPC: C09J7/10 ,  C09J133/04 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  C09J5/06 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置。提供一种粘接薄膜及其用途，所述粘接薄膜能够成品率良好地制造消灭了空隙且抑制了粘接薄膜的过度突出的高品质的半导体装置。一种粘接薄膜，其是用于将固定于被粘物上的第1半导体元件包埋、且将与该第1半导体元件不同的第2半导体元件固定于被粘物的粘接薄膜，其含有热塑性树脂、热固性树脂和无机填充剂，无机填充剂的含量在总固态成分中为30重量％以上且50重量％以下，热塑性树脂的含量在总固态成分中为10重量％以上且25重量％以下，热固化前的在120℃下的粘度为1300Pa·s以上且4500Pa·s以下。

公开(公告)号：CN111826100A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010299872.8

申请日：2020-04-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  福井章洋 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  高本尚英

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供在冷扩展时及常温扩展时、以及之后在粘接剂层与粘合剂层之间不易发生浮起的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及粘接剂层，以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，前述粘合剂层中，前述粘接剂层密合侧的表面的水接触角为110°以下、算术平均表面粗糙度Ra为1.0μm以下。

公开(公告)号：CN111334212A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201911307193.4

申请日：2019-12-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  杉村敏正 ,  福井章洋

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/10 ,  C09J7/24 ,  C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供适于在为了得到带有粘接薄膜的半导体芯片而使用带有切割带的粘接薄膜进行的扩展工序中产生良好的割断的粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法。对于本发明的粘接薄膜(10)，其损耗角正切在-20～20℃的范围具有第1峰顶、并且在20～60℃的范围具有第2峰顶。第2峰顶的值优选为2以上。另外，粘接薄膜(10)优选含有软化温度为70℃以上的热固化性树脂，优选含有玻璃化转变温度为-40～10℃的丙烯酸类树脂。粘接薄膜(10)的厚度例如为40～150μm。

公开(公告)号：CN108728003A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810345162.7

申请日：2018-04-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  井上真一 ,  大和道子

IPC: C09J7/29 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合薄膜，其适合于使粘接剂层确保在扩展工序中的割断性并且实现对环形框等框构件的良好的粘合力。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。粘接剂层(20)的对宽度4mm的粘接剂层试样片在初始夹具间距离10mm、频率10Hz、动态应变±0.5μm、及升温速度5℃/分钟的条件下测定的-15℃下的拉伸储能模量为1000～4000MPa，并且在前述条件下测定的23℃下的拉伸储能模量为10～240MPa。

公开(公告)号：CN108022867A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711047774.X

申请日：2017-10-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  高本尚英 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  福井章洋

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  C09J7/40 ,  C09J133/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/00 ,  C09J2433/00 ,  C09J2467/005 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/68336

Abstract: 本公开涉及切割芯片接合带和半导体装置的制造方法。本公开的目的在于提供一种具有胶粘剂层的切割芯片接合带，所述胶粘剂层具有对切割环的粘附功能、且吸湿回流焊可靠性优异。本公开涉及一种切割芯片接合带。切割芯片接合带包含：覆盖膜、和包含胶粘剂层和基材层的膜。胶粘剂层位于覆盖膜和基材层之间。胶粘剂层包含第一层和第二层，第一层的两面由与覆盖膜接触的第一主面和与第二层接触的第二主面所定义。第一层有时包含第一填料，在该情况下，第一层中的第一填料的量通过截面积分析为10％以下。第二层包含第二填料，第二层中的第二填料的量通过截面积分析为20％以上。

公开(公告)号：CN115368835A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210403242.X

申请日：2022-04-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 角野雅俊 ,  杉村敏正 ,  福井章洋 ,  木村雄大 ,  中浦宏

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J163/00 ,  C09J133/14 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及以使前述粘合剂层的一部分露出的状态层叠在前述粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述芯片接合层包含芳香族化合物，使通过将针对前述粘合剂层的露出部分、以及前述粘合剂层的与前述芯片接合层的层叠部分实施FT‑IR分析而得到的多个参数加以组合而导出的参数满足规定的数值范围。