公开(公告)号：CN110491970A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910775586.1

申请日：2019-08-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张延清 ,  齐春华 ,  王天琦 ,  马国亮 ,  刘超铭 ,  陈肇宇 ,  王新胜 ,  李何依 ,  周佳明 ,  霍明学

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/265

Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有倒置四结太阳电池在空间带电粒子的辐照下抗位移辐照能力差，易产生位移辐射损伤，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置四结太阳电池的第四结有源区和第三结有源区模拟注入离子，获得离子能量和射程信息，模拟I-V特性，记录与未注入离子时的I-V特性变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子电压和离子束电流，设置注入离子时间，采用设置后的注入离子机进行离子注入，对完成离子注入的倒置四结太阳电池进行退火处理。本发明用于对倒置四结太阳电池进行抗位移辐照加固。

公开(公告)号：CN119439223A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411674249.0

申请日：2024-11-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郑洪全 ,  王天琦 ,  马国亮 ,  齐春华 ,  张延清 ,  霍明学 ,  刘超铭 ,  曾超

IPC: G01T1/29 ,  G01J5/48

Abstract: 本发明涉及辐照监测技术领域，具体提供一种单粒子烧毁区域在线定位系统、辐照终端设备及使用方法，定位系统包括：监测粒子束流强度的束流探测单元、真空控制单元以及显微式快速定位单元，利用粒子加速器产生粒子辐照待测样品，在辐照过程中通过显微式快速定位单元捕获粒子辐照待测样品后，待测样品表面激发的辐射，并对辐射进行波段分离，对多波段辐射进行成像，依据成像数据计算待测样品表面的温度分布，依据温度分布定位单粒子烧毁区域，实现功率器件在辐照过程中的原位在线分析监测。将上述定位系统集成在辐照终端中，解决了传统辐照终端缺乏对待试验样品进行原位在线监测分析的功能，并且同时具有真空辐照模式和大气辐照及单粒子烧毁定位模式。

公开(公告)号：CN118095182B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410177294.9

申请日：2024-02-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘超铭 ,  高乐 ,  王天琦 ,  霍明学 ,  张延清 ,  齐春华 ,  马国亮

IPC: G06F30/373 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/086 ,  G06N3/0985 ,  G06F119/02

Abstract: 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始数据，对初始数据进行数据处理；S2、采用遗传算法对Transformer模型的超参数进行优化，构建GA‑Transformer模型；S3、将S1获取的数据输送至S2获取的GA‑Transformer模型中，依据性能指标评估预测的准确性，并对剩余使用寿命RUL进行预测，输出可靠性预测结果。本发明用于功率MOSFET可靠性预测。

公开(公告)号：CN118211482A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410400889.6

申请日：2024-04-03

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘超铭 ,  高乐 ,  王铭峥 ,  王天琦 ,  霍明学 ,  张延清 ,  齐春华 ,  马国亮

IPC: G06F30/27 ,  G06F17/18 ,  G06N3/006 ,  G06F119/02

Abstract: 一种电子元器件的可靠性预测系统，属于电子元器件寿命预测技术领域。为解决现有电子元器件可靠性预测方法效率低、灵活性差、复杂模型难以计算的问题。包括：数据处理模块在Web界面上进行测试数据上传；元器件模型选择模块根据可靠性预测目标选择不同的元器件退化模型，基于测试数据进行构建；可靠性模型构建模块采用麻雀优化算法对元器件退化模型的参数进行优化，采用交互式设置算法对搜索个体数目和搜索迭代次数构建迭代搜索最小化模型，通过迭代搜索最小化模型与实际数据之间的差进行参数拟合的求解，构建获得可靠性模型；可靠性预测模块利用对数正态累计分布函数进行寿命周期预测，获得元器件的可靠性预测结果。用于电子元器件可靠性预测。

公开(公告)号：CN111651337B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202010378931.0

申请日：2020-05-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 霍明学 ,  齐春华 ,  张延清 ,  王天琦 ,  王新胜 ,  刘超铭 ,  马国亮

IPC: G06F11/34 ,  G06F11/30 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明提出一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法，本发明采用故障特征检测诊断空间服役失效故障，通过分析特定核心器件在太空环境或异常环境中的特征参数电源电流的变化，依托神经网络进行故障状态的判断和分类。本发明可用于监控空间服役状态SRAM存储器的特征参数，并在地面计算出SRAM存储器故障失效概率。本发明可结合SRAM存储器空间服役环境，确定故障失效的薄弱环境，可为空间SRAM存储器长寿命服役提供技术支持。

公开(公告)号：CN109658962A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811554118.3

申请日：2018-12-19

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 齐春华 ,  张延清 ,  王天琦 ,  刘超铭 ,  马国亮 ,  霍明学 ,  肖立伊

IPC: G11C11/413 ,  G11C7/24

Abstract: 一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元，它涉及一种SRAM存储单元，本发明要解决目前没有既能在近阈值或亚阈值电压区域工作，又能有效抵抗单粒子多节点翻转效应的SRAM存储单元结构的问题，本发明通过设计冗余加固技术以及合理的结构设计，增加了电路的内部节点数量从而达到抗单粒子翻转的目的；通过极性加固技术，对电路结构中的特定节点进行了抗单粒子翻转加固保护；此外，还通过版图加固技术，实现了对可能发生多节点翻转的节点对的隔离。在电路级和版图级加固的联合作用下，所提出的近阈值SRAM存储单元具备抵抗单粒子多节点翻转的能力。满足了低电压应用领域对抗单粒子多节点翻转近阈值SRAM存储单元的设计需求。

公开(公告)号：CN109637567A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811554714.1

申请日：2018-12-19

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王天琦 ,  刘超铭 ,  齐春华 ,  马国亮 ,  张延清 ,  霍明学 ,  肖立伊

IPC: G11C7/24 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C7/24 ,  G11C11/413

Abstract: 一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器，它涉及一种边沿检测电路及触发器。本发明要解决SETTOFF触发器对SEU软错误的在线监测和修正以及检测SET和TE错误过程中，SETTOFF触发器中原沿检测(TD)电路中的晶体管尺寸不能采用最小尺寸来实现而必须要经过特定的设计，从而增大了TD电路输入和输出之间的传播延迟，进而产生毛刺脉冲引发流水线的重写操作的问题。本发明设计了用于监测流水线中的触发器是否发生翻转的沿检测电路，并且通过合理的监测机制实现了对D触发器单粒子翻转效应的监测和纠正以及对单粒子瞬态效应和时序错误的监测功能，本发明应用于触发器领域。