公开(公告)号：CN107851406A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680040341.9

申请日：2016-07-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村重正悟 ,  石田和泉 ,  小坂知裕 ,  冈部达 ,  原猛 ,  锦博彦

IPC: G09F9/30 ,  B81B3/00 ,  B81B7/04 ,  G02B26/02 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 ,  H05B33/24 ,  H05B33/26

Abstract: 抑制设置在有源矩阵基板的TFT与基板之间的膜的端部产生裂缝。有源矩阵基板具有多个TFT。有源矩阵基板11具备基板100、TFT、透光膜204以及保护膜Cap4。TFT与多个像素分别对应地设置在基板100上。透光膜204设置于TFT与基板100之间。保护膜Cap4覆盖透光膜204的不与基板100平行的端面204b。TFT具有栅极电极、栅极绝缘膜、半导体膜、漏极电极以及源极电极。保护膜Cap4配置于透光膜204与TFT的半导体膜之间。

公开(公告)号：CN106104810A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580013007.X

申请日：2015-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 锦博彦 ,  笹仓朗 ,  冈部达

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体器件具备薄膜晶体管(100)，薄膜晶体管(100)包括衬底(1)、设置在衬底(1)上的栅极电极(3)、形成在栅极电极(3)上的栅极绝缘层(5)、形成在栅极绝缘层(5)上的岛状的氧化物半导体层(7)、以覆盖氧化物半导体层(7)的上表面(7u)和整个侧面(7e)的方式设置并且具有仅使氧化物半导体层(7)的上表面(7u)的一部分露出的单个开口部(9p)的保护层(9)、在单个开口部(9p)内与氧化物半导体层(7)分别接触的源极电极(11)和漏极电极(13)。

公开(公告)号：CN102652330A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080056072.8

申请日：2010-12-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  锦博彦 ,  太田纯史 ,  水野裕二(已死亡) ,  原猛 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川兴史 ,  春本祥征

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248

Abstract: 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。

公开(公告)号：CN101558685A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200780044986.0

申请日：2007-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神崎庸辅 ,  锦博彦 ,  冈部达

IPC: H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01J9/221 ,  H01L27/3288 ,  H01L2251/5361 ,  H01L2251/568

Abstract: 本发明提供一种单色EL显示元件、单色EL背光源、显示装置和单色EL显示元件的制造方法。单色EL显示元件包括：基板；设置在基板上的多根信号线；多个像素电极，其分别通过连接配线与对应的上述多根信号线的一个电连接，作为整体构成矩阵，并且互相分离设置；和设置在上述多个像素电极上的单色EL层。

公开(公告)号：CN100446236C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200610006650.2

申请日：2003-03-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 锦博彦 ,  小林和树

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L27/28 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/3244

Abstract: 一种晶体管阵列，包括：导体线、功能线和晶体管。每个导体线包括芯线和包覆在芯线上的导体层。每条功能线包括至少表面导电的芯线、包覆芯线的绝缘层和包覆绝缘层的半导体层。每条功能线和导体线交叉接触。每个晶体管包括第一欧姆接触区，第一欧姆接触区被定义为导体线之一和功能线之一交叉的区域，它和半导体层欧姆接触。每个晶体管还包括与半导体层欧姆接触的第二欧姆接触区，以及定义第一和第二欧姆接触区之间的半导体层上的沟道区。

公开(公告)号：CN1288478C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03130926.7

申请日：1998-07-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 久保真澄 ,  鸣泷阳三 ,  伴厚志 ,  岛田尚幸 ,  吉村洋二 ,  片山干雄 ,  石井裕 ,  锦博彦

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13725 ,  G02F2001/133638 ,  G02F2001/13712

Abstract: 公开了一种液晶显示器件，它包括第一基片、第二基片和置于第一基片和第二基片之间的液晶层，其中所述第一基片包括许多栅线、与所述许多栅线交叉排列的许多源线、置于所述许多栅线和所述许多源线的交点附近的许多开关元件、以及与所述许多开关元件相连的许多象素电极，第二基片包括对置电极，由许多象素电极、对置电极、以及置于所述许多象素电极和对置电极之间的液晶层限定了许多象素区，并且所述象素区中的每一个均含有反射区和透射区。

公开(公告)号：CN1495479A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03130926.7

申请日：1998-07-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 久保真澄 ,  鸣泷阳三 ,  伴厚志 ,  岛田尚幸 ,  吉村洋二 ,  片山干雄 ,  石井裕 ,  锦博彦

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13725 ,  G02F2001/133638 ,  G02F2001/13712

Abstract: 揭示一种用于显示包含多个象素的图象的液晶显示器件，包括第一基片、第二基片以及置于第一基片和第二基片之间的液晶层，对应于所述多个象素中一个象素的象素区，其中所述象素区包括具有光反射率的反射区和具有光透射率的透射区，在显示图象中利用来自所述反射区的反射光和来自所述透射区的透射光，所述透射区和所述反射区中的一个区位于所述象素的中心部分，而另一个区基本环绕所述象素中所述透射区和所述反射区的所述这个区。

公开(公告)号：CN108780621B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201780018517.5

申请日：2017-03-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  中岛伸二 ,  石田和泉 ,  村重正悟

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板、其制造方法和显示装置，在显示面板的制造工序中能够抑制静电放电的发生，并且能够抑制制造成本。在IGZO膜被构成栅极绝缘膜的氧化硅膜和蚀刻阻挡层夹着的状态下，在用于保护TFT的钝化膜形成之后，在200～350℃下进行退火，并且是IGZO膜从导体变化为半导体。其结果是，不仅能够抑制ESD的发生，而且能够不需要从显示面板分离静电放电防止电路，所以能够降低显示装置的制造成本。

公开(公告)号：CN110121785A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201780080983.6

申请日：2017-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中岛伸二 ,  锦博彦 ,  武田悠二郎 ,  村重正悟

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205

Abstract: 半导体装置具备基板(21)和支撑于基板的氧化物半导体TFT(20)，氧化物半导体TFT(20)包括：含有In、Ga以及Zn的氧化物半导体层(27)、栅极电极(23)、形成于栅极电极(23)与氧化物半导体层(27)之间的栅极绝缘层(25)、以及与氧化物半导体层(27)接触的源极电极(28)及漏极电极(29)，氧化物半导体层(27)具有包括第1层(31)、第2层(32)以及配置于第1层与第2层之间的中间过渡层(33)的层叠结构，第1层(31)比第2层(32)靠栅极绝缘层侧配置，第1层(31)和第2层(32)具有不同的组成，中间过渡层(33)具有从第1层侧向第2层侧连续地变化的组成。

公开(公告)号：CN109698218A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811224781.7

申请日：2018-10-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  细川真里 ,  中村好伸 ,  锦博彦

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/12

Abstract: 提供能使要求特性不同的多个氧化物半导体TFT适当地混合存在于有机EL显示装置和有源矩阵基板的构成。有机EL显示装置具备基板和设置于各像素的像素电路。像素电路包括包含第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和包含第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT。第1氧化物半导体TFT具有顶栅结构。第2氧化物半导体TFT具有底栅结构。第2氧化物半导体TFT具有屏蔽电极，上述屏蔽电极设置于在第2氧化物半导体层上形成的绝缘层上，与第2氧化物半导体层相对。