-
公开(公告)号：CN106894081B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710101533.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、掩模板沉积；四、掩模板处理；五、单层反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、多掩模板沉积及金刚石生长；八、掩模板去除。本发明用于一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
-
公开(公告)号：CN101532123A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910071762.X
申请日：2009-04-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 磁控共溅射制备无氢非晶碳化锗薄膜的方法，它涉及制备无氢非晶碳化锗薄膜方法。本发明现有方法得到的氢化碳化锗薄膜热稳定性差、高温红外性能下降的问题。本方法如下：将经过丙酮、质量浓度为99.5％的乙醇溶液和去离子水清洗的硫化锌加热后保温，然后通入氩气进行反溅清洗，再施加溅射功率启辉，预溅射3～5分钟至压强降至0.1帕～2帕，然后在脉冲负偏压为0～－200伏、占空比为10％～90％的条件下，对经过步骤二处理的硫化锌表面施镀，然后在真空条件下自然冷却至室温，即得无氢非晶碳化锗薄膜。本发明所得的无氢非晶碳化锗薄膜的折射率可以在2.0～4.0较大的范围内调节，本发明方法所得无氢非晶碳化锗薄膜热稳定性好、高温红外性能优良。
-
公开(公告)号：CN102242339A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110181075.0
申请日：2011-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧稳定氟化钇薄膜的制备方法，它涉及一种氟化钇薄膜的制备方法。它解决了现有制备氟化钇薄膜的方法存在缺氟导致的光学常数畸变，薄膜易脱落，结构不稳定与光学性能差的问题。方法：ZnS衬底用丙酮、酒精清洗、去离子水清洗，再将ZnS衬底置于磁控溅射真空仓内的旋转加热台上，抽真空并加热；向真空仓通Ar气，对ZnS衬底表面进行反溅清洗；反溅清洗后预溅射，再镀膜；镀膜完成后抽真空并加热，降至室温即完成。本发明利用磁控溅射法制备出氧稳定氟化钇薄膜，改善了缺氟导致的光学常数的畸变，同时阻止了薄膜的脱落与破裂，氧稳定氟化钇薄膜具有较好的光学性能，消光系数大大减小，折射率较低，具有优良的稳定性，膜层结合牢固。
-
公开(公告)号：CN106835275A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710101532.8
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/025 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/186 , C30B33/00 , C30B33/10
Abstract: 一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、SiO2多层微球自组装；四、掩模板处理；五、反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、掩模板去除。本发明用于一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
-
公开(公告)号：CN103014645A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210574569.X
申请日：2012-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，它涉及大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，本发明要解决现有的离子或电子辅助磁控溅射沉积薄膜方法，针对大尺寸衬底材料会存在很难制备出厚度均匀、附着力强的薄膜材料的问题。本发明中一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法按以下步骤进行：一、衬底材料的清洗及加热；二、衬底材料表面反溅清洗；三、向旋转加热台施加负电压条件下镀膜；四、镀膜完成后抽真空；五、关闭电源，降温至室温，完成薄膜的制备。本发明方法适用于薄膜工程领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102242339B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201110181075.0
申请日：2011-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧稳定氟化钇薄膜的制备方法，它涉及一种氟化钇薄膜的制备方法。它解决了现有制备氟化钇薄膜的方法存在缺氟导致的光学常数畸变，薄膜易脱落，结构不稳定与光学性能差的问题。方法：ZnS衬底用丙酮、酒精清洗、去离子水清洗，再将ZnS衬底置于磁控溅射真空仓内的旋转加热台上，抽真空并加热；向真空仓通Ar气，对ZnS衬底表面进行反溅清洗；反溅清洗后预溅射，再镀膜；镀膜完成后抽真空并加热，降至室温即完成。本发明利用磁控溅射法制备出氧稳定氟化钇薄膜，改善了缺氟导致的光学常数的畸变，同时阻止了薄膜的脱落与破裂，氧稳定氟化钇薄膜具有较好的光学性能，消光系数大大减小，折射率较低，具有优良的稳定性，膜层结合牢固。
-
公开(公告)号：CN101532123B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910071762.X
申请日：2009-04-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 磁控共溅射制备高热稳定性无氢非晶碳化锗薄膜的方法，它涉及制备无氢非晶碳化锗薄膜方法。本发明现有方法得到的氢化碳化锗薄膜热稳定性差、高温红外性能下降的问题。本方法如下：将经过丙酮、质量浓度为99.5％的乙醇溶液和去离子水清洗的硫化锌加热后保温，然后通入氩气进行反溅清洗，再施加溅射功率启辉，预溅射3～5分钟至压强降至0.1帕～2帕，然后在脉冲负偏压为0～-200伏、占空比为10％～90％的条件下，对经过步骤二处理的硫化锌表面施镀，然后在真空条件下自然冷却至室温，即得无氢非晶碳化锗薄膜。本发明所得的无氢非晶碳化锗薄膜的折射率可以在2.0～4.0较大的范围内调节，本发明方法所得无氢非晶碳化锗薄膜热稳定性好、高温红外性能优良。
-
公开(公告)号：CN106835275B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710101532.8
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、SiO2多层微球自组装；四、掩模板处理；五、反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、掩模板去除。本发明用于一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
-
公开(公告)号：CN106894081A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710101533.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/04 , C30B25/205
Abstract: 一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、掩模板沉积；四、掩模板处理；五、单层反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、多掩模板沉积及金刚石生长；八、掩模板去除。本发明用于一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
-
公开(公告)号：CN103014645B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210574569.X
申请日：2012-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，它涉及大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法，本发明要解决现有的离子或电子辅助磁控溅射沉积薄膜方法，针对大尺寸衬底材料会存在很难制备出厚度均匀、附着力强的薄膜材料的问题。本发明中一种大尺寸磁控溅射镀膜的简易强化方法按以下步骤进行：一、衬底材料的清洗及加热；二、衬底材料表面反溅清洗；三、向旋转加热台施加负电压条件下镀膜；四、镀膜完成后抽真空；五、关闭电源，降温至室温，完成薄膜的制备。本发明方法适用于薄膜工程领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.022 seconds)
