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公开(公告)号：CN1648270A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510009684.2
申请日：2005-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三氧化二铋包覆陶瓷相增强铝基复合材料，它涉及一种新型的复合材料。本发明的铝基复合材料由三氧化二铋、陶瓷相增强体和铝基体三种成分组成，其中陶瓷相增强体的体积分数占总体积分数的5～50％，三氧化二铋的加入量占陶瓷相增强体质量的2～20％。包覆物三氧化二铋基本都在增强体和基体的界面处，并且三氧化二铋和基体铝发生铝热反应，生成低熔点金属铋都分布在增强体和基体的界面处。在复合材料热变形时，温度高于金属铋的熔点270℃，界面处的低熔点金属铋熔化变成液体，在增强体和基体之间起到润滑作用，降低了变形温度和加工成本，减少了陶瓷相增强体的损伤，变形后的复合材料仍有优良的力学性能。
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公开(公告)号：CN117604318A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311536178.3
申请日：2023-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有取向双峰结构的原位自生石墨烯/铜复合材料及其制备方法，属于铜基复合材料技术领域。本发明要解决现有石墨烯增强铜基复合材料强度，塑性和导电性能不协调的问题。本发明以树枝状铜粉和/或球状铜粉，和有机物为主要原料，在热处理和烧结过程中，通过将铜粉表面的有机物转化为石墨烯后限制晶粒长大，保留铜粉表面细小的铜颗粒(凸起晶粒结构)，实现石墨烯对不同粒径铜粉的分隔，然后通过轧制和挤压变形等工艺获得取向双峰结构。本发明可以通过改变石墨烯含量和大小晶粒铜粉的比例调控取向双峰结构中大小晶粒的比例，获得具有高强度、高塑性和高导电性能的石墨烯/铜复合材料。
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公开(公告)号：CN117416950A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311263818.8
申请日：2023-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , B82Y40/00 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种超高电磁屏蔽、综合性能优异的石墨烯基宏观材料及其制备方法，属于碳基材料领域。本发明要解决现有以石墨烯粉体为原料难以制备高性能石墨烯宏观材料的技术问题。本发明的方法是将含硼物质与石墨烯按0.001：1到0.3：1的质量比混合均匀，高温烧结。本发明可广泛运用于手机、Wi‑Fi，精密电子，宇航船、卫星等航天设备、雷达和军用通讯设备的电磁屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN114804878B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202210420330.0
申请日：2022-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种基于燃烧合成石墨烯的高强碳基材料及制备方法，属于碳基材料领域。本发明要解决现有碳基材料制备工艺复杂、材料力学性能不佳的问题。本发明以高温自蔓延燃烧合成法制备的石墨烯或掺杂石墨烯为原料，经高温烧结制备各向同性高强碳基材料。本发明方法操作较简单，易于进行批量化生产，制备的碳基材料兼具高强、导电、导热、轻质等优势，可用作核石墨、电火花加工用工具电极以及火箭技术用结构材料、超高功率电极、高导热散热构件、高性能坩埚、高温高性能模具等。
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公开(公告)号：CN114645149A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210281406.6
申请日：2022-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C1/05 , B22F3/14 , B22F3/18 , C01B32/184 , C22C9/00 , H01B1/02 , H01B13/00 , B22F1/102 , B22F1/17 , B22F1/142
Abstract: 本发明公开了一种具有复合界面结构的原位自生石墨烯/铜复合材料的制备方法，涉及复合材料领域。该制备方法包括以下步骤：将原料铜在空气中加热氧化，再通过甲酸浸泡，烘干，再经升温碳化处理，最后经SPS烧结得到所述具有复合界面结构的原位自生石墨烯/铜复合材料。本发明以微米级铜粉为原料，通过空气氧化、甲酸酸化的工艺流程，将甲酸铜均匀包覆于原料铜，并通过热处理及SPS烧结的流程，使得甲酸铜分解生成亚微米尺寸铜颗粒以获得双峰晶粒尺度分布的同时，在复合材料界面处均匀引入少量碳，并在铜的催化作用下生成结晶化程度较高、缺陷较少的石墨烯，最后获得一种具有复合界面结构的高强高导的石墨烯/铜复合材料。
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公开(公告)号：CN109319765B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201710638066.7
申请日：2017-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/184 , H01G11/32 , H01G11/86
Abstract: 生物质燃烧合成石墨烯制备方法及其应用，本发明涉及固体废弃物处理领域和化工合成技术领域。本发明采用燃烧合成的方法利用生物质制备石墨烯；所制备的石墨烯可作为超级电容器材料的应用。本发明将自然界中普遍存在利用价值低的生物质资源化利用制备成石墨烯，降低了工业合成石墨烯的生产成本，从而在催化剂、复合材料、电化学等领域有重要的潜在应用。本发的工艺简单，原料廉价，设备要求和操作非常简单，易于进行批量化生产，增加生物质材料的合理资源化利用方法。
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公开(公告)号：CN110589809B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201810601338.0
申请日：2018-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/182 , C01B32/184 , H01G11/32
Abstract: 本发明公开了一种具有高体积比电容的石墨烯的制备方法，属于储能材料的技术领域。本发明要解决现有的石墨烯材料堆积密度低、体积比电容低的技术问题。本发明方法：一、将碳源均匀分散磷酸水溶液中；二、然后在200℃‑550℃条件下热处理5min‑90min，固液分离，干燥，得到具有高体积比电容的石墨烯。本发明制备的石墨烯材料，浸润性好，堆积密度高，体积比电容大，倍率性能优异，循环稳定等优点。本发明的石墨烯堆积密度1.1‑1.7g cm‑3，体积比电容为170‑500F cm‑3。
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公开(公告)号：CN113772660A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110843041.7
申请日：2021-07-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/184 , H01G11/32 , H01G11/86
Abstract: 一种利用金属阳离子辅助热处理技术制备高体积比电容石墨烯的方法，属于超级电容器技术领域。本发明要解决现有的石墨烯材料堆积密度低、体积比电容低的技术问题.本发明方法如下：将氧化石墨烯均匀分散去离子水中；然后加入金属离子盐，混合均匀，再固液分离，干燥；然后热处理，水洗直到上清液的离子浓度小于10‑3molL‑1，再干燥，得到高体积比电容石墨烯。本发明制备的石墨烯材料的堆积密度为0.9‑1.7gcm‑3，体积比电容为200‑520Fcm‑3；适合用于制备具有高体积比电容的超级电容器。
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公开(公告)号：CN110699566B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910577397.3
申请日：2019-06-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了CaMn7O12增强低膨胀高热导铜基复合材料及其制备方法，属于铜基复合材料的技术领域。本发明的目的是为了解决金属材料、陶瓷材料无法同时满足低热膨胀系数、高热导、高电导和良好加工性能的问题。本发明中铜基复合材料由金属基体和增强体制成，所述金属基体为纯铜粉或铜合金粉；增强体为CaMn7O12陶瓷粉体，或由铜、氧化铜、银、氧化镍或氧化锆等界面涂层包覆CaMn7O12陶瓷粉体；本发明方法：对金属基体和增强体进行球磨混粉，然后冷压后烧结。本发明在低陶瓷体积分数条件下具备低热膨胀系数、高热导性、高电导的性能。
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公开(公告)号：CN113091939A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110333309.2
申请日：2021-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K7/22
Abstract: 基于石墨烯/钛酸锶钡异质结的高灵敏度温度传感器的制备方法，本发明属于温度传感器领域，它为了解决现有温度传感器的灵敏度和响应速度较低的问题。制备方法：一、采用固相烧结法制备钛酸锶钡陶瓷；二、裁剪负载于铜片上的石墨烯，在石墨烯上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯；三、将旋涂后的石墨烯放入铜刻蚀液中，从铜刻蚀液中捞取石墨烯；四、将石墨烯转移至钛酸锶钡陶瓷的抛光面上，烘干处理；五、将烘干后的钛酸锶钡陶瓷放入丙酮中溶解聚甲基丙烯酸甲酯；六、将石墨烯‑钛酸锶钡异质结放入烘箱中烘干。当温度升高至钛酸锶钡的相变温度附近，电流相比室温而言分别上升速率较高，在较窄的相变温区内具有很高的电流变化率，从而具有较高的探测灵敏度。
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