氢氧化镍/二硫化钴复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111403180A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN202010119040.3

    申请日:2020-02-26

    Abstract: 本发明属于电容器材料技术领域,具体涉及一种氢氧化镍/二硫化钴复合材料及其制备方法和应用。该氢氧化镍/二硫化钴复合材料的制备方法包括如下步骤:提供碳布,在所述碳布表面生长钴基金属有机骨架材料;将生长有所述钴基金属有机骨架材料的碳布置于含有硫源的醇溶液中,进行加热处理,在所述碳布表面生成二硫化钴纳米棒;随后在所述二硫化钴纳米棒表面沉积氢氧化镍,得到所述氢氧化镍/二硫化钴复合材料。该制备方法得到的氢氧化镍/二硫化钴复合材料具有很好的电化学性能和柔性,将其用作电极材料用于柔性超级电容器中,不仅具有较高的能量密度和长的循环性能,而且具有很好的柔性,因此,具有很好的应用价值。

    碳化硅焊前表面处理方法及碳化硅与高温合金的焊接方法

    公开(公告)号:CN116161985B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202310042039.9

    申请日:2023-01-12

    Abstract: 本发明提供了一种碳化硅焊前表面处理方法及碳化硅与高温合金的焊接方法,涉及异质材料连接技术领域。本发明通过激光对碳化硅陶瓷表面进行焊前改性处理,控制激光扫射的关键参数,实现对陶瓷表面的碳化及织构一体化处理。在后续与金属钎焊时,易于在陶瓷表面优先碳化生成碳化物,充当阻隔层,减少金属向陶瓷扩散,避免陶瓷金属化和脆化。同时,本发明对陶瓷材料基本上不产生破坏,且操作简单、成本低,改善了与金属钎焊时钎料的铺展情况,拓扑学上缓解残余应力以及形成钉扎效应。

    表面改性金刚石膜片及其制备方法

    公开(公告)号:CN115491639B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202211261605.7

    申请日:2022-10-14

    Abstract: 本发明提供一种表面改性金刚石膜片及其制备方法,涉及材料表面改性技术领域,其中表面改性金刚石膜片包括金刚石膜片和设置在金刚石膜片表面的金属化薄膜,金属化薄膜包括依次设置在金刚石膜片表面的Cr金属层和NiTi合金层,本发明的表面改性金刚石膜片引入多层金属化薄膜,从而达到同时改善金刚石与金属化薄膜结合强度和金刚石可加工性能的效果;本发明的表面改性金刚石膜片的制备方法采用磁控溅射表面改性技术,可以快速地实现多层金属及合金薄膜的沉积,镀层表面平整,厚度可以得到有效控制,进一步的热处理可有效提高金刚石与金属化薄膜的结合强度。

    用于窄间隙焊接的等离子-MIG复合焊接装置

    公开(公告)号:CN109773359B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN201910171431.7

    申请日:2019-03-07

    Abstract: 本发明公开了一种用于窄间隙焊接的等离子‑MIG复合焊接装置,属于高效焊接与特种焊接技术领域,包括等离子焊接模块、熔化极焊接模块、左送气管和右送气管;所述左送气管、所述等离子焊接模块、所述熔化极焊接模块、和所述右送气管依次设置,排成一排;等离子焊接模块用于提供等离子弧;熔化极焊接模块,用于提供能够往复摆动的MIG电弧;左送气管和所述右送气管,在所述左送气管和所述右送气管上均设置导磁板,所述导磁板将磁场稳定在所述等离子焊接模块提供的等离子弧周围,以使所述等离子弧能够摆动;所述等离子弧和所述MIG电弧两种电弧协同摆动,能够实现两种电弧的耦合,进而实现中厚板材的窄间隙焊接。

    Ga-LLZO固体电解质及其晶粒异常长大的抑制方法

    公开(公告)号:CN116231053A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310273634.3

    申请日:2023-03-21

    Abstract: 本发明提供了一种Ga‑LLZO固体电解质及其晶粒异常长大的抑制方法,涉及锂电池技术领域,所述Ga‑LLZO固体电解质晶粒异常长大的抑制方法包括如下步骤:通过Li2CO3、La2O3、ZrO2和Yb2O3,得到LLYZO粉;通过Li2CO3、La2O3、ZrO2和Ga2O3,得到Ga‑LLZO粉;将所述LLYZO粉和所述Ga‑LLZO粉混合并球磨干燥后得到复合母粉;将所述复合母粉压力成型为片层结构,并经煅烧处理后,冷却至室温,得到晶粒细小且均匀的Ga‑LLZO固体电解质,不存在晶粒异常长大的现象。

    一种低温磁性玻璃钎料及其制备方法和应用其连接铁氧体的方法

    公开(公告)号:CN112719693B

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202011451260.2

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本发明涉及一种低温磁性玻璃钎料及其制备方法和应用其连接铁氧体的方法,属于铁氧体焊接技术领域。本发明提供的玻璃钎料成分为xBi2O3‑yCoO‑yFe2O3‑20B2O3(mol.%,x=30~60,y=10~25),该玻璃钎料的物理化学性能接近铁氧体。且本申请采用熔融冷淬法制备玻璃钎料,将其涂覆在铁氧体母材表面,实现在较低温条件下磁性玻璃钎料连接铁氧体,使焊缝具有良好的力学性能和长期服役稳定性的同时,具有良好的与母材相近的磁性能。此外,本发明在连接铁氧体连接过程中热处理使得玻璃析出磁性CoFe2O4晶相,能够同时提高焊缝力学性能和磁性能,实现铁氧体的可靠连接与拓宽铁氧体的应用领域。

    碳化硅陶瓷复合材料与镍基高温合金的连接方法及接头

    公开(公告)号:CN114133264A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111600322.6

    申请日:2021-12-24

    Abstract: 本发明提供了一种碳化硅陶瓷复合材料与镍基高温合金的连接方法及接头,涉及材料焊接技术领域,所述碳化硅陶瓷复合材料与镍基高温合金的连接方法包括将CuTi膏状钎料涂覆在除杂后的碳化硅陶瓷复合材料的表面,依次经过热处理、清洗及干燥后,得到第一待焊材料;将BNix膏状钎料涂覆在除杂后的镍基高温合金表面,得到第二待焊材料;将步骤S1得到的所述第一待焊材料放置在步骤S2得到的所述第二待焊材料的上方,用模具夹紧,经热处理后,得到碳化硅陶瓷复合材料与镍基高温合金的连接接头。本发明获得的接头的室温剪切强度最大可达50MPa,高温剪切强度最大可达55MPa。

    一种PoP封装过程中低温高强连接焊点的制备方法

    公开(公告)号:CN113172291A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110384732.5

    申请日:2021-04-09

    Inventor: 张墅野 何鹏 张尚

    Abstract: 一种PoP封装过程中低温高强连接焊点的制备方法。本发明属于层叠封装技术领域。本发明是为了解决现有对焊盘进行表面处理的方法对连接后的焊点性能提升较小的技术问题。本发明的方法:步骤1:将SAC305焊料和Sn‑58Bi焊料按不同配比混装在焊盘表面;步骤2:对步骤1的体系进行熔化焊以实现复合焊点与焊盘的连接,得到PoP封装过程中低温高强连接焊点。本发明通过严格控制两种焊料的配比,同时配合本发明的熔化焊工艺参数,使得焊盘上复合焊点的剪切强度高达75.1MPa,远高于ENIG和OSP表面焊盘连接强度。

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