公开(公告)号：CN112711149B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202011137059.7

申请日：2020-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 平田义晴 ,  原义仁 ,  北川英树 ,  川崎达也 ,  前田昌纪 ,  上田辉幸 ,  近间义雅 ,  今井元 ,  大东彻

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

Abstract: 有源矩阵基板具备：多个TFT；层间绝缘层；公共电极，分离成分别作为触摸传感器电极发挥功能的多个分段；第一电介质层；多个像素电极；第二电介质层；以及多个触摸布线，各像素电极隔着第一电介质层与公共电极部分重叠，由此形成辅助电容，多个触摸传感器电极包括第一电极，多个触摸布线包括与第一电极电连接的第一布线以及与其他电极电连接的第二布线，第二布线在从基板的法线方向看时，横穿第一电极而延伸到其他电极，第二布线的一部分隔着第一电介质层和第二电介质层与第一电极重叠，由此形成触摸布线电容。

公开(公告)号：CN107004718B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201580063805.3

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：基板(1)；将氧化物半导体层5作为活性层的薄膜晶体管(101)；含有铜的至少一层金属配线层(7S、7D)；配置于至少一层金属配线层(7S、7D)的上面的含有铜的金属氧化膜(8)；隔着金属氧化膜(8)而覆盖至少一层金属配线层的绝缘层(11)；于形成在绝缘层(11)的开口部内，未隔着金属氧化膜(8)而与至少一层金属配线层的一部分直接相接的导电层(19)。

公开(公告)号：CN112349732A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010782151.2

申请日：2020-08-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  大东彻 ,  今井元 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  北川英树 ,  平田义晴

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 有源矩阵基板包括栅极总线、源极总线、下部绝缘层以及氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层、栅电极、源电极、以及连接氧化物半导体层以及源电极的第一欧姆导电部，下部绝缘层具有使源电极的至少一部分露出的源极用开口部，第一欧姆导电部配置在下部绝缘层上以及源极用开口部内，且在源极用开口部内与源电极的至少一部分直接接触，氧化物半导体层的第一区域与第一欧姆导电部的上表面直接接触。

公开(公告)号：CN112071860A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010444250.X

申请日：2020-05-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  原义仁 ,  前田昌纪 ,  平田义晴 ,  川崎达也 ,  上田辉幸 ,  今井元 ,  大东彻

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板以及其制造方法。有源矩阵基板包括：基板；多个下部总线以及多个上部总线；下部绝缘层，位于多个下部总线与多个上部总线之间；氧化物半导体TFT，是配置在各像素区域的氧化物半导体TFT，包含配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层；像素电极，配置在各像素区域；多个配线连接部，配置在非显示区域。各配线连接部包含：下部导电层，使用与多个下部总线相同的导电膜而形成；绝缘层，是在下部导电层上延伸设置的，包含下部绝缘层的绝缘层，包含露出下部导电层的一部分的第一开口部；其他导电层，在第一开口部内连接在下部导电层。多个下部总线以及下部导电层包含：包含金属层、和覆盖金属层的上面以及侧面的透明导电层。

公开(公告)号：CN108780620A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780016987.8

申请日：2017-03-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郎 ,  大东彻 ,  今井元 ,  伊藤俊克 ,  越智久雄 ,  北川英树 ,  铃木正彦 ,  上田辉幸 ,  郡司辽佑 ,  原健吾 ,  西宫节治

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 有源矩阵基板具备：基板(1)；周边电路，其包含第1氧化物半导体TFT(101)；多个第2氧化物半导体TFT(102)，其配置在显示区域内；以及第1无机绝缘层(11)，其覆盖多个第2氧化物半导体TFT(102)，第1氧化物半导体TFT(101)具有：下部栅极电极(3A)；栅极绝缘层(4)；氧化物半导体层(5A)，其配置为隔着栅极绝缘层与下部栅极电极相对；源极电极(7A)和漏极电极(8A)；以及上部栅极电极(BG)，其隔着包含第1无机绝缘层(11)的绝缘层配置在氧化物半导体层(5A)之上，在上部栅极电极(BG)之上，还具有覆盖第1氧化物半导体TFT(101)的第2无机绝缘层(17)。

公开(公告)号：CN107004719A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064210.X

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  铃木正彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(101)；以覆盖薄膜晶体管(101)且与薄膜晶体管(101)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极电极(7S)及漏极电极(7D)各自具有铜层(7a)，进一步具备配置于源极及漏极电极与层间绝缘层(11)之间的铜氧化膜(8)，层间绝缘层(11)隔着铜氧化膜(8)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜氧化膜(8)而与漏极电极(7D)的铜层(7a)直接相接。

公开(公告)号：CN102246128B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200980149534.8

申请日：2009-08-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  今井元 ,  村井淳人

IPC: G02F1/1362 ,  H01L31/101 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044

CPC classification number: H01L31/101 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的显示装置具有显示部(100)和传感器电路部(200)，用于对上述传感器电路部(200)的电荷存储元件(202)提供电源的驱动配线RW与连接到上述显示部(100)的显示驱动用TFT元件(101)的栅极电极(102)的栅极配线G隔着层间绝缘膜重叠而形成。由此，即使内置传感器电路部，也可以实现能够抑制开口率的降低且减少配线之间所产生的寄生电容、提高传感器灵敏度的具有光传感器内置像素的显示装置。

公开(公告)号：CN102067072B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200980122922.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  北川英树 ,  田中信也

IPC: G06F3/041 ,  G01J1/42 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G01J1/46 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/13338 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0876

Abstract: 矩阵型显示装置具备设置于显示区域并输出与照射光的强度对应的信号的光传感器(54)、构成将上述信号作为栅极输入的源极跟随器的n沟道型TFT(52)以及通过检测TFT(52)的源极跟随器输出来进行上述照射光的强度的检测的光强度检测单元，对TFT(52)的漏极输入第1脉冲信号(Vpulse2)，所述第1脉冲信号(Vpulse2)具有在上述信号输入到TFT(52)的栅极的状态下从低电平上升到高电平的第1脉冲。

公开(公告)号：CN101978505B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200980110296.X

申请日：2009-01-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中信也 ,  菊池哲郎 ,  今井元 ,  北川英树 ,  片冈义晴

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/12 ,  G09G3/3677 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L28/86

Abstract: TFT(61)具备：第1电容(61b)，其由第2电容电极(64a)和连接到源极电极(62)的第1电容电极(62a)形成；第2电容(61c)，其由第3电容电极(62b)和第4电容电极(64b)形成；第1引出配线(62i)；第2引出配线(64h)，其连接到栅极电极(64)；第3引出配线(62j)；第4引出配线(64i)；第1配线(62c)；以及第2配线(64c)。由此，实现即使连接到TFT主体部的电容发生了漏电也难以使TFT整体的成品率降低的TFT。

公开(公告)号：CN102870220A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180021486.1

申请日：2011-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西村淳 ,  北川英树 ,  村井淳人 ,  今井元 ,  田中信也 ,  今出光则 ,  菊池哲郎 ,  嶋田纯也 ,  森本一典

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L29/78663 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/13624 ,  G06F3/0412 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 氧化物TFT元件（3）的源漏电极层（3s、3d）由第一导电层形成，氧化物TFT元件（3）的栅极电极（3g）和a-SiTFT元件（5）的栅极电极（5g）由作为相同导电层的第二导电层形成，a-SiTFT元件（5）的源漏电极层（5s、5d）由第三导电层形成，在绝缘基板（2）叠层各导电层的厚度方向上，上述第三导电层形成于上述第二导电层的上层，上述第一导电层形成于上述第二导电层的下层。因此，能够实现能提高形成于绝缘基板上的晶体管元件的集成度的电路基板。