基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114068681B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202111361547.0

    申请日:2021-11-17

    Abstract: 基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法,它要解决现有高集成度的电子元器件等由于发热导致电路不能正常工作的问题。本发明基于金刚石肖特基二极管的逻辑器件在金刚石衬底上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层,在掺硼或者掺磷金刚石层表面上沉积有选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层,选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层位于掺硼或者掺磷金刚石层表面的两侧,选择性生长金属掩膜作为欧姆电极,在选择性同质外延生长层上沉积至少两个肖特基电极,欧姆电极作为信号输出端;欧姆电极通过导线连接负载电阻,在负载电阻的另一端施加偏置电压。本发明的金刚石逻辑与门在600K及以上高温正常工作,实现逻辑与门的功能。

    氧化物介质层改进的金刚石肖特基结界面的日盲紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116154019A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202211104765.0

    申请日:2022-09-09

    Abstract: 氧化物介质层改进的金刚石肖特基结界面的日盲紫外探测器及其制备方法,本发明要解决现有日盲紫外探测器件工作电压高、响应度低、可探测度低的问题。本发明日盲紫外探测器在掺硼金刚石衬底的上表面沉积有金刚石本征层,在掺硼金刚石衬底的下表面沉积金属膜层作为欧姆电极,在金刚石本征层的上表面沉积氧化物介质层,在氧化物介质层上沉积金属电极作为肖特基电极;其中氧化物介质层为TiO2、ZrO2、Al2O3或者SiO2等。本发明氧化物改进的金刚石肖特基结界面的金刚石肖特基结,具有较高的开启电压,施加紫外光照后,光线使得器件提前开启,从而获得很高的光电流响应。同时具有高的光电流响应与低的暗电流,保证了器件的高可探测度。

    一种利用磁控溅射制备高光电稳定性透明导电膜的方法

    公开(公告)号:CN111593310B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202010384746.2

    申请日:2020-05-09

    Abstract: 一种利用磁控溅射制备高光电稳定性透明导电膜的方法,本发明涉及制备透明导电膜的方法。本发明要解决现有Ag基多层薄膜在长期或高温条件下会发生光电性能劣化的问题。方法:一、将AZO靶材、Ni靶材及Ag靶材安装在多靶磁控溅射设备的靶位上,抽真空;二、AZO靶材溅射直至第一AZO层厚度为25nm~55nm,Ag靶材溅射直至Ag层厚度为6nm~10nm,Ni靶材溅射直至Ni层厚度为2nm~4nm,AZO靶材溅射直至第二AZO层厚度为25nm~55nm;三、关闭所有电源,取样。本发明可用于太阳能电池的电极、平板显示器等对透明导电薄膜有高光电性能及优异稳定性需求的领域。

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