公开(公告)号：CN113805711B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202111008992.9

申请日：2021-08-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李艳丽 ,  伍强 ,  朱小娜 ,  尹睿

IPC: G06F3/033 ,  G06F3/038 ,  A63F13/214 ,  A63F13/24

Abstract: 本发明属于电子运动设备技术领域，具体为一种脚控位移输入装置。本发明通过脚掌操控输入操作，通过直流电机或圆形格栅角位移编码器实现脚底位移信号转化为电信号；最后通过USB接口将信号输入到电脑中，驱动与运动相关的程序；输入装置包括脚控位移信号传感器，其结构有两种形式：一为直流电机驱动式，包括：滚球、支撑轴承、软质圆柱、弹性薄片、固定支架、直流电机、运算放大器和单片机；另一种为角位移编码器驱动式，即将前一种位移传感器中的直流电机替换以为角位移编码器。本发明装置无需额外占地，无需安全防护装置，正常桌椅与带有USB接口的电脑就可使用。应用场景包括如2D、3D游戏，地图历经，360°VR街景体验，实景虚拟参观等。

公开(公告)号：CN114203706A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111528268.9

申请日：2021-12-14

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 丁荣正 ,  俞少峰 ,  朱小娜 ,  朱宝 ,  尹睿

IPC: H01L27/11

Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，使得静态随机存取存储器的存储单元结构在制造时能够使用连续的鳍式结构，无需切断鳍式结构工艺，降低了工艺风险，降低了成本，并且所述第一位线、所述第二位线、所述第一互连线、所述第二互连线、所述第一电源线和所述第二电源线平行于所述第一方向，所述字线垂直于所述第一方向，结合场效应晶体管，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。

公开(公告)号：CN112490290A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011363677.3

申请日：2020-11-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱小娜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括铁电层衬底、栅极、源极、漏极、浅沟槽隔离结构和侧墙，所述铁电层衬底自下而上包括第一硅层、第一氧化层、铁电层、第二氧化层和第二硅层，所述栅极自下而上包括层间介质层、介电层、保护层和金属层。所述半导体器件中，所述铁电层的材料为铁电性材料，所述介电层的材料包括二氧化铪基高介电常数材料或二氧化铪基材料中的一种，能够在写入时在表面栅和底电极施加相反或相同的电压信号，使所述铁电层和所述介电层朝相同方向极化或相反方向极化，抑或通过所述铁电层和所述介电层写入方向调控半导体器件的存储状态，从而实现多态存储。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。