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公开(公告)号：CN114990691A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210794117.6
申请日：2022-07-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延反应加热控制方法、系统、电子设备及存储介质，外延反应加热控制方法用于外延反应设备，包括以下步骤：输出最大加热功率信息以使外延反应设备的外延腔迅速升温至预设的第一温度信息；根据第一温度信息、预设的第二温度信息以及第二温度信息对应的起始加热功率信息生成加热功率曲线；根据加热功率曲线调节并输出加热功率信息以使外延腔逐渐升温，直至加热功率信息下降至起始加热功率信息；对外延腔进行PID控制加热使外延腔升温至预设的外延反应温度信息所对应的温度，本申请通过上述方法使外延腔在加热过程中不会因为加热功率突变而导致温度产生波动，从而提高加热效率及加热稳定性。
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公开(公告)号：CN114938549A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210749237.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 季华实验室
IPC: H05B6/40
Abstract: 本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体提供了一种感应线圈螺距调节装置、系统及方法，其中，装置包括：距离调节组件，具有两个调节臂，所述调节臂用于调节每匝所述感应线圈之间的螺距；第一水平驱动组件，与所述距离调节组件连接，用于驱动所述距离调节组件沿平行于所述感应线圈的螺旋轴心线的方向位移；竖直驱动组件，与所述第一水平驱动组件连接，用于驱动所述第一水平驱动组件沿所述感应线圈的径向的方向位移，以使所述距离调节组件朝向或背离所述感应线圈的螺旋轴心线位移；该装置无需通过手工测量试错的方式对螺距进行调节并有效地降低调节感应线圈的螺距的人力成本。
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公开(公告)号：CN114540800A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210171589.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备，用于在反应前对衬底进行预热，包括：预热装置、反应装置、移动装置、控制器，控制器与预热装置、反应装置和移动装置电性连接，用于获取预热装置内的第一温度信息和反应装置内的第二温度信息，还用于调节预热装置的温度和反应装置的温度，在反应装置需要装入新的衬底时，控制预热装置升温和反应装置降温，并在第一温度信息大于或等于第二温度信息时，同时控制预热装置停止升温和反应装置停止降温，并控制移动装置将预热装置内新的衬底转移至反应装置中，本申请通过上述系统，实现衬底从预热装置移动到反应装置的动态控制，提高了衬底的预热效率。
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公开(公告)号：CN114082729B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210056227.2
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，该系统用于清洗外延炉反应腔顶壁上堆积的杂质，该系统包括移动装置；激光测距仪，安装在移动装置上，用于测量激光测距仪到反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；可升降的清洗装置，安装在移动装置上，用于对反应腔顶壁的杂质进行清洗；控制器，用于实时获取激光测距仪测得的距离信息和获取反应腔模型，进而获取清洗路径信息，并根据上述信息生成杂质厚度信息组；还可根据清洗路径信息控制移动装置移动和根据杂质厚度信息组调节清洗装置的升降高度，以逐步清洗反应腔顶壁的杂质，此方法无需拆卸反应腔即可得到光洁的反应腔顶壁。
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公开(公告)号：CN113638043A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110936866.3
申请日：2021-08-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质，其中，系统包括：冷却室，用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体；气体温度计，用于获取吹扫气体的第一温度信息；温度调节机构；测温计，用于获取外延片的第二温度信息；气体循环机构；控制器，用于控制吹扫气体进行循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却，并根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温；该系统根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息，防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119041019A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411555680.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延生长系统，其包括：反应室，其具有排气管和气压检测组件；第一真空管道，其内设有简易过滤器；第二真空管道，其上沿气体流动方向依次设有第二开关阀、蝶阀和干泵；第三真空管道，其上设有第三开关阀和粉尘过滤器；第一吹扫组件；控制器，用于在反应室气压信息与预设气压信息的差值大于等于预设误差时，控制第一开关阀以及第二开关阀关闭和控制第三开关阀打开，并控制第一吹扫组件对简易过滤器进行吹扫，直至第一吹扫组件的持续吹扫时间达到第一预设时间，然后控制外延生长系统复原；其能够有效地解决由于对粉尘过滤器进行维护所需要的时间过长而导致反应室的生长效率低的问题。
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公开(公告)号：CN116240625A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310283886.4
申请日：2023-03-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种用于外延设备的压力调节装置及工艺气体切换方法，该装置包括：流入管路，与反应室的进气端连接；排放管路，与反应室的排气管连接；压差检测组件，其两端分别与流入管路和排放管路连接，用于检测流入管路和排放管路之间的压差信息；载气供应组件，分别与流入管路和排放管路连接，用于为流入管路和排放管路供应载气；工艺气体供应组件，与流入管路和排放管路连接；切换组件，用于控制工艺气体供应组件为流入管路或排放管路供应工艺气体；回气组件，其两端分别与反应室的排气管和排放管路连接，用于将反应室的部分尾气导入排放管路；以及调节组件；该装置能够有效地减少载气使用量。
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公开(公告)号：CN115481538A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211173620.6
申请日：2022-09-26
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F113/08 , G06F119/02 , G06F119/12
Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种外延设备反应腔排气结构的寿命预测方法、设备及介质；该方法用于预测外延设备排气结构中的蝶阀的橡胶圈剩余使用寿命以获取排气结构可使用时间，方法包括以下步骤：获取反应腔内排出的气体流量信息、气体组分信息；根据气体流量信息、气体组分信息、排气结构管路半径获取反应气体的气体常数信息；根据气体常数信息、反应类型信息、反应温度信息获取老化反应速率常数信息；根据老化反应速率常数信息及橡胶圈老化常数获取橡胶圈疲劳变化参数关于时间的疲劳模型；基于疲劳模型根据橡胶圈使用时长、预设的疲劳极限信息计算橡胶圈的剩余使用寿命，该方法能有效预测蝶阀的橡胶圈剩余使用寿命。
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公开(公告)号：CN115201057A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210564195.7
申请日：2022-05-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种气体流场均匀性检测系统及方法，其包括：驱动组件；检测盘，其包括承载台、气压传感器和至少一种气体浓度传感器，气压传感器和气体浓度传感器均设置在承载台上，气压传感器用于采集生成气压信息，气体浓度传感器用于采集生成对应的原料气体的浓度信息；控制器，与气压传感器、气体浓度传感器和驱动组件电性连接，用于控制驱动组件间隙性地驱动承载台旋转预设的第一角度，还用于根据气压传感器在不同位置采集生成的气压信息检测混合气体是否均匀，还用于根据气体浓度传感器在不同位置采集生成的浓度信息检测对应的原料气体是否均匀；该系统能够有效地提高外延生长的膜厚均匀性。
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公开(公告)号：CN114622277A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210173699.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应腔的气浮系统及方法，其包括：托盘，用于放置晶圆；供气装置，用于供应气浮气体；悬浮气路，与所述供气装置连接，用于朝所述托盘底面释放所述气浮气体以驱动所述托盘浮起；旋转气路，与所述供气装置连接，用于朝所述托盘侧面释放所述气浮气体以驱动所述托盘旋转；控制器，用于在外延生长开始前，控制所述悬浮气路驱动所述托盘悬浮，并在经过第一预设时间后，控制所述旋转气路驱动所述托盘旋转；只有在托盘悬浮后，控制器才会控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘旋转，从而实现先使托盘悬浮再使托盘旋转，避免出现由于托盘未浮起就开始旋转而造成托盘与底座磨损的情况。
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