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公开(公告)号:CN104576789B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201410842704.3
申请日:2014-12-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于半导体紫外光电探测技术领域,具体涉及一种以纳米氧化石墨烯(GO)作为阻挡层及隧穿层、TiO2/GO复合薄膜为光电转换材料的高性能探测器。器件以石英片做衬底,表面旋涂制备TiO2和GO薄膜,并用磁控溅射制备金电极。利用光刻技术,将GO层制备成与电极具有相同形状的叉指结构,可以有效降低表面漏电流。器件工作时,GO层在黑暗中起到阻挡层作用,提高势垒阻止电子传输,有效降低器件暗电流;在310nm紫外光照射下,外加偏压使GO层发生隧穿效应,成为光生载流子的传导阶梯,促进光生电流传递,有效提高器件光电流。
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公开(公告)号:CN105161624A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201510593983.9
申请日:2015-09-18
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0004 , H01L51/42
Abstract: 一种基于全过程印刷生产制备有机太阳能电池的方法,属于聚合物有机太阳能电池制造领域。具体涉及的器件采用正型结构,具体包括:采用水热法在ITO表面制备一层MoO3作为空穴传输层,在已经制备好的空穴传输层表面利用旋转涂覆法制作活性层,然后在活性层表面利用旋转涂覆法制备PEI电子传输层,最后在器件表面刷涂银浆作为电极。该方法全部过程不涉及真空蒸镀等步骤,制备过程简单,易于控制,可以进行有机太阳能电池大面积印刷生产,有利于有机太阳能电池的大规模民用化推广。制备的器件具有较好的开路电压、短路电流,并且通过对比J-V曲线可以看出器件具有较高的填充因子。
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公开(公告)号:CN105047821A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510296545.6
申请日:2015-06-02
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4226 , H01L51/441 , H01L2251/301 , H01L2251/303
Abstract: 本发明属于聚合物太阳能电池技术领域,具体涉及一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池。本发明所述的器件结构是典型的反型结构。首先,对于二氧化钛电子传输层进行紫外处理和羟基化处理,然后进行聚乙烯亚胺修饰;其次,对于活性层进行无机量子点掺杂,来进一步调节给受体之间的能级,增强载流子的传输;最后,空穴传输层采用水溶性的三氧化钼,并且进行金纳米粒子的掺杂,水溶液旋涂相比于蒸镀法有利于节约能源,金纳米粒子的掺入所产生的表面等离激元共振效应能够将光反射回活性层从而被进一步利用,同时也将有助于电荷在传输层中的传输。三者的同时应用将使载流子的传输更加顺利,达到一个更加平衡的电子‐空穴的迁移速率。
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公开(公告)号:CN104916784A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201510363590.9
申请日:2015-06-27
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L51/48 , H01L31/0256 , H01L31/0216 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L31/0256 , H01L31/0216 , H01L31/1876
Abstract: 一种基于纳米热压印技术的反型陷光结构级联型有机太阳能电池及其制备方法,属于聚合物太阳能电池技术领域。由ITO衬底、TiO2电子传输层、具有金字塔型阵列的级联型活性层、MoO3空穴传输层和Ag阳极组成,级联型活性层由P3HT层、PSBTBT层、PCDTBT层和PCBM层组成。是采用旋转涂覆法在电子传输层表面制作级联结构活性层,然后对活性层进行热压印,制作出陷光结构,这种方法不仅可以通过级联型活性层提高有机太阳能电池光电转换效率,同时,利用纳米压印技术制作出陷光结构,可以有效增加光吸收,提高对太阳光的利用率。因此,本发明不仅有效提高电池的光吸收,同时提高光电转换效率,因此电池性能有恒大提高。
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公开(公告)号:CN102509743B
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201210001003.8
申请日:2012-01-04
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种以超薄硅片为衬底,以纳米TiO2/SrTiO3异质结有源层为基体材料,以Au为金属插指电极的高性能半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶技术制备TiO2及SrTiO3溶胶,并在超薄硅衬底上依次生长成致密的纳米SrTiO3薄膜及TiO2薄膜;然后通过磁控溅射和标准的光刻、剥离技术在薄膜表面制成一定形状的Au插指电极。本发明制备的TiO2/SrTiO3异质结金属-半导体-金属紫外光探测器具有制备方法简单,成本低廉,有望大规模生产的特点,对波长250nm-350nm的紫外线具有良好的检测性能。
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公开(公告)号:CN103091932A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201310016000.6
申请日:2013-01-16
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/35 , H04B10/2537
Abstract: 本发明属于微波光子学技术领域,具体涉及一种基于高非线性光纤受激布里渊散射效应和多泵浦信号的超宽调谐范围的单带通可调谐微波光子滤波器。由激光器、相位调制器、隔离器、N个泵浦源、耦合器、高非线性光纤、环行器、探测器和网络分析仪组成;利用高非线性光纤的受激布里渊散射效应和相位调制器输出信号的相位相反强度相等的特点,通过高非线性光纤的受激布里渊散射效应对相位调制器输出的一阶上边带进行增强或减弱,打破相位调制器输出信号一阶上下边带的强度平衡,从而实现需要频率的信号被滤波输出。通过合理增加泵浦信号的数量,利用高频泵浦信号引起的受激布里渊增益抵消低频泵浦信号引起的受激布里渊损耗,增加滤波器的调谐范围。
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公开(公告)号:CN101915998B
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201010234943.2
申请日:2010-07-23
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于光电子器件领域,具体涉及一种基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及其制备方法。该器件是在SOI衬底的顶层硅一侧制作,为一体脊型结构,沿着输入光的方向顺次是输入单模波导1、第一单模渐变波导2、多模波导3、第二单模渐变波导4、输出单模波导5;在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层204,在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极205。本发明所述基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器采用光刻、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀、生长金属膜和金属膜的腐蚀等工艺制作。该可变光衰减器可以在0~30dB范围内,实现对光信号的连续可变衰减。
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公开(公告)号:CN101881785B
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:CN201010205116.0
申请日:2010-06-22
Applicant: 吉林大学
IPC: G01P15/125 , B81B3/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明属于微机电系统领域,涉及一种四折叠梁变面积差分电容结构微加速度传感器及其制备方法。由可动质量块、成对的弹簧折叠梁、插指状下电极和微加速度传感器外框组成;在外部载荷的作用方向上,可动质量块的前端和后端通过弹簧折叠梁连接在加速度传感器外框上,可动质量块、弹簧折叠梁、加速度传感器外框为一体结构;在可动质量块的下表面制作有上电极,上电极与插指状下电极间具有一定的空隙,从而组成平板差分电容,上电极通过加速度传感器外框与插指状下电极键合在一起。本发明所述的传感器结构,明显地解决了变间隙结构存在的非线性问题,利于后续检测电路的制作,同时使振动模态更好的分离,提高了器件的抗干扰能力并增加传感器的灵敏度。
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公开(公告)号:CN102163639A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201110070874.0
申请日:2011-03-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种以超薄石英为衬底,以纳米TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜为基体,以Au、Pt或Ni为金属插指电极,以Al或Ag为光反射层的低表面态密度的高性能半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶技术制备不同配比的TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜,并在超薄石英衬底上生长成致密的纳米薄膜;再经过高强度紫外清洗机对薄膜进行处理;然后通过磁控溅射和标准的光刻、剥离技术在薄膜表面制成一定形状的叉指电极;最后在超薄石英片背面蒸镀一层反射层用以提高光的吸收效率。通过调整TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜的不同配比,可以使本发明探测器的响应峰值在200nm到350nm紫外波段范围内可调。
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公开(公告)号:CN114551727B
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202210157792.8
申请日:2022-02-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于邻二氯苯和2‑巯基吡啶双掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。太阳能电池采用ITO/SnO2/Perovskite/Spiro‑OMeTAD/Ag的n‑i‑p正型结构,其中Perovskite为邻二氯苯和2‑巯基吡啶双掺杂的钙钛矿层。本发明邻二氯苯和2‑巯基吡啶的引入有效钝化了钙钛矿层未配位的Pb2+缺陷,减少了光生载流子的非辐射复合损失;同时增大了晶粒尺寸,减少了晶界,改善了钙钛矿层的结晶性。基于本发明方法制备的钙钛矿太阳能电池具有19.67%的光电转换效率,未封装的电池在室温、30%湿度条件下600h后仍保持原始效率的85%以上,显示出良好的稳定性。
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