公开(公告)号：CN101777580B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910247547.0

申请日：2009-12-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  臧松干 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括一个源极、一个漏极、一个栅极、以及一个衬底。所述半导体器件的沟道向衬底内凹陷，使其漏电流降低的同时驱动电流上升。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流、集成度高等优点，采用本发明的集成电路的静态功耗可以得到降低，集成度也可以得到提高。

公开(公告)号：CN101930927A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010260824.4

申请日：2010-08-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  臧松干 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明属于半导体芯片技术领域，具体为一种自对准的U型沟槽制造方法。包括：以氧化硅为掩膜刻蚀半导体衬底；形成氮化硅侧墙；在暴露的半导体衬底上生长氧化硅；剥除氮化硅侧墙；以氧化硅为掩膜刻蚀暴露出的半导体衬底形成器件的U型沟槽。本发明采用自对准的技术来制造U型沟槽，可以降低图形的对准失配，提高产品的制造良率，特别适用于隧穿晶体管的制造。

公开(公告)号：CN101901837A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010209299.3

申请日：2010-06-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  臧松干 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种栅控PN场效应晶体管及其控制方法。本发明公开的栅控PN场效应晶体管，包括一个半导体衬底区、位于所述衬底区左右两侧的漏区和源区、位于所述衬底区上下两侧的栅区。所述的栅控PN场效应晶体管工作在源漏pn结的正偏状态下，而且是从衬底区中央开始导通。本发明所提出的栅控PN场效应晶体管在减小漏电流的同时也增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。本发明还公开了一种上述栅控PN场效应晶体管的控制方法，包括截止、导通操作。

公开(公告)号：CN101866858A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010186373.4

申请日：2010-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/22

Abstract: 本发明公开了一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。采用本发明的凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，工艺过程简单，效率高，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN101777557A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200910247549.X

申请日：2009-12-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  臧松干 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种半导体电路结构及其制备方法。该半导体电路包括一个凹陷沟道的p型MOS管和一个n型隧穿晶体管(TFET)。所述的p型MOS管和n型隧穿晶体管的沟道向衬底内凹陷，使其漏电流降低。本发明还公开了上述半导体电路结构的制造方法。本发明公开的半导体电路结构具有低漏电流、高集成度等优点。采用本发明的集成电路的静态功耗可以得到降低，集成度也可以得到提高。