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公开(公告)号：CN102080263B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010582546.4
申请日：2010-12-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种Ag2X薄膜的制备方法，其中X为硒或碲。首先将硝酸银和硒或碲的化合物加入盛有溶剂的烧杯中，再加入碱和络合剂，搅拌使其充分溶解，然后加入还原剂，充分溶解后停止搅拌，放入基片用于沉积Ag2X薄膜；恒温反应结束后用去离子水和无水乙醇冲洗薄膜；最后将薄膜干燥。本发明反应条件温和，在水溶液中一步合成Ag2Se或Ag2Te薄膜，制备的薄膜平整、致密、均匀。所用的原料便宜易得，工艺简单，容易实现规模化生产，且反应过程中避免使用大量有机溶剂，有利于环保，具有广阔的市场前景。合成的硒化银和碲化银薄膜可广泛应用于快离子导体，非线性光学器件、光电二次电池等多个领域，市场前景广阔。
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公开(公告)号：CN102643090A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110348574.4
申请日：2011-11-07
Applicant: 同济大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种低居里点TC的高介电电场双向可调PZT基反铁电陶瓷材料及其制备，属于电子材料与器件技术领域。本发明的具有介电电场双向可调性的PZT基反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb0.99-x-yBaxLay)(Zr0.51Sn0.39Ti0.10)O3，其中，0＜x≤0.20，0＜y≤0.06。本发明的介电双向可调的PZT基反铁电陶瓷材料在较低居里点TC附近，在一定的偏压下，具有高的介电常数，低的介电损耗，并且随偏压的增大先增大后减小，具有双向介电可调特性，同时呈现很高的热释电系数及热释电电流，可广泛用于微电子、计算机、电容器、传感器和航空航天技术等领域。
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公开(公告)号：CN102080263A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010582546.4
申请日：2010-12-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种Ag2X薄膜的制备方法，其中X为硒或碲。首先将硝酸银和硒或碲的化合物加入盛有溶剂的烧杯中，再加入碱和络合剂，搅拌使其充分溶解，然后加入还原剂，充分溶解后停止搅拌，放入基片用于沉积Ag2X薄膜；恒温反应结束后用去离子水和无水乙醇冲洗薄膜；最后将薄膜干燥。本发明反应条件温和，在水溶液中一步合成Ag2Se或Ag2Te薄膜，制备的薄膜平整、致密、均匀。所用的原料便宜易得，工艺简单，容易实现规模化生产，且反应过程中避免使用大量有机溶剂，有利于环保，具有广阔的市场前景。合成的硒化银和碲化银薄膜可广泛应用于快离子导体，非线性光学器件、光电二次电池等多个领域，市场前景广阔。
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公开(公告)号：CN101602496A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910054457.X
申请日：2009-07-07
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于碲化铅(PbTe)薄膜和纳米粉体的制备方法领域。一种PbTe薄膜和纳米粉体的低温水溶液同步合成方法，该方法以含铅的无机盐与二氧化碲或亚碲酸钠为原料，以硼氢化钾或硼氢化钠为还原剂，在室温至50℃碱性水溶液下同时合成PbTe薄膜和纳米粉末。本发明首次在低于100℃且常压下合成PbTe薄膜与纳米粉体，制备的薄膜平整、致密、均匀；粉末产物粒径小，粒度分布均匀，并可通过控制反应温度来控制粒径大小。整个工艺使用的原料便宜易得，工艺简单，容易实现规模化生产，同时反应过程中避免使用有机溶剂，有利于环保。合成的PbTe薄膜和纳米粉体可广泛应用于热电器件、太阳能电池、荧光器件、红外光学元件、红外薄膜器件和半导体探测器等，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN119874356A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510033909.5
申请日：2025-01-08
Applicant: 同济大学
IPC: C04B35/493 , H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种铁电‑压电陶瓷储能材料及其混杂工艺制备方法和应用，属于铁电‑压电陶瓷材料技术领域。铁电‑压电陶瓷储能材料包括多晶粉体和溶胶混合均匀经热处理形成微纳米复合结构颗粒，微纳米复合结构颗粒包括多晶粉体和分布在其周围的PLZS纳米成分层。铁电‑压电陶瓷储能材料的混杂工艺制备方法包括：制备溶胶和多晶粉体；对溶胶与多晶粉体进行热处理得到微纳米复合结构颗粒；将微纳米复合结构颗粒通过流延工艺和烧结得到铁电‑压电陶瓷储能材料样品。采用本发明所述的铁电‑压电陶瓷储能材料及其混杂工艺制备方法和应用，通过与溶胶成分混杂提高了比表面积和氧空位含量，有利于降低陶瓷材料的烧结温度，提高陶瓷材料的介电储能性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105742060B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201610196562.7
申请日：2016-03-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种高储能密度固态薄膜集成电路电容器及其制备方法，该电容器包括衬底基片、下部电极和上部电极，所述的下部电极涂覆在衬底基片上，该电容器还包括活性钛酸锶薄膜，所述的活性钛酸锶薄膜位于上部电极和下部电极之间，所述的上部电极为Ti薄膜，活性钛酸锶薄膜与上部电极之间设有一层具有自修复作用的阳极氧化膜。与现有技术相比，本发明具有储能密度高、能够实现自修复、不存在电解液等优点。
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公开(公告)号：CN107026018A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710135137.1
申请日：2017-03-08
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种具有自修复功能的固态薄膜电容器及其制备方法，该电容器包括衬底基片(1)、下部电极(2)、活性玻璃掺杂氧化铝薄膜(3)、上部电极(4)，所述的下部电极(2)涂覆在衬底基片(1)表面上，所述的活性玻璃掺杂氧化铝薄膜(3)设置在上部电极(4)和下部电极(2)之间。与现有技术相比，本发明具有结构和制备工艺简单，介电性能好，能够实现自修复，储能密度高，而且采用的是固态薄膜作为电介质，内部不存在电解液，因而使用安全可靠等优点。
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公开(公告)号：CN106887331A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710034897.3
申请日：2017-01-17
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及高储能密度电容器用氧化铝基电介质薄膜及其制备方法，其化学组成成分为Al2Bi2‑xSiyOz，其中：x＝0.005～0.1,y＝0.02，采用溶胶凝胶法制备得到氧化铝基电介质薄膜。与现有技术相比，本发明制备得到的氧化铝基电介质薄膜耐压在80～200V之间可调控，击穿之前漏导低于1μA，同时介电常数高于传统氧化铝薄膜，可用于各种高储能密度及高压电容器。与现有技术相比，本发明制备工艺简单，薄膜致密均匀，介电性能优良。
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公开(公告)号：CN103971933A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410199268.2
申请日：2014-05-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种固态薄膜电容器及其制备方法，该电容器包括下部电极(1)、活性氧化铝薄膜(2)、上部电极(3)、阳极氧化膜(4)及衬底基片(5)，下部电极(1)涂覆在衬底基片(5)表面上，活性氧化铝薄膜(2)设置在上部电极(3)和下部电极(1)之间，活性氧化铝薄膜(2)与上部电极(3)、下部电极(1)的界面处为一层通过电化学方法形成的具有自修复功能的阳极氧化膜(4)。与现有技术相比，本发明的结构和制备工艺简单，适用于大规模批量生产，所用原料成本低廉，而且采用的是固态薄膜作为电介质，内部不存在电解液，使用安全可靠。
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公开(公告)号：CN102643092B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210137804.7
申请日：2012-05-04
Applicant: 同济大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种铅基反铁电纳米材料和铅基反铁电陶瓷储能材料的制备，属于电子材料与器件技术领域。本发明通过使用硝酸铵-氨水缓冲溶液作为沉淀剂，制备出的铅基反铁电纳米粉体的粒径小、分布均匀，其粒径分布为D(0.5)=0.061um，D(0.9)=0.111um，使用此铅基反铁电纳米粉体制备出的块体陶瓷储能材料的击穿场强高达145kV/cm，储能密度达到2.52J/cm3，可广泛用于储能电容器、高功率脉冲电源、高速列车、电动汽车技术、动能武器等领域。
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