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公开(公告)号：CN103817056A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410102374.4
申请日：2014-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B05D3/00
Abstract: 本发明公开了一种利用微喷涂和微圆角阻止脆性涂层裂纹扩展的涂层延寿方法，其步骤为“运输之前对涂层表面进行检测，如果发现涂层表面存在裂纹，则敲击裂纹尖端，在裂纹尖端产生微圆角：将零件或结构进行包装、运输；完成运输过程后，在零件或结构入库贮存前对涂层表面进行第二次检测，如果发现涂层表面存在裂纹，则进行微圆角处理后，将零件或结构入库贮存；在使用前进行第三次检测，如果发现裂纹扩展的现象，则在使用前利用微喷涂或微刷涂的方法填充裂纹。本发明可以及时了解涂层表面和内部裂纹的产生和扩展情况，有效地阻止涂层表面裂纹的扩展，修复涂层表面已产生的裂纹，提高涂层零件和结构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103792250A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410078385.3
申请日：2014-03-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/00
Abstract: 本发明公开了一种基于微脱粘的陶瓷涂层加速老化实验及寿命预测方法。所述涂层加速老化实验方法为：将经过预处理的涂层试件放入管式炉中进行老化处理，控制管式炉的温度参数为：低温200～300℃，高温400～500℃，升降温速率2～5℃/min，高低温分别保温1h为一个循环，当涂层经历了所规定的循环数节点时，取出完成特定循环数的试件。所述涂层寿命预测方法为：步骤一、热循环加载；步骤二、形貌观测；步骤三、涂层脱落失效的判断。本发明针对陶瓷涂层找到了一种加速老化实验的方法，从而方便地通过实验对陶瓷涂层的老化过程进行观测；提出了一种陶瓷涂层脱落失效的物理模型，并利用模型对实际陶瓷涂层进行了寿命预测，效果显著。
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公开(公告)号：CN114421797A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111631250.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M7/5387 , H02M3/158 , H02M1/088 , H02J7/06
Abstract: 基于旋转磁场抵消法的三相两级集成九绕组电机充电系统，涉及三相两级集成九绕组电机充电技术领域。本发明是为了解决现有400V电池充电背景下的两级集成充电系统需要配备额外的电力电子器件和直流储能电感的问题。本发明当电动车工作于充电模式时，利用切换开关，改变九绕组的连接方式，将驱动拓扑变换为两级充电拓扑。两级充电拓扑中，将部分绕组复用为充电模式下的网侧等效滤波电感，此时前级的AC/DC变换器利用驱动逆变器九个桥臂中的六个桥臂进行组建，并将剩余的绕组和逆变桥组成后级双向DC/DC变换器，包括DC/DC变换器所需的功率模块以及直流储能电感。整个系统无需额外构成后级变换器的任何元器件。
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公开(公告)号：CN114285313A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111628412.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于脉振磁动势抵消法提升网侧电感的三相集成充电系统，涉及三相集成充电系统网侧滤波电感提升领域。本发明为了解决九绕组电机及其配套的驱动逆变器复用为充电系统在充电模式下，如何提升充电模式下网侧等效滤波电感数值的问题。本发明充电系统包括电池、DC/DC变换器、九桥臂半桥逆变器、电容Cdc、九绕组电机、多个三相开关和双相开关，该系统在充电模式下，利用切换开关，改变九绕组的连接方式，从而将网侧等效滤波电感进行提升。本发明主要用于对三相集成充电系统网侧滤波电感进行提升。
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公开(公告)号：CN111826714B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010733639.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B29/04 , C30B25/02 , C23C16/27 , C23C16/517
Abstract: 基于射频电源施加偏压以增强CVD金刚石异质外延形核的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决绝缘异质衬底难以有效施加负偏压的问题。外延形核的方法：一、将底部开有凹槽腔的样品托放置于CVD腔体内的水冷台上，射频电源的一电极通过导线连接到CVD腔体外壳上并接地，射频电源的另一电极通过导线经水冷台连接到样品托上；二、将异质衬底放置在样品托中心位置，CVD腔体抽真空；三、升温过程，通入氢气；四、控制甲烷气体浓度，进行偏压增强形核；五、生长过程及结束。本发明通过射频电源，避免了直流偏压施加过程中绝缘异质衬底电势升高导致无法正常施加偏压，实现了绝缘异质衬底上高密度外延形核。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106894081B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710101533.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、掩模板沉积；四、掩模板处理；五、单层反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、多掩模板沉积及金刚石生长；八、掩模板去除。本发明用于一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
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公开(公告)号：CN109183146A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811213111.5
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及单晶金刚石籽晶缺陷的消除方法。本发明要解决现有MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、制备遮挡掩体；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、电感耦合等离子体处理。本发明用于一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
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公开(公告)号：CN108154004A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711432502.1
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供基于过渡层对外延薄膜与衬底结合力评价的过渡层材料选择方法，属于薄膜生长理论技术领域，具体涉及过渡层选择方法。本发明首先对选取的若干过渡层材料建立界面模型；然后计算无过渡层存在时的界面性能，判定是否需要过渡层；如需要过渡层，分别计算选取的不同材料作为过渡层时，衬底/过渡层和过渡层/薄膜的界面性能，并根据界面处净电荷量变化量和原子间化学键布居数，对过渡层对衬底和过渡层对薄膜的结合力进行综合评价并排序；根据排序结果选择前2～3种过渡层材料。本发明解决了现有技术确定是否需要过渡层，以及选取何种材料作为过渡层时，存在耗时长、浪费人力物力的问题。本发明可运用于薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN104775154B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510199722.9
申请日：2015-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法，属于晶体生长技术领域。针对现有的MWCVD生长系统中籽晶表面温度难以有效调控的问题，本发明所述方法包括步骤如下：金刚石籽晶清洗→焊接→选择隔热丝→制作隔热丝→放置样品→生长前准备工作→金刚石生长。本发明通过制备隔热用隔热丝，确保了金刚石样品表面温度不会因为导热过快而过低，且根据不同工艺参数选择不同规格的隔热丝，实现金刚石样品表面温度可控，使金刚石在所需的温度等工艺参数下进行生长。由于隔热丝的特殊形态，保证了金刚石样片表面水平，与等离子体球均匀接触，保证了温度场及碳源密度的均匀性，使得生长效果更好。
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公开(公告)号：CN104972189B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510459097.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，传统焊接介质熔点过低、与金刚石相容性差或反应严重损伤籽晶，无法满足金刚石优质生长的问题。方法：一、清洗；二、选择焊接介质；三、放置样品；四、真空钎焊，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。
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