公开(公告)号：CN103890930A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050984.3

申请日：2012-10-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·张 ,  L·张 ,  M·A·古罗恩 ,  W·E·亨施

IPC: H01L21/82

Abstract: 存储器基元、存储器基元阵列以及制造嵌入式DRAM中的具有多栅晶体管的存储器基元的方法，所述多栅晶体管例如是完全耗尽的finFET或纳米线晶体管。所述存储器基元包括沟槽电容器、非平面晶体管以及将所述沟槽电容器电耦接到所述非平面晶体管的自对准硅化物互连。

公开(公告)号：CN103890918A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280052538.6

申请日：2012-10-25

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： J·B·张 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  M·A·古罗恩 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 各向异性氮化硅蚀刻通过在硅表面和氧化硅表面上形成包含氟代烃的聚合物而提供相对于硅和氧化硅的选择性。采用选择性的氟代烃沉积来提供相对于非氮化物表面的选择性。包含氟代烃的聚合物与氮化硅相互作用以形成挥发性化合物，由此使得能够蚀刻氮化硅。包含氟代烃的聚合物以低反应速率与氧化硅相互作用，延迟或者完全停止对氧化硅的蚀刻。包含氟代烃的聚合物不与硅相互作用，并且保护硅不受等离子体蚀刻。在包括小于50nm的小尺寸的任何尺寸下，都可以采用该各向异性氮化硅蚀刻来相对于硅和氧化硅选择性地蚀刻氮化硅。

公开(公告)号：CN103855091A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310625288.7

申请日：2013-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·常 ,  P·常 ,  M·A·古罗恩 ,  J·W·斯雷特

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L27/1211 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。形成第一和第二半导体材料的交替叠层。在所述交替叠层上形成限定鳍片的掩模结构。随后形成平面化电介质层以及其中的第一和第二栅极腔。通过采用所述平面化层和所述限定鳍片的掩模结构作为蚀刻掩模蚀刻所述交替叠层，向下延伸所述第一和第二栅极腔。所述无锗的硅材料被各向同性蚀刻以横向扩展所述第一栅极腔并且形成包括所述硅锗合金的第一半导体纳米线阵列；并且所述硅锗合金被各向同性蚀刻以横向扩展所述第二栅极腔并且形成包括所述无锗的硅材料的第二半导体纳米线阵列。用替代栅结构填充所述第一和第二栅极腔。每个替代栅结构可以横向围绕二维半导体纳米线阵列。