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公开(公告)号：CN113921731A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111157064.9
申请日：2021-09-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于电致发光照明技术领域，具体为基于Co掺杂ZnO作为电子传输层的电致发光LED及其制备方法，电致发光LED采用ITO为阴极，ZnO纳米晶薄膜作为电子传输层，CsPbI3纳米晶作为发光层，4,4',4"‑三(咔唑‑9‑基)‑三苯胺(TCTA)作为空穴传输层，MoO3作为空穴注入层，金属Ag作为阳极。通过Co掺杂ZnO纳米晶作为电子传输层，改善了电致发光LED发光层载流子的注入平衡，同时抑制了ZnO/CsPbI3界面的激子猝灭，从而实现了高效电致发光LED器件的制备。
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公开(公告)号：CN104868041B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510316883.1
申请日：2015-06-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种全碳基量子点混合荧光粉LED及其制备方法，是新型材料在照明领域的应用。本发明采用由蓝光波段的碳点荧光粉、红光波段的聚合物量子点荧光粉以及绿光波段的聚合物量子点荧光粉组成的混合荧光层作为发光层，紫外光芯片作为激发光源，本发明中的混合荧光层不存在能量的相互吸收及自吸收作用且毒性低、成本低廉，本发明所制备的LED发出的白光显色指数高、色度稳定性好，且白光的色温及显色度不因施加电流变化而显著改变。
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公开(公告)号：CN106025042A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610585533.X
申请日：2016-07-25
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/502 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明涉及一种基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED及制备方法。基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED，将钙钛矿量子点嵌入二氧化硅基质中，并结合蓝光LED芯片发出白光，采用3‑氨基丙基三乙氧基硅烷水解形成二氧化硅基质，再由二氧化硅包覆钙钛矿量子点,获得空气中稳定的钙钛矿量子点,将制备的二氧化硅包覆的钙钛矿红光和绿光量子点荧光粉作为发光层，蓝光LED芯片作为激发光源，利用蓝、红、绿三原色匹配发出白光，获得基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED。本发明提出将钙钛矿量子点嵌入由APTES水解形成的二氧化硅基质中，使获得的二氧化硅包覆钙钛矿量子点在空气中可以保持长期的稳定性并具有高的荧光量子产率。
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公开(公告)号：CN105720205A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610120516.9
申请日：2016-03-03
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L51/50 , C09K11/665 , H01L51/0035 , H01L51/502 , H01L51/56
Abstract: 本发明主要涉及一种新型发光薄膜，具体涉及的是基于PEI的高效钙钛矿量子点发光薄膜及其制备方法。采用PEI与ZnO作为电子输运层，钙钛矿量子点发光薄膜作为荧光层，其结构包括：ITO薄膜的衬底(1)、沉积在衬底上的ZnO层(2)、旋涂在ZnO纳米晶薄莫上的PEI层(3)、旋涂在被PEI包覆的ZnO纳米晶薄膜上的钙钛矿量子点(4)；所述的ZnO层与PEI层共同组合成电子迁移层；所述的无机铯铅卤化物钙钛矿量子点作为发光层(4)。本发明所制备的钙钛矿量子点发光薄膜相比现有工艺制备的钙钛矿量子点发光薄膜，其荧光量子产率可提高2～3倍。
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公开(公告)号：CN102723350B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201210208512.8
申请日：2012-06-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种新型结构的基于PbSe胶体量子点的阵列式霍尔元件及其制作方法。具有结构小，任意弯曲和灵敏度高等优点。所述PbSe胶体量子点敏感单元为多个串联在一起，并按点阵列式排列在柔性衬底上，该单元一端为电流输入端电极，另一端为电流输出端电极，每个PbSe胶体量子点敏感单元的信号分别通过各自信号输出电极I输出，所有PbSe胶体量子点敏感单元的信号输出电极I和II分别集中在一起排布并与各自的信号输出端接口相连，该单元的制作方法包括，首先制备出单个PbSe胶体量子点敏感单元8，然后蒸镀电极，先蒸镀信号输出电极I和信号输出电极II，在其上镀保护层，最后蒸镀电流输入端电极和电流输出端电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102509756B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210001471.5
申请日：2012-01-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种基于FTO的全无机氧化物量子点LED及其制作方法，属于半导体照明技术领域。技术方案是：所述LED结构主要由LED正极和阴极、LED正极和阴极之间的载流子迁移层、载流子迁移层之间的LED的发光层以及玻璃基板组成；所述LED制作方法经步骤一、FTO电极（2）的制备，步骤二、NiO薄膜层（3）的制备，步骤三、CdSe/CdS/ZnS量子点的合成与薄膜制备，步骤四、ZnO纳米晶薄膜层（5）的制备，步骤五、蒸镀电极，最后，完成基于FTO的全无机氧化物量子点LED的制作。本发明提供上述技术方案使LED发光层和载流子迁移层能级得到合理的匹配，同时简化LED制作工艺，降低封装成本。
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公开(公告)号：CN103618047A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310665055.X
申请日：2013-12-09
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4213 , H01L51/0035 , H01L51/4233 , H01L2251/301
Abstract: 本发明涉及一种环保无重金属量子点太阳能电池及其制作方法，属于新能源先进制造技术领域。该电池主要由基底、正极、空穴收集层、光敏层、收集层和负极组成，所述正极为ITO电极，将其沉积在基板上，ITO电极和基板能使太阳光透过，所述空穴收集层为具有极强导电性能的PEDOT:PSS层，将其旋涂在ITO电极上，所述光敏层为位于PEDOT:PSS层之上的CuInS2/ZnS QDs层，所述收集层为在CuInS2/ZnS QDs层上旋涂的ZnO纳米薄膜层，所述负极为在ZnO纳米薄膜层上蒸镀的Al电极。这种结构的太阳能电池保持了量子点太阳能电池的高效、柔性和工艺简单的特点，同时不含重金属，符合环保要求。
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公开(公告)号：CN102723350A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210208512.8
申请日：2012-06-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种新型结构的基于PbSe胶体量子点的阵列式霍尔元件及其制作方法。具有结构小，任意弯曲和灵敏度高等优点。所述PbSe胶体量子点敏感单元为多个串联在一起，并按点阵列式排列在柔性衬底上，该单元一端为电流输入端电极，另一端为电流输出端电极，每个PbSe胶体量子点敏感单元的信号分别通过各自信号输出电极I输出，所有PbSe胶体量子点敏感单元的信号输出电极I和II分别集中在一起排布并与各自的信号输出端接口相连，该单元的制作方法包括，首先制备出单个PbSe胶体量子点敏感单元8，然后蒸镀电极，先蒸镀信号输出电极I和信号输出电极II，在其上镀保护层，最后蒸镀电流输入端电极和电流输出端电极。
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公开(公告)号：CN102437210A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110388242.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/0328 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新型全无机氧化物结构量子点太阳电池及其制作方法。该电池由PbSe/CdSe核壳量子点薄膜、NiO薄膜和ZnO纳米薄膜以及阳极和阴极组成，NiO薄膜作为空穴的收集层；ZnO纳米薄膜作为电子的收集层；PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与ZnO纳米薄膜界面构成异质结，形成的电势差有助于光生电子从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜迁移进入氧化物电子收集层，PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与NiO薄膜界面构成异质结；阳极为ITO电极；阴极为Ag电极。其制作方法包括以下步骤：1、NiO薄膜的制备；2、PbSe/CdSe核壳量子点的合成与薄膜制备；3、ZnO纳米薄膜的制备；4、蒸镀电极。
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公开(公告)号：CN116023938A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310029258.3
申请日：2023-01-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/62 , C09K11/75 , B82Y30/00 , H01L33/50 , G01N21/3504
Abstract: 本发明涉及发光材料技术领域，公开了镧系离子掺杂双钙钛矿纳米晶及其制备方法和应用，所述镧系离子掺杂双钙钛矿纳米晶的化学式为Cs2MIn1‑x‑yCl6:x％Sb3+,y％Ln3+。本发明由于双钙钛矿基质低声子能量、优异稳定性、无毒、提供八面体配位环境，有利于镧系离子掺杂；同时具有高吸收系数的锑离子传能给镧系离子，进一步的碱金属取代调制了锑离子到镧系离子的能量传递效率同时降低了镧系离子周围的晶体环境，增强了镧系离子的辐射速率，提高了镧系离子的红外发光效率；具有丰富红外能级的钐、钕、铒三掺杂实现了有效的超宽红外发射，在夜视成像和气体检测方面展示着巨大的发展潜力。
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