公开(公告)号：CN105036752A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510373102.2

申请日：2015-06-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平 ,  张东洋 ,  方成 ,  桂凯旋 ,  张幸红

IPC: C04B35/634 ,  C04B35/622 ,  C04B35/58 ,  C04B35/119

Abstract: 一种制备均匀致密陶瓷素坯的方法，该方法制备出的陶瓷素胚致密度较高、强度较高且微结构均匀。本方法是为了解决传统的制备方法中难以获得颗粒分布均匀且致密化的陶瓷素坯。本方法的主要特征在于：先配置出含有单体、交联剂的预混液并超声混合均匀；然后加入陶瓷粉体以及相应的分散剂进行球磨，再在球磨获得的浆料中加入引发剂并搅拌均匀，注模并离心；进而将该离心后素坯置于一定温度下发生交联固化反应，最后脱模干燥，获得均匀致密的陶瓷素坯。整个制备过程中对设备要求较低、操作简单，且所制备的陶瓷素坯致密度较高且微结构均匀。本发明属于陶瓷材料制备的领域。

公开(公告)号：CN104476655A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410649036.2

申请日：2014-11-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 邓贤柱 ,  胡平 ,  张东洋

IPC: B28B1/20

CPC classification number: C04B35/624 ,  B28B1/20 ,  B28B17/026 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/63468 ,  C04B35/63488

Abstract: 一种陶瓷胚体的凝胶离心成型方法，本发明涉及一种陶瓷胚体的成型方法。本发明的目的是要解决现有陶瓷胚体成型方法存在陶瓷颗粒很难分布均匀，容易产生团聚，素胚存在裂纹并且残有少量孔洞，致使烧结后的陶瓷致密度较低的问题。方法：首先将有机单体和交联剂溶解到去离子水中，再加入分散剂，再进行超声处理，再加入陶瓷粉，进行球磨，再加入引发剂，搅拌、离心，再进行固化，得到固化胚体；将固化胚体脱模，再进行干燥，得到陶瓷胚体。本发明得到陶瓷胚体的致密度可达55％～80％；素胚微观结构均匀，堆垛致密，无裂纹且内部无缺陷，同时本发明材料利用率高，成型工艺简单，适合产业化生产。本发明可获得一种陶瓷胚体的凝胶离心成型方法。

公开(公告)号：CN105752952B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201610060591.0

申请日：2016-01-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  董顺 ,  潘锐群 ,  张东洋

IPC: C01B21/068 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备超长氮化硅纳米材料存在反应条件较为苛刻，导致安全性低，需要催化剂，导致纯度低，设备要求高、工艺复杂、成本高的技术问题。方法：一、制备多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷；二、热处理，即完成在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及瓷方舟四壁非原位制备超长氮化硅纳米线的方法。优点：一、于常压下就可以制备出长达数毫米甚至是厘米级级别的超长氮化硅纳米线，且超长氮化硅纳米线呈现直线状；二、操作过程较为简单、安全系数高。本发明主要用于制备超长氮化硅纳米线。

公开(公告)号：CN104529467B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201510018430.0

申请日：2015-01-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平 ,  张幸红 ,  桂凯旋 ,  方成 ,  张东洋

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 一种低温制备ZrB2?SiC超高温陶瓷复合材料的方法，本发明涉及一种低温制备ZrB2?SiC超高温陶瓷复合材料的方法。本发明是要解决现有ZrB2?SiC超高温陶瓷复合材料在高温烧结过程中晶粒长大导致材料力学性能降低且成本高的问题。方法：一、称量：称取ZrB2粉体和SiC粉体；二、配料：将ZrB2粉体和SiC粉体加入到无水乙醇中，再加分散剂PEI，超声得混合液；三、球磨：将混合液球磨，得浆料；四、干燥：将浆料真空干燥，得干燥粉体；五、热压烧结：将干燥粉体研磨过筛，装入模具，采用真空热压烧结炉烧结，冷却至室温，得ZrB2?SiC超高温陶瓷复合材料。本发明用于制备ZrB2?SiC超高温陶瓷复合材料。

公开(公告)号：CN104529467A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510018430.0

申请日：2015-01-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平 ,  张幸红 ,  桂凯旋 ,  方成 ,  张东洋

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 一种低温制备ZrB2-SiC超高温陶瓷复合材料的方法，本发明涉及一种低温制备ZrB2-SiC超高温陶瓷复合材料的方法。本发明是要解决现有ZrB2-SiC超高温陶瓷复合材料在高温烧结过程中晶粒长大导致材料力学性能降低且成本高的问题。方法：一、称量：称取ZrB2粉体和SiC粉体；二、配料：将ZrB2粉体和SiC粉体加入到无水乙醇中，再加分散剂PEI，超声得混合液；三、球磨：将混合液球磨，得浆料；四、干燥：将浆料真空干燥，得干燥粉体；五、热压烧结：将干燥粉体研磨过筛，装入模具，采用真空热压烧结炉烧结，冷却至室温，得ZrB2-SiC超高温陶瓷复合材料。本发明用于制备ZrB2-SiC超高温陶瓷复合材料。

公开(公告)号：CN104495849A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410675593.1

申请日：2014-11-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  董顺 ,  胡平 ,  方成 ,  张东洋

IPC: C01B31/36 ,  B82Y30/00

Abstract: 有机无机杂化制备碳化硅纳米线的方法，它涉及一种以有机酚醛树脂和无机硅粉体为原料制备超长碳化硅纳米线的方法。本发明为了解决现有方法制备超长SiC纳米线设备要求高、成本高、安全性低、操作过程复杂的技术问题。本方法如下：称取原料；将原料机械混合，然后装入瓷方舟中，将瓷方舟推至管式炉中央，在氩气保护、常压条件下保温，降温，即得。本发明主要是有机酚醛树脂粉体和无机硅粉体为原料，采用简单的制备方法在常压条件下就制备出了长达数毫米甚至是厘米的超长碳化硅纳米线。成本低、安全系数高、操作简单。该纳米线可以应用于纳米电子元器件、激光器、场发射和光催化等领域。本发明属于纳米线的制备领域。