公开(公告)号：CN104766882B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201410820297.6

申请日：2014-12-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  朱雷 ,  冈本直哉 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括：形成在衬底之上并由氮化物半导体形成的第一半导体层；形成在第一半导体层之上并由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在第二半导体层之上并由氮化物半导体形成的第三半导体层；形成在第三半导体层之上的源电极和漏电极；形成在源电极与漏电极之间、在第二半导体层和第三半导体层中的开口；形成在开口的侧表面和底表面上的绝缘层；以及经由绝缘层形成在开口中的栅电极。

公开(公告)号：CN105977209A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610509548.8

申请日：2010-10-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  美浓浦优一

IPC: H01L21/8252 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置设有：GaN层(2)、与GaN层(2)的Ga面形成肖特基接合的阳极电极(4)以及位于阳极电极(4)的至少一部分与GaN层(2)之间的InGaN层(3)。

公开(公告)号：CN103329273B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180064898.3

申请日：2011-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/2654 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/417 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66196 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在半导体装置中设置有半导体层（1）、和与半导体层（1）肖特基接合的肖特基电极（2）。在肖特基电极（2）中包含有：金属部（2a），其包含与半导体层（1）肖特基接合的金属；和氮化物部（2b），其形成于金属部（2a）的周围，包含上述金属的氮化物，并与半导体层（1）肖特基接合。

公开(公告)号：CN103035683B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210320857.2

申请日：2012-08-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  冈本直哉 ,  美浓浦优一 ,  牧山刚三 ,  尾崎史朗

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT(高电子迁移率晶体管)具有：化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的上侧的保护膜以及填充开口并且具有骑在化合物半导体层上的形状的栅电极，其中保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构，并且，开口包括形成在下绝缘膜中的第一开口和形成在上绝缘膜中且比第一开口宽的第二开口，第一开口与第二开口彼此连通。

公开(公告)号：CN104766882A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410820297.6

申请日：2014-12-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  朱雷 ,  冈本直哉 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括：形成在衬底之上并由氮化物半导体形成的第一半导体层；形成在第一半导体层之上并由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在第二半导体层之上并由氮化物半导体形成的第三半导体层；形成在第三半导体层之上的源电极和漏电极；形成在源电极与漏电极之间、在第二半导体层和第三半导体层中的开口；形成在开口的侧表面和底表面上的绝缘层；以及经由绝缘层形成在开口中的栅电极。

公开(公告)号：CN102386222B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110251335.7

申请日：2011-08-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/743 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种化合物半导体器件、其制造方法、电源器件和高频放大器，该化合物半导体器件包括：衬底，具有在该衬底的背侧形成的开口；化合物半导体层，布置在所述衬底的表面之上；位于所述化合物半导体层中的局部p型区域，被部分地暴露在所述衬底开口的底部；以及由导电材料制成的背部电极，被布置在所述衬底开口中以连接至所述局部p型区域。本发明的HEMT结构防止由于电容增大而造成的高频性能的下降，防止漏极电极和漏极线与背部电极之间的击穿，并允许通过碰撞电离而生成的空穴在没有增加芯片面积的情况下容易地、可靠地被提取并被排出。本发明的HEMT可表现出高耐受电压和高可靠性。

公开(公告)号：CN103329273A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180064898.3

申请日：2011-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/2654 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/417 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66196 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在半导体装置中设置有半导体层（1）、和与半导体层（1）肖特基接合的肖特基电极（2）。在肖特基电极（2）中包含有：金属部（2a），其包含与半导体层（1）肖特基接合的金属；和氮化物部（2b），其形成于金属部（2a）的周围，包含上述金属的氮化物，并与半导体层（1）肖特基接合。

公开(公告)号：CN102668092A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN200980163021.2

申请日：2009-12-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66712

Abstract: 设置有：第一导电型的第一氮化物半导体层（1）；在第一氮化物半导体层（1）上形成产与第一氮化物半导体层（1）相接的第一导电型的第二氮化物半导体层（5）；与第二氮化物半导体层（5）相接的第二导电型的第三氮化物半导体层（4）；与第三氮化物半导体层（4）相接的第一导电型的第四氮化物半导体层（3）；使第一氮化物半导体层（1）和第四氮化物半导体层（3）绝缘分离的绝缘膜（2）。俯视时，源电极（8）位于绝缘膜（2）的外缘的内侧。