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公开(公告)号:CN113569512B
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202110837558.5
申请日:2021-07-23
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种P型栅GaNHEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法,基于建立的单粒子烧毁模型,可以精确计算单粒子烧毁时器件内部电参数空间分布特性、器件的安全工作电压范围,确定器件内部单粒子烧毁敏感区域,可实现P型栅GaNHEMT器件单粒子烧毁的敏感性评价,为其空间应用防护设计提供技术保障。
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公开(公告)号:CN116306428A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310283439.9
申请日:2023-03-22
Applicant: 扬州大学 , 扬州扬福科技有限公司
IPC: G06F30/34 , G06T17/20 , G06F30/331
Abstract: 本发明公开了一种SRAM型FPGA的辐射效应仿真方法,采用器件级建模仿真和电路级建模仿真相结合的方式,可以实现FPGA总剂量效应和单粒子效应协合作用的模拟仿真,分析多种辐射效应对FPGA工作状态的影响,解决了加速器资源有限、辐照粒子能量不易调节、经济成本高的问题,有助于掌握器件内部微观参数变化和揭示损伤机理,可以实现对器件辐射损伤敏感性评价,为开展FPGA抗辐射评价和加固设计提供技术支撑,具有经济、便捷等特点,可以用于器件抗辐照能力的评价中,有助于提高器件在航天工程应用中可靠性。
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公开(公告)号:CN114878921A
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN202210484943.0
申请日:2022-05-06
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法,首先制造三维互连TSV转接板,利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数;其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数,提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数;接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系;最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术,本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系,能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
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公开(公告)号:CN219216616U
公开(公告)日:2023-06-20
申请号:CN202221199432.6
申请日:2022-05-12
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种直流PNP型单驱分体式分拣机转向轮装置及控制系统,其包括:机架以及转向轮组件,所述机架上设有传输带,所述转向轮组件设于所述传输带一侧,还公开了一种流PNP型单驱分体式分拣机转向轮控制系统,其包括转向电机控制回路,所述转向电机控制回路包括驱动器芯片,所述驱动器芯片与第一电机M连接,所述驱动器芯片的第一引脚与第三插座的第五接线端连接,所述驱动器芯片的第二引脚与第三插座的第六接线端连接。本实用新型通过转向电机控制回路以及转向位置回路可以达到精准控制第一电机的效果,具有良好的线性调节以及快速的相应时间,极大地降低了用户的困扰,减少了转向轮的控制回路。
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