公开(公告)号：CN102517640A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110411945.9

申请日：2011-12-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 李晓干 ,  余隽 ,  刘丽鹏 ,  孙芳洁 ,  黄正兴 ,  唐祯安 ,  王兢 ,  闫卫平

IPC: C30B30/02 ,  C30B29/62 ,  C30B33/02

Abstract: 一种原位生长金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物纳米线的方法，属于属于材料化工技术领域。其特征是采用半导体蚀刻工艺在绝缘基板的抛光面上制备平行导电电极，将可溶于有机溶剂或者水的金属盐溶液滴覆在制备的电极之间，采用两步双向电泳法，先在电极两端施加频率范围为0-1000赫兹，振幅在1-20伏特之间的交流电场，持续1-50秒，然后将频率增加到高频区2兆到200亿赫兹之间，持续1秒到30分钟，在两电极之间原位生长金属纳米线，然后再将金属纳米线在氧气、氨气、碳氢化合物的气氛下分别在400-1600度下焙烧后，获得对应金属氧化物、金属氮化物或金属碳化物纳米线。本发明的效果和益处是，实现单根纳米线的原位电连接，避免去模板和转移过程存在的技术困难。

公开(公告)号：CN103105421A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310016593.6

申请日：2013-01-16

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 李晓干 ,  刘丽鹏 ,  黄辉 ,  王兢 ,  朱慧超 ,  唐祯安 ,  闫卫平

IPC: G01N27/04

Abstract: 一种基于GaN-Ga2O3核壳结构纳米线半导体气敏材料，属于电子气敏器件技术领域。其特征是：将直径为50-500 nm的GaN纳米线的表面层高温氧化为一层厚度为5-20nm的Ga2O3，得到具有核壳结构GaN-Ga2O3的纳米线半导体气敏材料，该半导体气敏材料可以用于检测O2，H2，H2S，氮氧化物，各种碳氢化合物气体以及氨气等神经元有害气体。本发明的效果和益处是：载体核纳米线尺寸易于制备，而外层氧化获得的Ga2O3敏感材料厚度为5-20nm，接近德拜耗尽层的尺寸，从而获得对气体响应的高灵敏度，解决了直接制备直径为5-20nm Ga2O3纳米线的技术问题，进一步降低制备费用，节省成本。

公开(公告)号：CN102495104A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110413620.4

申请日：2011-12-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 李晓干 ,  孙芳洁 ,  刘丽鹏 ,  余隽 ,  黄正兴 ,  王兢 ,  唐祯安 ,  闫卫平

IPC: G01N27/02

Abstract: 一种基于ZnO表面涂层的Y型沸石材料的神经元有害气体传感器，属于电子气敏器件技术领域。其特征是由具有ZnO表面涂层的Y型沸石气敏材料和金叉指电极构成。将Zn(NO3)2和Y型沸石按质量比3∶7的溶于乙醇中，加热到80℃，搅拌后，将乙醇挥发殆尽，取沉积出的粉末在550℃下焙烧，获得ZnO涂层的沸石粉末，在5000吨的压力下将粉末压成厚膜，获得传感器的气敏材料。再用丝网印刷技术在厚膜表面上印刷金叉指电极，得到最终的传感器。传感器的工作温度在250到350度范围内，信号是在3000Hz的频率下，传感器在流动空气和神经元有害气体中的阻抗变化。本发明的效果和益处是，基于ZnO表面涂层的Y型沸石材料传感器表现出更好的信号恢复性能。