公开(公告)号：CN102301043B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201080005900.5

申请日：2010-01-29

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02609 ,  C23C16/325 ,  C30B25/14 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634

Abstract: 本发明提供一种具有在使用了偏离角度为6°及其以下的基板的外延生长中抑制了台阶束的发生的高品质外延膜的外延SiC单晶基板及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶基板，是在偏离角度为6°以下的碳化硅单晶基板上形成了碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板，其特征在于，所述碳化硅单晶薄膜表面的表面粗糙度(Ra值)为0.5nm以下。