公开(公告)号：CN103715241A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310314067.8

申请日：2013-07-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/207 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  Y02B70/1483

Abstract: 本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。根据本发明的半导体器件包括：形成在基片上的电子传输层；形成在电子传输层上的电子供给层；形成在电子供给层上的掺杂层，该掺杂层由其中掺杂有待成为p型的杂质元素和C的氮化物半导体形成；形成在掺杂层上的p型层，该p型层由其中掺杂有待成为p型的杂质元素的氮化物半导体形成；形成在p型层上的栅电极；以及形成在掺杂层或电子供给层上的源电极和漏电极。该p型层在栅电极紧下方的区域中形成，并且掺杂层中所掺杂的C的浓度大于或等于1×1017cm-3且小于或等于1×1019cm-3。

公开(公告)号：CN103325823A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210575964.X

申请日：2012-12-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，本发明提供一种AlGaN/GaN HEMT，所述AlGaN/GaN HEMT包括化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上方的栅电极、以及形成在化合物半导体层叠结构与栅电极之间的p型半导体层，并且该p型半导体层具有在平行于化合物半导体层叠结构的表面的方向上的拉伸应变。

公开(公告)号：CN102763204A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201080064528.5

申请日：2010-03-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山田敦史

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H03F1/32

CPC classification number: H02M7/537 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/541

Abstract: 在基板（1）上形成化合物半导体层（2、3、4），在化合物半导体层（4）上形成栅电极（15）、与栅电极（15）之间形成电流路径的栅极焊盘（20）、和进行自发极化以及压电极化的半导体层（6a），在半导体层（6a）上形成栅电极连接层（8），栅电极连接层（8）与栅电极（15）电连接，而且，在化合物半导体层（4）上的半导体层（6a）的非形成区域形成栅极焊盘连接层（7），栅极焊盘连接层（7）与栅极焊盘（20）电连接，由此构成AlGaN／GaN·HEMT，通过该构成，能够以相对简单的构成，不产生薄膜电阻以及导通电阻的增大、泄漏电流的增加等不良情况地实现所期望的常关。

公开(公告)号：CN102637587A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210032005.3

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  今西健治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/66462 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405

Abstract: 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。

公开(公告)号：CN103715242B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310316249.9

申请日：2013-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的第一半导体层；以及形成在第一半导体层上的第二半导体层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe，缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层，第一层的Al组成比大于第二层的Al组成比，并且第一层的Fe浓度小于第二层的Fe浓度，第一层和第二层包括在多个层中，并且第一层形成在第二层的衬底侧上。

公开(公告)号：CN103715246B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201310349467.2

申请日：2013-08-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的应变层超晶格缓冲层；在应变层超晶格缓冲层上的由半导体材料形成的电子渡越层；以及在电子渡越层上的由半导体材料形成的电子供给层，该应变层超晶格缓冲层为包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层的交替堆叠体，该应变层超晶格缓冲层掺杂有选自Fe、Mg和C中的一种、两种或更多种杂质。

公开(公告)号：CN104465743A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410427598.2

申请日：2014-08-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L2229/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括形成在衬底上的超晶格缓冲层。在超晶格缓冲层上形成有上缓冲层。在上缓冲层上由氮化物半导体形成第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成第二半导体层。在第二半导体层上形成栅电极、源电极和漏电极。超晶格缓冲层通过周期地层叠具有不同组成的氮化物半导体膜来形成。上缓冲层由以下氮化物半导体材料形成：该氮化物半导体材料的带隙比第一半导体层的带隙宽并且掺杂有使受主能级的深度大于或等于0.5eV的杂质元素。

公开(公告)号：CN102386221B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201110180598.3

申请日：2011-06-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H02M2001/007

Abstract: 一种化合物半导体器件包括：衬底；化合物半导体层，形成在所述衬底上方；以及栅电极，形成在所述化合物半导体层上方，在所述化合物半导体层和所述栅电极之间设置有栅绝缘膜。所述栅绝缘膜包括具有反转自发极化的第一层，其自发极化的方向与所述化合物半导体层的自发极化相反。本发明通过相对简单的结构可实现常闭操作，而不会引起诸如表面电阻的增加、栅漏电流的增加、以及输出功率的减小等不便。

公开(公告)号：CN103715248A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310378765.4

申请日：2013-08-27

Applicant: 富士通株式会社 ,  富士通半导体股份有限公司

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  石黑哲郎 ,  小谷淳二 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层和第四半导体层；形成在第三半导体层上的栅电极；以及形成在第四半导体层上并接触第四半导体层的源电极和漏电极，其中第三半导体层在栅电极正下方的区域上由用于实现p型的半导体材料形成，并且第四半导体层中的硅的浓度高于第二半导体层中的硅的浓度。

公开(公告)号：CN103367421A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310062374.1

申请日：2013-02-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  石黑哲郎 ,  宫岛丰生 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、氮化物半导体晶体及其制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底之上的成核层；形成在成核层之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的第一氮化物半导体层以及形成在第一氮化物半导体层之上的第二氮化物半导体层，其中在光致发光中黄光发射与带边发射之比为400％或更小，并且X射线摇摆曲线中的扭转值为1000角秒或更小。