公开(公告)号：CN102239545A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201080003486.4

申请日：2010-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  大泽佑介 ,  堀込正弘

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明涉及的成膜方法首先使成为半导体元件的基础的被处理基板(W)保持在保持台(34)上。接着，使成膜气体吸附到被处理基板(W)上(图6(A))。然后，为了除去多余吸附的成膜气体，对处理容器(32)内进行排气(图6(B))。在排气后，进行基于微波的等离子体的处理(图6(C))。在等离子体处理结束后，为了除去未反应的反应气体等，对处理容器(32)内进行排气(图6(D))。重复步骤(A)～步骤(D)的一连串流程直至成为所希望的膜厚。

公开(公告)号：CN101861641A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116223.7

申请日：2008-10-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  西塚哲也 ,  野沢俊久 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32954 ,  H05H1/46

Abstract: 等离子体处理装置11包括：天线部13，其将微波作为等离子体源，并且生成等离子体以在腔室内形成等离子体的电子温度相对高的第一区域25a和等离子体的电子温度比第一区域25a低的第二区域25b；第一配置单元，其使半导体衬底W位于第一区域25a内；第二配置单元，其使半导体衬底W位于第二区域25b内；以及停止等离子体生成单元，其在使半导体衬底W位于第二区域25b的状态下，使得由等离子体生成单元进行的等离子体的生成停止。

公开(公告)号：CN300807135D

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200730144529.1

申请日：2007-04-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 上田博一 ,  大塚康弘

Abstract: 仰视图、左视图分别与俯视图、右视图对称，故省略仰视图和左视

公开(公告)号：CN300764254D

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200730144528.7

申请日：2007-04-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 上田博一 ,  大塚康弘

Abstract: 仰视图、左视图分别与俯视图、右视图对称，故省略仰视图和左视图。