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公开(公告)号：CN109787087A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811246829.4
申请日：2018-10-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明的课题在于在使用由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。氮化物半导体激光元件1在氮化物半导体基板11和n侧包覆层13之间顺次包括：AlGaN层的第一氮化物半导体层121、Al组分比小于第一氮化物半导体层121的AlGaN层的第二氮化物半导体层122、GaN层的第三氮化物半导体层123、InGaN层的第四氮化物半导体层124、以及AlGaN层的第五氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN104603959B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201480002287.X
申请日：2014-07-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 在氮化物半导体发光元件中，依次设置有具有凹凸形状的基板、基底层以及至少具有发光层的氮化物半导体层叠结构。在凹凸形状所包含的凸部的上方且基底层的内部，设置有空洞部分。
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公开(公告)号：CN102881789B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210374452.7
申请日：2012-07-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/04 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件包括：第一导电型氮化物半导体层、设置在第一导电型氮化物半导体层上的超晶格层、设置在超晶格层上的活性层、设置在活性层上的第二导电型氮化物半导体层。超晶格层的平均载流子浓度高于活性层的平均载流子浓度。
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公开(公告)号：CN102097551B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201010569367.7
申请日：2010-12-01
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/22 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，包括：n型氮化物半导体层；发光层，其形成在该n型氮化物半导体层上；第一p型氮化物半导体层，其形成在该发光层上；中间层，其以使覆盖第一p型氮化物半导体层表面的部分和露出第一p型氮化物半导体层表面的部分交替的方式形成在第一p型氮化物半导体层上；第二p型氮化物半导体层，其形成在该中间层上。中间层由作为构成元素含有Si和N的化合物构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101593805B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200910149974.5
申请日：2007-11-22
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，所述器件包括衬底，以及形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层、发光层、第一p型氮化物半导体层、第二p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层和第二n型氮化物半导体层，所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成了隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层具有比所述第二p型氮化物半导体层的铟含量比率更高的铟含量比率。所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个包括铝。
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公开(公告)号：CN101188262B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710169305.5
申请日：2007-11-22
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，所述器件包括衬底，以及形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层、发光层、第一p型氮化物半导体层、第二p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层和第二n型氮化物半导体层，所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成了隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层具有比所述第二p型氮化物半导体层的铟含量比率更高的铟含量比率。所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个包括铝。
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公开(公告)号：CN101276875B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810088422.3
申请日：2008-03-26
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括n型半导体层、有源层、n型半导体层和有源层之间的第一p型半导体层，以及在有源层的与第一p型半导体层相对的侧上的第二p型半导体层。此外，本发明涉及氮化物半导体发光器件，其包括n型氮化物半导体层、氮化物半导体有源层、n型氮化物半导体层和氮化物半导体有源层之间的第一p型氮化物半导体层、以及在氮化物半导体有源层的与第一p型氮化物半导体层相对的侧上的第二p型氮化物半导体层。根据本发明，能够抑制有源层的结晶度恶化并具有高发光效率和高电流密度。
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公开(公告)号：CN101262037B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810085293.2
申请日：2008-03-10
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/025
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置，其包括：基板；形成于所述基板上的第一n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层、和第二n型半导体层，其中p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层形成隧道结，p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层的至少之一包含In，至少一含In层与具有比所述含In层更大的带隙的层接触，并且所述含In层和所述具有更大的带隙的层的界面与p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层的界面之间的至少一最短距离小于40nm。根据本发明，可以提供能够减小驱动电压的氮化物半导体发光装置。
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公开(公告)号：CN101593805A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910149974.5
申请日：2007-11-22
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，所述器件包括衬底，以及形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层、发光层、第一p型氮化物半导体层、第二p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层和第二n型氮化物半导体层，所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成了隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层具有比所述第二p型氮化物半导体层的铟含量比率更高的铟含量比率。所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个包括铝。
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