-
公开(公告)号：CN105765498B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201480058034.4
申请日：2014-08-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的某实施方式的带触摸传感器的显示装置(100)具备：具有多个像素电极(2)的像素基板(20)；与像素基板(20)相对的相对基板(10)；在第1方向和与第1方向不同的第2方向上延伸的黑矩阵(8)；以及在第1方向上延伸的触摸传感器电极(6)。在从与相对基板(10)的平面方向垂直的方向观看相对基板(10)时的俯视时，黑矩阵(8)的在第1方向上延伸的线的第2方向的宽度比黑矩阵(8)的在第2方向上延伸的线的第1方向的宽度宽，触摸传感器电极(6)的在第1方向上延伸的线的第2方向的宽度(W1)比黑矩阵(8)的在第1方向上延伸的线的第2方向的宽度(W2)窄，触摸传感器电极(6)的在第1方向上延伸的线与黑矩阵(8)的在第1方向上延伸的线重叠。
-
公开(公告)号：CN107003769A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065237.0
申请日：2015-11-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G06F3/041 , G02F1/133 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G06F3/044
Abstract: 液晶显示装置10具备：TFT19、像素电极20、公共电极23、阵列基板11b、CF基板11a、设置在CF基板11a上的检测电极38、设置在CF基板11a上的驱动电极39、向TFT19提供扫描信号Vscan及数据信号Vpix而进行显示驱动的作为显示驱动部的驱动器16及行控制电路部37b、至少在由作为显示驱动部的行控制电路部37b向TFT19提供扫描信号Vscan而驱动TFT19的扫描写入期间中，向驱动电极39提供驱动信号Vdri而驱动驱动电极39的触摸控制器48，其中，触摸控制器48通过向驱动电极39提供驱动信号Vdri并检测出检测电极38所输出的位置检测信号Vdet而进行位置检测控制。
-
公开(公告)号：CN106461994A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580023538.7
申请日：2015-04-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G06F3/041 , G06F3/044
CPC classification number: G02F1/13338 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13456 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F3/044 , G06F2203/04108
Abstract: 带传感器的显示装置(1)具备：第1基板(20a)；相对的第2基板(20b)；液晶层(LC)；多个第1线(15)，其在像素区域(AA)中在第1方向延伸；第2线，其在与第1方向不同的第2方向延伸；像素开关元件，其按每个像素设置，连接到第1线和第2线；多个传感器用电极(SE、DL)，其设置在第1基板和第2基板中的至少任意一方的与像素区域重叠的位置，用于检测对象物的接触或接近；以及多个传感器引出线，其在第1基板的像素区域中与第1线或第2线并行地设置，与多个传感器用电极分别连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102473643B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080029882.4
申请日：2010-06-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 多田宪史
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/02 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F2001/133357 , H01L27/1218 , H01L29/78633
Abstract: 在第1绝缘膜的表面形成多个遮光膜等。之后，在相邻的遮光膜等彼此之间的第2绝缘膜的表面形成离第1绝缘膜的表面的高度与遮光膜等上的第2绝缘膜的表面高度相同的伪图案。接着，在第2绝缘膜的表面形成覆盖伪图案并且具有平坦表面的第3绝缘膜。之后，将基体层以第3绝缘膜的平坦表面贴附在支撑基板上。这样制造半导体装置。
-
公开(公告)号：CN101911247B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880122343.8
申请日：2008-09-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/732 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/6659 , H01L29/66772 , H01L29/7833
Abstract: 本发明具有：在基体层形成器件部的器件部形成工序、在基体层形成剥离层的剥离层形成工序、把形成有器件部的基体层粘贴到基板的粘贴工序、以及通过把粘贴到基板的基体层加热沿着剥离层分离去除基体层的深度方向的一部分的分离工序；进一步地，还包括在分离工序之后进行的用来调整元件的P型区域的杂质浓度向基体层离子注入P型杂质元素的离子注入工序。
-
公开(公告)号：CN102714138A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080059547.9
申请日：2010-12-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/00 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1251 , H01L29/7833 , H01L2224/08225 , H01L2224/80896
Abstract: 一种半导体装置(130)，具备：被接合基板(100)；薄膜元件(80)，其形成于被接合基板(100)上；以及半导体元件(90)，其接合到被接合基板(100)上，是在半导体元件主体(50)的被接合基板(100)侧层叠多个基底层(51～54)而形成的，多个基底层(51～54)分别具有绝缘层和层叠于该绝缘层的电路图案，半导体元件(90)的薄膜元件(80)侧的端部以各基底层(51～54)的薄膜元件(80)侧的端部随着朝向被接合基板(100)侧而逐渐地突出的方式设成阶梯状，并且由树脂层(120)包覆，薄膜元件(80)和半导体元件主体(50)通过设于树脂层(120)上的连接配线(121a)而相互连接。
-
公开(公告)号：CN101884096B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200880119080.5
申请日：2008-11-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/263 , H01L27/1214 , H01L29/6675 , H01L29/7836
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。
-
公开(公告)号：CN101911247A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880122343.8
申请日：2008-09-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/732 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/6659 , H01L29/66772 , H01L29/7833
Abstract: 本发明具有：在基体层形成器件部的器件部形成工序、在基体层形成剥离层的剥离层形成工序、把形成有器件部的基体层粘贴到基板的粘贴工序、以及通过把粘贴到基板的基体层加热沿着剥离层分离去除基体层的深度方向的一部分的分离工序；进一步地，还包括在分离工序之后进行的用来调整元件的P型区域的杂质浓度向基体层离子注入P型杂质元素的离子注入工序。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.038 seconds)
