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公开(公告)号：CN109115842A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810990340.1
申请日：2018-08-28
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/127
Abstract: 本发明涉及一种气体传感器敏感材料的制备方法，特别是采用静电纺丝法制备二氧化锡/ZSM-5型沸石复合纳米纤维的方法及应用。首先利用模板法制备纳米ZSM-5型沸石，然后制备纳米ZSM-5型沸石与SnCl2混合溶液，再次利用静电纺丝法制备复合纤维，最后高温烧结后得到二氧化锡/ZSM-5型沸石复合纳米纤维。本发明利用静电纺丝法制备的二氧化锡/ZSM-5型沸石复合纳米纤维材料，有效抑制了传统二氧化锡/沸石复合过程中所出现的团聚现象。其中沸石均匀散布在纤维中呈现“骨节”状；利用该复合材料制备的旁热式气体传感器对甲醛气体的灵敏度、选择性均有较明显的改善，对丙酮、乙醇、甲醇气体的响应具有一定的抑制效果。
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公开(公告)号：CN105181755B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510524167.2
申请日：2015-08-24
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了氨气传感器，包括气敏材料和基板，所述气敏材料涂覆在所述基板表面，所述气敏材料成分包括具有桥接结构的石墨烯修饰的二氧化钛复合纳米颗粒；所述复合纳米颗粒包括石墨烯和二氧化钛，所述石墨烯桥接在所述二氧化钛之间；所述石墨烯占复合纳米材料的质量分数为0.2％～20％；所述气敏材料涂覆厚度为0.4～0.5μm；所述基板为带有Au电极的Si基板或者Al2O3基板。本发明的氨气传感器的气敏材料为具有桥接结构的石墨烯修饰的二氧化钛复合纳米颗粒，该气敏材料表现出对NH3气体的响应性能更好的选择性、恢复性、稳定性以及较低的工作温度等性能。
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公开(公告)号：CN107219270A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710403446.2
申请日：2017-06-01
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明提供了一种新型基于还原氧化石墨烯‑二硫化钨复合材料氨气气体传感器及其制备工艺，属于传感器技术领域。本发明包括气敏复合材料以及传感器基板，复合气敏材料是利用一步水热合成获得的纳米材料，所述的气敏材料均匀涂覆与传感器基板的金叉指电极上，传感器基板背面加热板的瞬间加热温度是140℃，加热恢复时间是随检测气体浓度线性变化。本发明的还原氧化石墨烯‐二硫化钨复合材料在室温环境中对氨气表现出良好的响应性能，具有良好的选择性、稳定性以及可重复性等。此发明中的气体传感器恢复阶段，使用瞬态加热在有效缩短还原所需时间的同时，不会对气体敏感材料的性能产生影响，具体瞬态加热时间可以根据探测获得的气体浓度进行设定。
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公开(公告)号：CN103121708B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310080153.7
申请日：2013-03-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明涉及一种多孔二氧化锡材料及其制备方法和应用，属于金属氧化物半导体传感器材料制备工艺技术领域。本发明所述方法利用溶剂热法获得分级花球结构硫化亚锡，然后利用通氧煅烧的方法获得花球状多孔二氧化锡材料。本发明所述方法利用简单的溶剂热及通氧煅烧方法，获得由纳米颗粒组成的花瓣清晰的，具有结构稳定的花球状多孔二氧化锡。同时，使用该材料制备的旁热式气体传感器表现出对丙酮更好，更灵敏的感应性能。
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公开(公告)号：CN102277608A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110204798.8
申请日：2011-07-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种制备二氧化钛纳米管粉末的工艺，属于化学化工技术领域。其特征是利用电化学阳极氧化的方法在金属钛基板上生长二氧化钛纳米管阵列，然后利用研磨的物理方法将二氧化钛纳米管阵列粉碎，获得二氧化钛纳米管粉末。本发明的效果和益处是，利用电化学阳极氧化法获得具有纯度高的二氧化钛纳米管阵列，结合随后的物理研磨，从而获得纯度较高以及具有良好纳米管特征的二氧化钛纳米管粉末。
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公开(公告)号：CN102095759A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010560297.9
申请日：2010-11-18
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于电子气敏器件技术领域，涉及到一种基于Y型沸石薄膜材料的神经元有害气体传感器，特别涉及到该气体传感器的沸石敏感薄膜的制备方法。其特征是在传感器中，先将Y型沸石薄膜沉积到SiO2或者Al2O3基板上，然后再将金叉指电极打印到沸石薄膜顶面；传感器的工作温度在250到350摄氏度范围内；传感器信号是在1-1MHz之间扫描的阻抗谱图在流动空气和以空气为背景的神经元有害气体的氛围下的变化；传感器的实时监测信号是在固定频率下，传感器阻抗值的变化。本发明的效果和益处是，相对于报道的块体材料传感器，利用沸石薄膜材料制备的传感器表现出更好的，更灵敏的对神经元有害气体的模拟试剂甲基磷酸二甲酯的感应性能。
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公开(公告)号：CN1888923A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610200689.8
申请日：2006-07-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属于薄膜测试和测量技术领域，涉及到铁电薄膜和压电薄膜电滞回线的测量补偿方法。其特征为：电滞回线测量补偿系统由计算机、数据采集卡、高压放大模块和改进的有源Sawyer－Tower电路组成；根据漏电阻和线性电容对电滞回线的影响关于激励电压正峰值时刻奇对称和偶对称，直接计算漏电阻和线性电容；校正后的本征电滞回线通过计算机显示并存贮。本发明的优点是：铁电薄膜两端电压等于激励电压，不受取样电容的分压影响；由最大激励电压及相邻两点的输入、输出采样数据直接计算漏电阻和线性电容，不需要预先测量或者估计漏电阻和线性电容值，消除了人为主观因素影响，提高了铁电薄膜电滞回线的测量精度和速度。
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公开(公告)号：CN102517640A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110411945.9
申请日：2011-12-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种原位生长金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物纳米线的方法，属于属于材料化工技术领域。其特征是采用半导体蚀刻工艺在绝缘基板的抛光面上制备平行导电电极，将可溶于有机溶剂或者水的金属盐溶液滴覆在制备的电极之间，采用两步双向电泳法，先在电极两端施加频率范围为0-1000赫兹，振幅在1-20伏特之间的交流电场，持续1-50秒，然后将频率增加到高频区2兆到200亿赫兹之间，持续1秒到30分钟，在两电极之间原位生长金属纳米线，然后再将金属纳米线在氧气、氨气、碳氢化合物的气氛下分别在400-1600度下焙烧后，获得对应金属氧化物、金属氮化物或金属碳化物纳米线。本发明的效果和益处是，实现单根纳米线的原位电连接，避免去模板和转移过程存在的技术困难。
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