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公开(公告)号：CN109742026B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910136716.7
申请日：2019-02-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/335 , H01L23/373 , H01L29/778
Abstract: 直接生长法制备金刚石辅助散热碳化硅基底GaN‑HEMTs的方法，本发明涉及金刚石与碳化硅连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN HEMTs的散热性能有待提高的问题。制备金刚石辅助散热碳化硅基底的方法：一、在SiC基片表面刻蚀出孔洞；二、超声清洗SiC基片；三、在SiC晶片的表面建立辅助形核点；四、沉积金刚石层；五、将上表面的金刚石膜层去掉，留下孔洞中金刚石膜层；六、超声清洗；七、在SiC晶片上的孔洞中进行沉积，金刚石沉积填满孔洞。本发明制备金刚石的纯度高，热导率较高，金刚石与SiC结构类似，相容性好，制备的金刚石位于器件下方，有针对性地将热点热量极快导出。
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公开(公告)号：CN114573983B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210259185.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米金刚石/芳纶纳米纤维多功能复合导热薄膜的制备方法，它涉及导热薄膜的制备方法。本发明要解决现有散热材料无法同时兼具轻薄、高平整度、高导热率、高电阻率、优异力学性能和优异热稳定性的问题。制备方法：一、制备表面具有强负电位的芳纶纳米纤维；二、对纳米金刚石表面进行功能化；三、制备ND@PDDA/ANF/DMSO混合液；四、制备ND@PDDA/ANF复合导热薄膜。本发明用于纳米金刚石/芳纶纳米纤维多功能复合导热薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN106784044B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201611223173.5
申请日：2016-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法，涉及金刚石探测科学与技术领域，尤其涉及一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法。本发明为解决现有金刚石紫外探测器，采用平面电极结构，会有紫外穿透深度范围以内金刚石纵向电场太弱不足以将光生载流子导出的问题，而采用石墨柱电极结构，会有晶界阻碍载流子的输运问题。一种三维结构金刚石紫外探测器，包含光感区和电极结构，光感区为蛇形折叠形状金刚石，电极结构为两组相互交叉的叉指结构凹槽组成，每组叉指结构含有n个电极。一种三维结构金刚石紫外探测器的制备方法：基底的选择；预处理；制备刻蚀掩膜；制备三维电极结构；沉积金属薄膜和后处理。本发明应用于紫外探测领域。
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公开(公告)号：CN108154004A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711432502.1
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供基于过渡层对外延薄膜与衬底结合力评价的过渡层材料选择方法，属于薄膜生长理论技术领域，具体涉及过渡层选择方法。本发明首先对选取的若干过渡层材料建立界面模型；然后计算无过渡层存在时的界面性能，判定是否需要过渡层；如需要过渡层，分别计算选取的不同材料作为过渡层时，衬底/过渡层和过渡层/薄膜的界面性能，并根据界面处净电荷量变化量和原子间化学键布居数，对过渡层对衬底和过渡层对薄膜的结合力进行综合评价并排序；根据排序结果选择前2～3种过渡层材料。本发明解决了现有技术确定是否需要过渡层，以及选取何种材料作为过渡层时，存在耗时长、浪费人力物力的问题。本发明可运用于薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN107400923A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710607290.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C30B28/14 , C23C16/01 , C23C16/0254 , C23C16/27 , C30B29/04
Abstract: 一种增强金刚石热导率的方法，本发明涉及一种增强金刚石导热性的方法，本发明目的是要在不去除金刚石材料的基础上解决现有CVD方法制备金刚石两面晶粒尺寸差别过大，厚度较薄以及热导率提高困难的问题。增强金刚石热导率的方法：一、对硅片进行切割和超声清洗；二、对硅片进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点；三、硅片放置于CVD装置中，通入生长气体氢气与甲烷，升温至750℃以上进行多晶生长；四、利用HNO3与HF混合溶液去掉硅基底；五、以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长。本发明经过两次生长，使制备得到的多晶金刚石膜双面形貌大致相同，并提高了金刚石的厚度，提升了多晶金刚石的热导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105296966B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510786301.6
申请日：2015-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 微波增强等离子体化学气相沉积中功率‑气压‑温度耦合方法，它涉及微波增强等离子体化学气相沉积技术的改进方法。本发明要解决现有的MPCVD技术制备金刚石薄膜过程中，由于基体温度、功率密度和沉积气压对于制备出的金刚石薄膜质量影响大的问题。本发明方法为：步骤一、实验数据采集步骤；二、检测试样质量；步骤三、制备工艺参数关系拟合。本发明的方法可以提高单晶金刚石的生长质量。
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公开(公告)号：CN103792250B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410078385.3
申请日：2014-03-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/00
Abstract: 本发明公开了一种基于微脱粘的陶瓷涂层寿命预测方法。所述涂层寿命预测方法为：将经过预处理的涂层试件装入真空管中，然后放入管式炉中进行热循环加载，当涂层经历了所规定的循环数节点时，取出完成特定循环数的试件，控制温度参数为：低温200～300℃，高温400～500℃，升降温速率2～5℃/min，高低温分别保温1h为一个循环；本发明提出了一种陶瓷涂层脱落失效的物理模型，并利用模型对实际陶瓷涂层进行了寿命预测，效果显著。
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公开(公告)号：CN103817056B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410102374.4
申请日：2014-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B05D3/00
Abstract: 本发明公开了一种利用微喷涂和微圆角阻止脆性涂层裂纹扩展的涂层延寿方法，其步骤为“运输之前对涂层表面进行检测，如果发现涂层表面存在裂纹，则敲击裂纹尖端，在裂纹尖端产生微圆角：将零件或结构进行包装、运输；完成运输过程后，在零件或结构入库贮存前对涂层表面进行第二次检测，如果发现涂层表面存在裂纹，则进行微圆角处理后，将零件或结构入库贮存；在使用前进行第三次检测，如果发现裂纹扩展的现象，则在使用前利用微喷涂或微刷涂的方法填充裂纹。本发明可以及时了解涂层表面和内部裂纹的产生和扩展情况，有效地阻止涂层表面裂纹的扩展，修复涂层表面已产生的裂纹，提高涂层零件和结构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110629203A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910925317.9
申请日：2019-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/58 , C01B32/28 , G01N27/327 , G01N27/48
Abstract: 一种具有双金属协同效应的多孔掺硼金刚石复合电极的制备方法及其检测葡萄糖的应用，它涉及一种多孔掺硼金刚石复合电极的制备方法及应用。本发明要解决现有不存在制备多孔掺硼金刚石复合电极的方法，现有利用掺硼金刚石电极非酶葡萄糖传感器检测葡萄糖灵敏度较低的问题。制备方法：一、掺硼金刚石薄膜的制备；二、溅射镀膜及退火处理。应用：用于检测葡萄糖。本发明用于具有双金属协同效应的多孔掺硼金刚石复合电极的制备及其检测葡萄糖的应用。
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公开(公告)号：CN104947069B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510394176.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，它涉及一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法。本发明的目的是要解决目前金刚石微米棒阵列膜制备工艺复杂，制备成本较高，不能精确控制孔洞长径比的问题，本发明步骤为：硅片模板的制备、涂覆金刚石悬浮液、放置样品、金刚石微米棒阵列膜的生长、硅片模板的剥离，即完成。本发明利用多孔硅片模板代替AAO模板制备金刚石微米棒阵列膜，降低了薄膜的制备成本，简化了制备的工艺过程，通过调整硅片上孔洞的直径以及深度可以制备具有不同长径比的微米棒阵列，从而研究不同微米棒长径比对材料性能的影响。本发明应用于薄膜生长技术领域。
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