公开(公告)号：CN101857206A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010175147.6

申请日：2010-05-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴晓京 ,  卢茜 ,  张昕 ,  朱玮 ,  周永宁

IPC: C01B21/06 ,  C01B21/068 ,  C01B21/072 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体涉及一种具有阻变性质的金属氮化物材料及其应用。本发明所述的金属氮化物为MxN，M为Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Si、Ga、In、Sc或Y，或者上述金属材料中任意两种或两种以上元素的合金，0.2≤x≤4，可以通过多种常规薄膜制备方法制备，通过对薄膜中氮含量的调控，使金属氮化物具有电阻转变性能。该材料能够作为中间阻变层应用于RRAM元器件中。所述RRAM元器件由下电极层、在下电极上的阻变金属氮化物层以及在阻变层上的上电极层构成。这种三明治结构与传统集成电路工艺高度兼容。本发明为阻变材料的选择提出了一个新的方向，有利于RRAM存储器向低成本、高性能方向发展。

公开(公告)号：CN101672920A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910197207.1

申请日：2009-10-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴晓京 ,  王一鹏 ,  张昕

IPC: G01T1/02 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明属于等离子体技术领域，具体涉及一种等离子体浸没注入剂量标定方法。所述的标定方法为通过实时测定等离子体浸没注入过程中的脉冲电压和回路电流，并且通过对电流在脉冲时间内的积分，剔除二次电子的成分来得到离子电流的成分，从而进行离子注入剂量的标定。此方法得到了一个最后标定的公式，根据不同的注入离子类型，靶材类型以及不同的注入参数可以修改其参数达到剂量标定的准确性。本发明解决了使用纯粹理论模型测量等离子体密度的复杂和剂量标定误差大的缺点，可以在等离子体浸没注入的范围内广泛使用。